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Created with Pixso. Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium

Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Shanghai, China
Material:
Einkristallines Silizium / polykristallines Silizium
Reinheit:
≥ 99,999 % (5N)
Maximaler Durchmesser:
Bis zu 480 mm
Dicke:
Benutzerdefiniert (5–30 mm typisch)
Widerstand (niedrig):
< 0,02 Ω·cm
Einheitlichkeit des spezifischen Widerstands:
< 5 % (RRG)
Oberflächenbeschaffenheit:
Poliert / geläppt / geschliffen
Hervorheben:

Einkristalliner Silizium-Siliziumring

,

polykristalliner Silizium-Si-Ring

,

Plasmaätz-Halbleiter-Siliziumring

Produkt-Beschreibung

Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium 0Der Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) ist ein Verbrauchsteil in Halbleiterqualität, der in der Plasma-Ätzer-, Ablagerungs- und Waferverarbeitungsanlage verwendet wird.oder Kammerrundring, hilft, die Plasmaverteilung zu steuern, die Ätzeruniformität zu verbessern und die Kammerhardware vor direkter Ionenbombardierung zu schützen.

Der Ring ist aus hochreinem Einzelkristallsilizium oder polykristallinem Silizium gefertigt und bietet eine hervorragende Kompatibilität mit Siliziumwaferverfahren.Diese intrinsische Materialmatching reduziert das Kontaminationsrisiko und gewährleistet eine stabile Prozessleistung in Halbleiterherstellungsumgebungen.

Rolle von Siliziumringen in Plasmakammern

Bei Halbleiterplasmasystemen (ICP, RIE, PECVD, CVD) werden Siliziumringe folgendermaßen ausgesetzt:

  • Hochenergetische PlasmaplätzePräzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium 1
  • Fluorbasierte Gase (CF4, SF6, NF3)
  • Chemikalien auf Chlorbasis (Cl2, HBr)
  • Wärmezyklus und Ionenbombardierung

Unter diesen rauen Bedingungen unterliegen Siliziumringe allmählich einer kontrollierten Erosion, weshalb sie als kritische Verbrauchsteile in der Halbleiterherstellung eingestuft werden.

Zu ihren Hauptaufgaben gehören:

  • Stabilisierung der Plasmaverteilung in der Nähe der Waferkante
  • Verbesserung der Ätzen-Einheitlichkeit und CD-Kontrolle
  • Schutz der Kammerwände und der Geräte
  • Aufrechterhaltung der Wiederholbarkeit des Prozesses

Wichtige Vorteile von Siliziumringe

Ausgezeichnete Siliziumprozesskompatibilität

Siliziumringe sind natürlich kompatibel mit Siliziumwaferverarbeitungsumgebungen, wodurch die Kreuzkontamination minimiert und eine hohe Produktion unterstützt wird.

Kosteneffiziente Lösung für Verbrauchsgüter

Im Vergleich zu SiC-Alternativen bieten Siliziumringe:

  • Niedrigere Anfangskosten
  • Leichtere Herstellung und Bearbeitung
  • Wirtschaftliche Ersatzzyklen

Stabile Plasmaleistung

Hochreines Silizium sorgt für ein gleichbleibendes elektrisches und materielles Verhalten während der Plasmabelastung und unterstützt stabile Prozessbedingungen.

Flexible Materialoptionen

Erhältlich in:

  • Einkristallisches Silizium (höhere Einheitlichkeit, bessere elektrische Stabilität)
  • Polykristallines Silizium (kosteneffizient, weit verbreitet in Standardverfahren)

Präzisionsbearbeitung von Halbleitern

Hergestellt mit strengen Toleranzen, um sicherzustellen:

  • Schnelle Dimensionskontrolle (< 10 μm)
  • Zuverlässige Kammerintegration
  • Konsistentes Plasmaverhalten an der Waferkante

Technische Spezifikation

Parameter Spezifikation
Material Einzelkristallines Silizium / Polykristallines Silizium
Reinheit ≥ 99,999% (5N)
Höchstdurchmesser bis zu 480 mm
Stärke Maßgeschneidert (typischerweise 5 ̊30 mm)
Widerstandsfähigkeit (niedrig) < 0,02 Ω·cm
Widerstandsfähigkeit (mittleres) 1 4 Ω·cm
Widerstandsfähigkeit (hohe) 70 °C bis 90 °C
Einheitlichkeit der Widerstandsfähigkeit < 5% (RRG)
Oberflächenbearbeitung Polster / Lapped / gemahlen
Oberflächenrauheit Ra ≤ 0,8 μm (nach unten poliert)
Präzision der Bearbeitung < 10 μm
Flachheit ≤ 30 μm (größenabhängig)
Entwurf der Kante Champf / Radius anpassbar
Qualitätsstandard Keine Risse, Splitter oder Verunreinigung

Anwendungen für Halbleiter

Siliziumringe werden weit verbreitet in

  • ICP- und RIE-Plasma-Ätzsysteme
  • CVD- und PECVD-Ablagerungsgeräte
  • Konstruktionen für Fokusring und Randring
  • Kammerverkleidung und Schutzstrukturen
  • Systeme zur Steuerung von Plasma an der Waferkante

Sie eignen sich besonders für ausgereifte und mittlere Halbleiterknotenpunkte, bei denen Kosteneffizienz und stabile Leistung Schwerpunkte haben.


Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium 2


Einzelkristalline gegen polykristalline Siliziumringe

Merkmal Einzelkristall Silizium Polykristallines Silizium
Einheitlichkeit Höher Moderate
Elektrische Stabilität Besser. Standards
Kosten Höher Niedriger
Verarbeitbarkeit Das ist gut. Sehr gut.
Typische Verwendung Hochpräzisionsverfahren Allgemeine industrielle Verwendung

Silikonring gegen SiC-Ring (Auswahlführer)

Merkmal Silikonring SiC Ring
Kosten Niedriger Höher
Plasmawiderstand Moderate Ausgezeichnet.
Lebensdauer Kürzer Längere
Schwierigkeiten bei der Bearbeitung Es ist einfacher. Schärfer.
Beste Anwendung Standardverfahren Schwierige Plasmaumgebungen

Silikonringe werden bevorzugt, wenn Kosteneffizienz und Prozesskompatibilität wichtiger sind als eine sehr lange Lebensdauer.


Präzisions-Siliziumring (Si-Ring) für Halbleiter-Plasma-Esssysteme in Einkristall- und Polykristall-Silizium 3


Warum Siliziumringe?

Siliziumringe werden in Halbleiterfabriken weiterhin weit verbreitet, da sie Folgendes liefern:

  • Nachgewiesene Kompatibilität mit Silizium-basierten Verfahren
  • Stabiles und vorhersehbares Plasmaprozess
  • Niedrigere Verbrauchskosten
  • Hohe Flexibilität bei der Herstellung
  • Einfache Anpassung für komplexe Geometrien

Sie sind eine praktische und zuverlässige Wahl für Produktionsumgebungen mit hohem Volumen.

Anpassungsmöglichkeiten

Die verfügbare Anpassung umfasst:

  • Durchmesser- und Dickenanpassung
  • Auswahl von Einzelkristall- oder Polykristallmaterial
  • Abgestimmung der Widerstandsfähigkeit
  • Randprofil (Schal / Radius)
  • Oberflächenveredelung (gepocht, geschmiert, gemahlen)
  • Komplexe geometrische Strukturen auf der Grundlage von Zeichnungen

Häufig gestellte Fragen

F1: Ist der Siliziumring ein Verbrauchsteil?

Ja, es ist ein verbrauchbarer Bauteil, der sich allmählich unter Plasma-Exposition erodiert und regelmäßig ersetzt werden muss.

F2: Was ist der Unterschied zwischen Einzelkristall- und Polykristall-Silizium?

Einkristallines Silizium bietet eine bessere Einheitlichkeit und elektrische Leistung, während polykristallines Silizium niedrigere Kosten und eine flexible Herstellung bietet.

Q3: Können Siliziumringe angepasst werden?

Die Abmessungen, die Widerstandsfähigkeit, die Oberflächenausführung und die Geometrie lassen sich anhand der Anforderungen der Ausrüstung oder der Zeichnungen anpassen.

F4: Wie ist die Lebensdauer im Vergleich zu SiC-Ringen?

Siliziumringe haben in der Regel eine kürzere Lebensdauer aufgrund der geringeren Plasmawiderstandsfähigkeit, insbesondere in aggressiven Ätzerumgebungen.

F5: Wie ist die typische Vorlaufzeit?

Die Produktion dauert in der Regel 3-5 Wochen, je nach Komplexität des Entwurfs und dem Auftragsvolumen.


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