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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	sic Epitaxial- Oblate 6inch
MOQ:	25
Preis:	by case
Lieferzeit:	5-8weeks
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

rohs

Kristallstruktur:

4H-SiC-Einkristall

Größe:

6 Zoll.

Durchmesser:

150 mm

Widerstand:

0,015–0,15 Ω·cm (einstellbar)

Rand-Ausschluss:

3 mm

Anwendung:

Neufahrzeuge，Industrie & Energie

Verpackung Informationen:

Paket in der 100-Grad-Reinigung

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Stück pro Monat

Hervorheben:

N-Art sic Epitaxial- Oblate

P-Typ SiC Epitaxial Wafer

6 Zentimeter hohe Epitaxialwafer

Produkt-Beschreibung

Technische Zusammenfassung von 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern

6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer, Durchmesser 150 mm, N-Typ, P-Typ für 5G-Kommunikation

Als Kernmaterial für die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsbauelementen basiert der 6-Zoll-4H-SiC-Epitaxialwafer auf einem 4H-N-Typ-SiC-Substrat, das mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) gezüchtet wird, um eine hohe Gleichmäßigkeit, geringe Defektdichte und außergewöhnliche elektrische Leistung zu erzielen. Seine technischen Vorteile umfassen:

· Kristallstruktur: (0001) Silizium-Flächenorientierung mit einem 4°-Versatz zur Optimierung der Gitteranpassung und Minimierung von Mikropipen-/Stapelfehlerdefekten.

· Elektrische Leistung: N-Typ-Dotierungskonzentration präzise gesteuert zwischen 2×10¹⁴–2×10¹⁹ cm⁻³ (±14 % Toleranz), wodurch der spezifische Widerstand durch In-situ-Dotierungstechnologie von 0,015–0,15 Ω·cm einstellbar ist.

· Defektkontrolle: Oberflächendefektdichte <25 cm⁻² (TSD/TED), Dreiecksdefektdichte <0,5 cm⁻², gewährleistet durch magnetfeldgestütztes Wachstum und Echtzeitüberwachung.

Durch den Einsatz von im Inland entwickelten CVD-Geräteclustern erreicht ZMSH eine vollständige Prozesskontrolle von der Substratbearbeitung bis zum Epitaxialwachstum und unterstützt schnelle Kleinserienversuche (mindestens 50 Wafer) und kundenspezifische Lösungen für Anwendungen in neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichtern und 5G-Basisstationen.

Schlüsselparameter für 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer

Parameter	Spezifikation
Durchmesser	150 mm (±0,2 mm)
Dicke	50–100 μm (Hochspannung)
Dotierungskonzentration (N)	2×10¹⁴–2×10¹⁹ cm⁻³
Oberflächendefektdichte	<25 cm⁻² (TSD/TED)
Spezifischer Widerstand	0,015–0,15 Ω·cm (einstellbar)
Randabschluss	3 mm

Kernmerkmale von 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern

1. Materialleistung 

Wärmeleitfähigkeit: >350 W/m·K, 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer, die einen stabilen Betrieb bei >200 °C gewährleisten, 3× höher als Silizium.
Durchschlagsfeldstärke: >3 MV/cm, ermöglicht 10 kV+ Hochspannungsbauelemente mit optimierter Dicke (10–100 μm).
Trägermobilität: Elektronenmobilität >900 cm²/ (V·s), 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer, die durch Gradientendotierung für schnelleres Schalten verbessert werden.

2. Prozessvorteile 

Dickenhomogenität: <3 % (9-Punkt-Test) über Reaktoren mit dualer Temperaturzone, unterstützt die Dickenkontrolle von 5–100 μm.
Oberflächenqualität: Ra <0,5 nm (Rasterkraftmikroskopie, AFM), 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer, optimiert durch Wasserstoffätzung und chemisch-mechanisches Polieren (CMP).
Defektdichte: Mikropipendichte <1 cm⁻², minimiert durch Reverse-Bias-Glühen.

3. Anpassungsmöglichkeiten

Kristallorientierung: 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer unterstützen (0001) Silizium-Fläche, (11-20) Kohlenstoff-Fläche und quasi-homoepitaktisches Wachstum für Trench-MOSFETs und JBS-Dioden.
Verpackungskompatibilität: 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer bieten doppelseitiges Polieren (Ra <0,5 nm) und Wafer-Level-Packaging (WLP) für TO-247/DFN.

Schlüsselanwendungen von 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern

1. Erneuerbare Energiesysteme 

· Windturbinen-Wechselrichter: 1700V SiC-Epitaxialwafer für DC-AC-Umwandlung in groß angelegten Windturbinen, wodurch der Wirkungsgrad der Energieumwandlung auf 99,2 % erhöht und die DC-seitigen Verluste um 15 % reduziert werden.

· Hybride Energiespeicherung: 10 kV SiC-Module für bidirektionale DC-DC-Wandler in netzgekoppelten Batteriespeichersystemen, die einen nahtlosen Energietransfer zwischen Solar/Wind und Stromnetzen ermöglichen.

2. Energieinfrastruktur von Rechenzentren 

· Hocheffiziente PDU: 650V SiC-MOSFETs, die in Stromverteilungseinheiten (PDUs) integriert sind, erreichen einen Wirkungsgrad von 98 % und reduzieren die Kühlkosten um 20 % durch geringere Wärmeableitung.

· Intelligente Stromnetze: 3300V SiC-Thyristoren für Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) in Mikrogrids von Rechenzentren, wodurch die Übertragungsverluste auf <0,3 % minimiert werden.

3. Industrielle Motorantriebe 

· Hochleistungs-AC-Antriebe: 1200V SiC-IGBT-Module für industrielle Motorantriebe in der Stahlherstellung, die eine variable Drehzahlregelung mit 97 % Wirkungsgrad ermöglichen und den Energieverlust um 12 % reduzieren.

· Elektrische Gabelstapler: 400V SiC-basierte Wechselrichter für kompakte, leistungsstarke elektrische Gabelstapler, die die Betriebszeit durch reduzierten Energieverbrauch um 30 % verlängern.

4. Luft- und Raumfahrt-Energiesysteme 

· Hilfsstromaggregate (APUs): Strahlungsresistente 6H-SiC-Epitaxialwafer für APU-Wechselrichter in Flugzeugen, die zuverlässig bei -55 °C bis 225 °C arbeiten und die Strahlungshärtungstests nach MIL-STD-883 bestehen.

ZMSH-Dienstleistungen für 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafer

ZMSH-Dienstleistungen & Produktportfolio Unser Kerngeschäft umfasst eine umfassende Abdeckung von 2–12-Zoll-SiC-Substraten und Epitaxialwafern, einschließlich 4H/6H-N-Typ, HPSI, SEMI-Typ und 3C-N-Typ-Polytypen, mit fortschrittlichen Fähigkeiten in der kundenspezifischen Fertigung (z. B. Durchgangslochschneiden, doppelseitiges Polieren, Wafer-Level-Packaging) und End-to-End-Lösungen, die CVD-Epitaxie, Ionenimplantation, Tempern und Bauelementvalidierung umfassen. Durch den Einsatz von zu 75 % im Inland beschafften CVD-Geräten liefern wir kostengünstige Lösungen und erzielen 25 % niedrigere Produktionskosten im Vergleich zu globalen Wettbewerbern.

FAQ von 6-Zoll SiC-Epitaxialwafern

1. F: Was sind die Hauptanwendungen von 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern?

A: Sie werden häufig in neuen Energiefahrzeugen (Hauptantriebswechselrichter, Schnellladesysteme), Photovoltaik-Wechselrichtern, 5G-Kommunikationsbasisstationen und industriellen Motorantrieben eingesetzt, wodurch die Energieeffizienz verbessert und der Stromverbrauch gesenkt wird.

2. F: Wie kann die Defektdichte in 6-Zoll-SiC-Epitaxialwafern minimiert werden?

A: Die Defektdichte wird durch C/Si-Verhältnisoptimierung (0,9), Regulierung der Wachstumstemperatur (1590 °C) und magnetfeldgestütztes Wachstum kontrolliert, wodurch fatale Defekte (z. B. Dreiecksdefekte) auf <0,4 cm⁻² reduziert werden.

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Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung