Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: SiC 6H-P
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Preis: by case
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
Abseits der Achse: 2,0° in Richtung [110] ± 0,5° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
Rand-Ausschluss: |
3 Millimeter |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
Polytype: |
6H-P |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
Abseits der Achse: 2,0° in Richtung [110] ± 0,5° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
Rand-Ausschluss: |
3 Millimeter |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
Der Typ 6H-P Sic besteht aus einem fortgeschrittenen Halbleiter-Materialvorbereitungsprozess mit spezifischer Kristallstruktur und Dopingart.,Das "P-Typ" zeigt an, daß das Substrat so doppiert wird, daß die Löcher zum Hauptträgertyp werden.0° hilft, die Leistung des Kristalls in einer bestimmten Richtung zu optimieren, um den Bedürfnissen spezifischer Anwendungsszenarien gerecht zu werden.
1. Hohe Dopingkonzentration:6H-P-Typ Sic erreicht durch ein spezifisches Dopingverfahren eine hohe Konzentration der Löcherträgerverteilung, was zur Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit und der Schaltgeschwindigkeit des Geräts beiträgt.
2. Niedriger Widerstand:Aufgrund der hohen Dopingkonzentration weist das Substrat einen geringen Widerstand auf, was dazu beiträgt, den Energieverlust des Geräts während des Betriebs zu reduzieren.
3. Gute thermische Stabilität:Das Sic-Material selbst hat einen sehr hohen Schmelzpunkt, wodurch das 6H-P-Substrat in hohem Temperaturumfeld eine stabile Leistung aufrechterhalten kann.
4. Ausgezeichnete mechanische Eigenschaften:Das Sic-Material weist eine hohe Härte, Verschleißfestigkeit und andere Eigenschaften auf, wodurch das 6H-P-Substrat größeren mechanischen Belastungen im Herstellungsprozess standhält.
5. Außerhalb der Achse Winkeloptimierung:Der Winkel außerhalb der Achse beträgt 2,0°, so dass die Leistung des Substrats in einer bestimmten Richtung optimiert wird, was zur Verbesserung der Gesamtleistung des Geräts beiträgt.
2 Zoll Durchmesser SiliziumSubstrat aus Carbid (SiC) Spezifikation
|
Wie hoch? Zulassung |
工业级 Produktionsgrad (P-Klasse) |
Forschungsklasse Forschungsgrad (R-Klasse) |
试片级 Schwachstelle (Grad D) |
||
| Durchmesser | 500,8 mm±0,38 mm | ||||
| 厚度 Dicke | 350 μm±25 μm | ||||
| 晶片方向 Waferorientierung | Abseits der Achse: 2,0° bis 4,0° nach vorne [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, auf der Achse: | ||||
| 微管密度 Mikropipe Dichte | 0 cm bis 2 | ||||
| 电阻率 ※Widerstandsfähigkeit | 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω.cm | |||
| 3C-N | ≤ 0,8 mΩ•cm | ||||
| 主定位边方向 Primärflächenorientierung | 4H/6H-P | {10-10} ±5,0° | |||
| 3C-N | {1-10} ±5,0° | ||||
| 主定位边长度 Primär Flachlänge | 15.9 mm ±1,7 mm | ||||
| 次定位边长度 Sekundär Flachlänge | 8.0 mm ±1,7 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0° | ||||
| 边缘去除 Edge Ausschluss | 3 mm | 3 mm | |||
| 总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 TTV/Bow /Warp | Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. | ||||
| 表面粗度※ Rauheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | |||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Rand Risse durch hohe Intensität Licht | Keine | 1 zulässig, ≤ 1 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯观测)) ※ Hexplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 1 % | Kumulative Fläche ≤ 3 % | |||
| Mehrfache (Stronglight) ※ Polytypische Bereiche durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Fläche ≤ 2 % | Kumulative Fläche ≤ 5% | ||
|
Si 面划痕 ((强光灯观测)) Silikon-Oberflächenkratzungen durch hochintensives Licht |
3 Kratzer auf 1 × Wafer Durchmesser kumulative Länge |
5 Kratzer auf 1 × Wafer Durchmesser kumulative Länge |
8 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | ||
| 崩边 ((强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Lichtlicht | Keine | 3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | ||
|
- Das ist nicht wahr. Silikonbodenverschmutzung durch hohe Intensität |
Keine | ||||
| 包装 Verpackung | Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||||
Anmerkungen:
※Die Defektgrenzwerte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Rand-Ausschließungsbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Seite überprüft werden.
- Ich weiß.
1. F: Was ist Sic 6H-P abseits der Achse auf 2,0°?
A: Sic 6H-P ab 2.0° bezieht sich auf ein Siliziumkarbidmaterial des P-Typs mit einer 6H-Kristallstruktur, dessen Schneidrichtung um 2,0° von der Kristallspindel abweicht.Dieses Design soll die spezifischen Eigenschaften von Siliziumkarbidmaterialien optimieren, wie z. B. die Erhöhung der Trägermobilität und die Verringerung der Defektdichte, um den Herstellungsbedarf von Hochleistungs-Halbleitergeräten zu decken.
2F: Was ist der Unterschied zwischen P- und N-Typen-Siliziumwafern?
A: Der Hauptunterschied zwischen P-Typen- und N-Typen-Siliziumwafer besteht darin, dass die Doping-Elemente verschieden sind, P-Typ-Bor und N-Typ-Phosphor,Dies führt dazu, dass ihre elektrische Leitfähigkeit und physikalischen Eigenschaften unterschiedlich sind..
Tag: #Sic-Wafer, #Siliciumcarbid-Substrat, #Sic 6H-P-Typ, #Ausrichtung: 2,0° Richtung, #Mohs-Härte 9.2
