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Einzelheiten zu den Produkten

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Sic Substrat
Created with Pixso. 6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: 6h-n 2 Zoll
MOQ: 3pcs
Preis: by case
Lieferzeit: 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
ROHS
Material:
SIC Kristall
Größe:
2 Zoll
Dicke:
350 um oder 330 um
Oberfläche:
CMP bei si-face, c-face mp
Farbe:
Transparent
Typ:
6H-N
Widerstand:
0.015~0.028ohm.cm
RA:
<0,2 nm Si-Fläche
Verpackung Informationen:
einzelner Oblatenkasten
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
5000 Stück/Monat
Hervorheben:

6H-N-Typen SiC-Wafer

,

2-Zoll-Substrat

,

SiC-Substrat mit einer Dicke von 350 μm

Produkt-Beschreibung
Produktbeschreibung: Waferlösungen aus Siliziumkarbid (SiC).
Produktübersicht

Da sich die Transport-, Energie- und Industriemärkte weiterentwickeln, wächst die Nachfrage nach zuverlässiger, leistungsstarker Leistungselektronik weiter. Um den Anforderungen an eine verbesserte Halbleiterleistung gerecht zu werden, greifen Gerätehersteller auf Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke zurück, wie zum Beispiel unsere 4H-SiC Prime Grade-Wafer (4H-Typ-n-Typ-Siliziumkarbid). Diese Wafer bieten eine außergewöhnliche Kristallqualität und eine geringe Defektdichte und eignen sich daher ideal für anspruchsvolle Anwendungen.

Hauptmerkmale
  • Optimierte Leistung und Kosten

    Größere Waferdurchmesser ermöglichen Skaleneffekte bei der Halbleiterfertigung und senken die Gesamtbetriebskosten.

  • Kompatibilität

    Entwickelt, um die mechanische Kompatibilität mit bestehenden und neuen Herstellungsprozessen für Geräte sicherzustellen.

  • Anpassung

    Kann an spezifische Leistungs- und Kostenanforderungen für das Gerätedesign angepasst werden.

  • Qualitätssicherung

    Wafer mit geringer Defektdichte verfügbar (MPD ≤ 0,1 cm⁻², TSD ≤ 400 cm⁻², BPD ≤ 1.500 cm⁻²).

Technische Spezifikationen
Parameter 4H-SiC (Einkristall) 6H-SiC (Einkristall)
Gitterparameter a=3,076 Å, c=10,053 Å a=3,073 Å, c=15,117 Å
Stapelreihenfolge ABCB ACB
Mohs-Härte ≈9,2 ≈9,2
Dichte 3,21 g/cm³ 3,21 g/cm³
Wärmeausdehnungskoeffizient 4-5*10⁻⁶/K 4-5*10⁻⁶/K
Brechungsindex bei 750 nm n₀=2,61, nₑ=2,66 n₀=2,60, nₑ=2,65
Dielektrizitätskonstante c~9,66 c~9,66
Wärmeleitfähigkeit (N-Typ) a~4,2 W/cm·K bei 298 K ca. 3,7 W/cm·K bei 298 K
Wärmeleitfähigkeit (halbisolierend) a~4,9 W/cm·K bei 298 K ca. 3,9 W/cm·K bei 298 K
Bandlücke 3,23 eV 3,02 eV
Zusammenbruch des elektrischen Feldes 3-5*10⁶ V/cm 3-5*10⁶ V/cm
Sättigungsdriftgeschwindigkeit 2,0*10⁵ m/s 2,0*10⁵ m/s

6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm 06H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm 16H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm 2

 

Produktserie
  • 2-Zoll-Wafer

    Erhältlich in den Stärken 0,33 mm oder 0,43 mm.

  • 6H-N/4H-N SiC-Substrate

    Hochreine Einkristallstrukturen für die Leistungselektronik.

  • 150 mm Wafer

    ermöglichen bessere Skaleneffekte im Vergleich zur 100-mm-Gerätefertigung.

Anpassungsdienste

Wir bieten umfassende Anpassungsmöglichkeiten, darunter:

  • Materialspezifikationen (Widerstand, Dotierungstyp usw.).
  • Optimierung der Wafergröße (150 mm und größer).
  • Individuelle Anpassung der Oberflächenbehandlung.
  • Spezielle Beschichtungen (z. B. optische Beschichtungen).
Inventarprodukte
Größe Dicke Typ Grad
2 Zoll 330μm 4H-N/4H-Halb/6H-Halb Dummy/Forschung/Produktion
3 Zoll 350 μm 4H-N/4H-Semi-HPSI Dummy/Forschung/Produktion
4 Zoll 350μm 4H-N/500μm HPSI Dummy/Forschung/Produktion
6 Zoll 350 μm 4H-N/500μm 4H-Semi Dummy/Forschung/Produktion
Technische Unterstützung

Detaillierte technische Spezifikationen finden Sie in unserem technischen PDF zum 150-mm-Siliziumkarbid-Wafer.

FAQs
  • Versandarten

    Wenn Sie über ein eigenes Kurierkonto bei DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS oder SF Express verfügen, können wir als Ihr Spediteur fungieren.

  • Zahlungsmethoden

    T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, Akkreditiv. Bankgebühren: ≤ 1.000 USD für Western Union; T/T über 1000 USD erfordert eine telegrafische Überweisung.

  • Lieferzeit
    • Lagerware: 5 Werktage.
    • Sonderanfertigungen: 7–25 Werktage (abhängig vom Bestellvolumen).
  • Anpassungsmöglichkeiten

    Wir können Materialspezifikationen, Größenparameter und optische Beschichtungen an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen.