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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

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6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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