12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polished Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H Typ Leitfähiges Solarphotovoltaik

Einführung des Produktes

Ein 12-Zoll-SiC-Substrat ist ein großes Siliziumkarbid (SiC) -Wafer, das hauptsächlich bei der Herstellung leistungsstarker Halbleitergeräte verwendet wird.Siliziumkarbid ist ein breitbandreiches Halbleitermaterial mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften, geeignet für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen.Industrieanwendungen und andere Bereiche, die der Halbleiterindustrie erhebliche wirtschaftliche und ökologische Vorteile bringen, indem sie die Produktionseffizienz verbessern, die Kosten senken und den technologischen Fortschritt vorantreiben.Mit der kontinuierlichen Entwicklung der Siliziumkarbid-Technologie, werden 12 Zoll-Substrate eine wichtige Position auf dem zukünftigen Markt einnehmen.Die Einführung des 12-Zoll-Substrats markiert einen großen Durchbruch in der Größe und Kapazität der Siliziumkarbid-Technologie, um der wachsenden Marktnachfrage gerecht zu werden.

Produktparameter

Merkmale des Erzeugnisses

1Große Größe: 12 Zoll (300 mm) Durchmesser im Vergleich zum traditionellen 6 Zoll (150 mm) und 8 Zoll (200 mm) Substrat, was die Chipleistung eines einzelnen Wafers erheblich verbessert.

2. Hohe Kristallqualität: Die Verwendung fortschrittlicher Kristallwachstumstechnologie (z. B. physikalische Dampftransfermethode, PVT), um sicherzustellen, dass das Substrat eine geringe Defektdichte und eine hohe Gleichförmigkeit aufweist.

Ausgezeichnete physikalische Eigenschaften

1. Hohe Härte (Mohs-Härte 9.2, nur hinter dem Diamanten).

2Hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 4,9 W/cm·K), geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten.

3. Hohe elektrische Feldstärke (ca. 2,8 MV/cm), unterstützt Hochspannungsanwendungen.

4Chemische Stabilität: Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geeignet für raue Umgebungen.

5Breitband-Lücke: Die Bandlücke beträgt 3,26 eV (4H-SiC), geeignet für Anwendungen mit hoher Temperatur und hoher Leistung.

Produktanwendungen

1Leistungselektronik:

MOSFETs und IGBTs: In Elektrofahrzeugen, industriellen Antrieben und erneuerbaren Energiesystemen verwendet.

Schottky-Dioden: Für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- und Stromverteilsysteme.

2. Rf-Geräte:

5G-Kommunikationsbasestation: unterstützt Hochfrequenz- und Hochleistungs-HF-Signalübertragung.

Radarsysteme: In der Luft- und Raumfahrt und im Verteidigungswesen.

3. Neue Energiefahrzeuge:

Elektroantrieb: Verbesserung der Effizienz und Langlebigkeit des Antriebs von Elektrofahrzeugen.

Autolader: Unterstützt schnelles Laden und eine hohe Leistungsübertragung.

4Industrieanwendungen:

Hochspannungs-Stromversorgung: in Industrieanlagen und Stromversorgungssystemen verwendet.

Solarumrichter: Verbesserung der Umwandlungseffizienz des Solarstromsystems.

5. Verbraucherelektronik:

Schnellladegerät: Unterstützt Hochleistungs-Schnellladetechnologie, verkürzt die Ladezeit.

Hocheffizienter Stromadapter: Für die Stromversorgung von Geräten wie Laptops und Mobiltelefonen verwendet.

6Luft- und Raumfahrt:

Hochtemperaturelektronik: Stromversorgungssysteme für Flugzeuge und Raumfahrzeuge, angepasst an extreme Umgebungen.

Produktvorteil

1. Verbesserung der Produktionseffizienz:Die 12-Zoll-Substratfläche ist 2,25-mal größer als die des 8-Zoll-Substrats, und in einem einzigen Prozess können mehr Chips hergestellt werden, wodurch die Chipekosten reduziert werden.Verringerung von Randverlusten und Verbesserung der Materialnutzung.

2. Verringerung der Produktionskosten:Die große Substratgröße reduziert die Ausrüstungsschalter und Prozessschritte im Herstellungsprozess und optimiert den Produktionsfluss.

3. Verbessern Sie die Leistung des Geräts:Hohe Kristallqualität und geringe Defektdichte verbessern die Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts.

4- Förderung des technologischen Fortschritts:Das 12-Zoll-Substrat hat die groß angelegte Anwendung der Halbleitertechnologie aus Siliziumkarbid gefördert und die Innovationen in der Industrie beschleunigt.

5. Umweltschutz und Energieeinsparung:Die effiziente Leistung von Siliziumkarbidgeräten reduziert den Energieverbrauch und steht im Einklang mit dem Trend der grünen Fertigung und der nachhaltigen Entwicklung.

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