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Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	SiC-Wafer HPSI
MOQ:	25
Preis:	Fluctuates with market
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai, China

Polytype:

Mainstream 4H-SiC

Durchmesser:

4/6/8 Zoll verfügbar

Dicke:

Standardgrößen sind 350 μm, 500 μm und 650 μm

Widerstand:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (elektrische Spezifikation des HPSI-Kerns)

Oberflächenbehandlung:

Einseitiges/doppelseitiges CMP-Spiegelpolieren

Micropipe-Dichte:

Massenproduktionsgrad ≤1 ea/cm²

Produkt-Beschreibung

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Umbauten:

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