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  [4H SiC ]

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Besorgen 12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte Online-Herstellung

12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte

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Besorgen Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC Online-Herstellung

Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

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Besorgen Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H Online-Herstellung

Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Besorgen 4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik Online-Herstellung

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik

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Besorgen Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm Online-Herstellung

Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm

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Besorgen Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2 Online-Herstellung

Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

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Besorgen SIC Crystal Silicon Carbide Wafer Online-Herstellung

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Besorgen HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade Online-Herstellung

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

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Besorgen SiC Dummy Wafer für Halbleiterprozessstabilisierung und Ausrüstungskonditionierung Online-Herstellung

SiC Dummy Wafer für Halbleiterprozessstabilisierung und Ausrüstungskonditionierung

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Besorgen Kundenspezifische quadratische optische Fenster, grüner Moissanit, SiC-Kristall, hohe Härte Online-Herstellung Video

Kundenspezifische quadratische optische Fenster, grüner Moissanit, SiC-Kristall, hohe Härte

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Besorgen Sapphire Multi-Wire Saw Machine für Sapphire/SiC/Quarz-Materialien Online-Herstellung

Sapphire Multi-Wire Saw Machine für Sapphire/SiC/Quarz-Materialien

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Besorgen Sic Wafer HPSI:Hochreine Halbisolierung Online-Herstellung

Sic Wafer HPSI:Hochreine Halbisolierung

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Besorgen 4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter Online-Herstellung

4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter

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Besorgen 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online-Herstellung

12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation

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Besorgen SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze Online-Herstellung

SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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Besorgen Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

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Besorgen Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte Online-Herstellung

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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Besorgen 2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad Online-Herstellung

2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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Besorgen 4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches Online-Herstellung

4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Besorgen Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät Online-Herstellung

Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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Besorgen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online-Herstellung

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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Besorgen 6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm Online-Herstellung

6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

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Besorgen Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement Online-Herstellung

Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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Besorgen 4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Online-Herstellung Video

4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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Besorgen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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Besorgen Silikonkarbidwafer 4 Zoll Durchmesser x 350um 4H-N Typ P/R/D-Grad MOSEFTs/SBD/JBS Online-Herstellung

Silikonkarbidwafer 4 Zoll Durchmesser x 350um 4H-N Typ P/R/D-Grad MOSEFTs/SBD/JBS

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Besorgen Transparente farblose kundengebundene SIC Linse HPSI 4H-SEMI Online-Herstellung

Transparente farblose kundengebundene SIC Linse HPSI 4H-SEMI

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Besorgen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online-Herstellung

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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