Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: Wafer aus GaN-on-Si
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Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
GaN-Schicht auf dem sI-Substrat |
Größe: |
4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll |
Orientierung: |
< 111> |
Stärke: |
500 mm/ 650 mm |
Härte: |
90,0 Mohs |
Anpassung: |
Unterstützung |
Material: |
GaN-Schicht auf dem sI-Substrat |
Größe: |
4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll |
Orientierung: |
< 111> |
Stärke: |
500 mm/ 650 mm |
Härte: |
90,0 Mohs |
Anpassung: |
Unterstützung |
GaN auf Si-Verbundwafer, Si-Wafer, Siliconwafer, Compound Wafer, GaN auf Si-Substrat, Siliconkarbid-Substrat, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, Galliumnitrid (GaN) -Schicht auf Silicon (Si) -Substrat
Eigenschaften von GaN auf Si-Wafer
Mehr über GaN auf Si-Wafer
GaN-on-Si ist ein Halbleitermaterial, das die Vorteile von Galliumnitrid (GaN) und Silizium (Si) kombiniert.
GaN weist die Eigenschaften einer breiten Bandbreite, hoher Elektronenmobilität und hohem Temperaturwiderstand auf, wodurch es bei Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen einen erheblichen Vorteil hat.
Traditionelle GaN-Geräte basieren jedoch in der Regel auf teuren Substratmaterialien wie Saphir oder Siliziumkarbid.
Im Gegensatz dazu verwendet GaN-on-Si als Substrat kostengünstigere und größere Siliziumwafer, wodurch die Produktionskosten erheblich gesenkt und die Kompatibilität mit bestehenden Siliziumverfahren verbessert wird.
Dieses Material wird in der Leistungselektronik, in HF-Geräten und in der Optoelektronik weit verbreitet.
So haben beispielsweise GaN-on-Si-Geräte eine hervorragende Leistungsfähigkeit in den Bereichen Strommanagement, drahtlose Kommunikation und Festkörperbeleuchtung gezeigt.
Darüber hinaus wird mit der Weiterentwicklung der Fertigungstechnologie erwartet, dass GaN-on-Si herkömmliche Geräte auf Siliziumbasis in einem breiteren Anwendungsbereich ersetzen wird.Förderung der weiteren Miniaturisierung und Effizienz elektronischer Geräte.
Weitere EinzelheitenGaN auf SiWafer
| Kategorie der Parameter | Parameter | Wert/Bereich | Anmerkung |
| Materialeigenschaften | GaN Bandbreite | 3.4 eV | Halbleiter mit breiter Bandbreite, geeignet für Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen |
| Silikon (Si) Bandbreite | 1.12 eV | Silizium als Substratmaterial bietet eine bessere Wirtschaftlichkeit | |
| Wärmeleitfähigkeit | 130 bis 170 W/m·K | Die Wärmeleitfähigkeit der GaN-Schicht und des Siliziumsubstrats beträgt etwa 149 W/m·K | |
| Elektronenmobilität | 1000 bis 2000 cm2/V·s | Die Elektronenmobilität der GaN-Schicht ist höher als die des Siliziums | |
| Dielektrische Konstante | 9.5 (GaN), 11.9 (Si) | Dielektrische Konstanten von GaN und Silizium | |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung | 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) | Die thermischen Expansionskoeffizienten von GaN und Silizium entsprechen nicht, was zu Belastungen führen kann. | |
| Gitterkonstante | 3.189 Å (GaN), 5.431 Å (Si) | Die Gitterkonstanten von GaN und Si sind nicht übereinstimmend, was zu Verrutschungen führen kann | |
| Verlagerungsdichte | 108 bis 109 cm2 | Typische Dislokationsdichte einer GaN-Schicht, abhängig vom epitaxialen Wachstumsprozess | |
| Mechanische Härte | 9 Mohs | Die mechanische Härte von Galliumnitrid sorgt für Verschleißbeständigkeit und Langlebigkeit | |
| Spezifikationen der Wafer | Waferdurchmesser | 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll | Allgemeine Wafergrößen für GaN-on-Si |
| GaN-Schichtdicke | 1 bis 10 μm | Abhängig von den spezifischen Anforderungen der Anwendung | |
| Substratdicke | 500 bis 725 μm | Typische Dicke des Siliziumsubstrats, die die mechanische Festigkeit unterstützt | |
| Oberflächenrauheit | < 1 nm RMS | Die Rauheit der Oberfläche nach dem Polieren sorgt für ein qualitativ hochwertiges Epitaxialwachstum | |
| Stufenhöhe | < 2 nm | Die Stufenhöhe der GaN-Schicht beeinflusst die Leistung des Geräts | |
| Warpage | < 50 μm | Die Verformung der Wafer beeinflusst die Kompatibilität des Herstellungsprozesses | |
| Elektrische Eigenschaften | Elektronenkonzentration | 1016 bis 1019 cm−3 | Dopingkonzentration der GaN-Schicht im n- oder p-Typ |
| Widerstand | 10−3-10−2 Ω·cm | Typische Widerstandsfähigkeit von GaN-Schichten | |
| Ausfall des elektrischen Feldes | 3 MV/cm | Die hohe Abbruchstärke des elektrischen Feldes der GaN-Schicht eignet sich für Hochspannungsgeräte | |
| Optische Leistung | Emissionswellenlänge | 365 bis 405 nm (UV/blaues Licht) | Die Emissionswellenlänge von GaN-Materialien, die in optoelektronischen Geräten wie LEDs und Lasern verwendet werden |
| Absorptionskoeffizient | ~ 104 cm-1 | Absorptionskoeffizient des GaN-Materials im sichtbaren Lichtbereich | |
| Thermische Eigenschaften | Wärmeleitfähigkeit | 130 bis 170 W/m·K | Die Wärmeleitfähigkeit der GaN-Schicht und des Siliziumsubstrats beträgt etwa 149 W/m·K |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung | 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) | Die thermischen Expansionskoeffizienten von GaN und Silizium entsprechen nicht, was zu Belastungen führen kann. | |
| Chemische Eigenschaften | Chemische Stabilität | hohe | Galliumnitrid ist gut korrosionsbeständig und eignet sich für raue Umgebungen |
| Oberflächenbehandlung | Staubfrei und umweltfreundlich | Reinheitsanforderungen an die Oberfläche der GaN-Wafer | |
| Mechanische Eigenschaften | Mechanische Härte | 9 Mohs | Die mechanische Härte von Galliumnitrid sorgt für Verschleißbeständigkeit und Langlebigkeit |
| Modul von Young | 350 GPa (GaN), 130 GPa (Si) | Young-Modul von GaN und Silizium, beeinflusst die mechanischen Eigenschaften des Geräts | |
| Produktionsparameter | Epitaxiale Wachstumsmethode | MOCVD, HVPE, MBE | Gemeinsame Methoden für das epitaxiale Wachstum von GaN-Schichten |
| Ertrag | Abhängig von der Prozesssteuerung und der Wafergröße | Die Ertragsrate wird durch Faktoren wie Verlagerungsdichte und Verformung beeinflusst | |
| Wachstumstemperatur | 1000 bis 1200°C | Typische Temperaturen für das epitaxiale Wachstum von GaN-Schichten | |
| Abkühlrate | Kontrollierte Kühlung | Um Wärmebelastung und Verformung zu vermeiden, wird die Kühlgeschwindigkeit normalerweise kontrolliert |
Proben vonGaN auf SiWafer
*Wenn Sie weitere Anforderungen haben, kontaktieren Sie uns bitte, um eine anzupassen.
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Häufig gestellte Fragen
1. F: Was ist mit den Kosten von GaN für Si-Wafer im Vergleich zu anderen Wafern?
A: Verglichen mit anderen Substratmaterialien wie Siliziumkarbid (SiC) oder Saphir (Al2O3) haben GaN-Wafer auf Siliziumbasis offensichtliche Kostenvorteile, insbesondere bei der Herstellung von Wafern großer Größe.
2. F: Wie sieht es mit den künftigen Aussichten von GaN auf Si-Wafer aus?
A: GaN-on-Si-Wafer ersetzen aufgrund ihrer überlegenen elektronischen Leistung und Kosteneffizienz allmählich die traditionelle Silizium-basierte Technologie.und spielen in vielen der oben genannten Bereiche eine immer wichtigere Rolle.
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