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Guter Preis 4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch Online
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Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

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Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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​​SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

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SiC Ceramic Vacuum Chuck ​​Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness​​

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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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