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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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besonders angefertigte 5x40mm formen sic Kristallscheiben 4 H-N Sic Substrates-Chips

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Besorgen 4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP Online-Herstellung Video

4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP

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Besorgen 4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Online-Herstellung Video

4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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8-12-Zoll-Glaswafer-Substrate für Halbleiter- und fortschrittliche Verpackungsanwendungen

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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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