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Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik

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Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte

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12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern

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