| Markenbezeichnung: | ZMSH |
| Modellnummer: | 6h-n 2 Zoll |
| MOQ: | 3pcs |
| Preis: | by case |
| Lieferzeit: | 2 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
Da sich die Transport-, Energie- und Industriemärkte weiterentwickeln, wächst die Nachfrage nach zuverlässiger, leistungsstarker Leistungselektronik weiter. Um den Anforderungen an eine verbesserte Halbleiterleistung gerecht zu werden, greifen Gerätehersteller auf Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke zurück, wie zum Beispiel unsere 4H-SiC Prime Grade-Wafer (4H-Typ-n-Typ-Siliziumkarbid). Diese Wafer bieten eine außergewöhnliche Kristallqualität und eine geringe Defektdichte und eignen sich daher ideal für anspruchsvolle Anwendungen.
Größere Waferdurchmesser ermöglichen Skaleneffekte bei der Halbleiterfertigung und senken die Gesamtbetriebskosten.
Entwickelt, um die mechanische Kompatibilität mit bestehenden und neuen Herstellungsprozessen für Geräte sicherzustellen.
Kann an spezifische Leistungs- und Kostenanforderungen für das Gerätedesign angepasst werden.
Wafer mit geringer Defektdichte verfügbar (MPD ≤ 0,1 cm⁻², TSD ≤ 400 cm⁻², BPD ≤ 1.500 cm⁻²).
| Parameter | 4H-SiC (Einkristall) | 6H-SiC (Einkristall) |
|---|---|---|
| Gitterparameter | a=3,076 Å, c=10,053 Å | a=3,073 Å, c=15,117 Å |
| Stapelreihenfolge | ABCB | ACB |
| Mohs-Härte | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Dichte | 3,21 g/cm³ | 3,21 g/cm³ |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 4-5*10⁻⁶/K | 4-5*10⁻⁶/K |
| Brechungsindex bei 750 nm | n₀=2,61, nₑ=2,66 | n₀=2,60, nₑ=2,65 |
| Dielektrizitätskonstante | c~9,66 | c~9,66 |
| Wärmeleitfähigkeit (N-Typ) | a~4,2 W/cm·K bei 298 K | ca. 3,7 W/cm·K bei 298 K |
| Wärmeleitfähigkeit (halbisolierend) | a~4,9 W/cm·K bei 298 K | ca. 3,9 W/cm·K bei 298 K |
| Bandlücke | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Zusammenbruch des elektrischen Feldes | 3-5*10⁶ V/cm | 3-5*10⁶ V/cm |
| Sättigungsdriftgeschwindigkeit | 2,0*10⁵ m/s | 2,0*10⁵ m/s |
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Erhältlich in den Stärken 0,33 mm oder 0,43 mm.
Hochreine Einkristallstrukturen für die Leistungselektronik.
ermöglichen bessere Skaleneffekte im Vergleich zur 100-mm-Gerätefertigung.
Wir bieten umfassende Anpassungsmöglichkeiten, darunter:
| Größe | Dicke | Typ | Grad |
|---|---|---|---|
| 2 Zoll | 330μm | 4H-N/4H-Halb/6H-Halb | Dummy/Forschung/Produktion |
| 3 Zoll | 350 μm | 4H-N/4H-Semi-HPSI | Dummy/Forschung/Produktion |
| 4 Zoll | 350μm | 4H-N/500μm HPSI | Dummy/Forschung/Produktion |
| 6 Zoll | 350 μm | 4H-N/500μm 4H-Semi | Dummy/Forschung/Produktion |
Detaillierte technische Spezifikationen finden Sie in unserem technischen PDF zum 150-mm-Siliziumkarbid-Wafer.
Wenn Sie über ein eigenes Kurierkonto bei DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS oder SF Express verfügen, können wir als Ihr Spediteur fungieren.
T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, Akkreditiv. Bankgebühren: ≤ 1.000 USD für Western Union; T/T über 1000 USD erfordert eine telegrafische Überweisung.
Wir können Materialspezifikationen, Größenparameter und optische Beschichtungen an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen.