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  [4H SiC ]

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Besorgen 4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell Online-Herstellung

4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

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Besorgen 4H-N SiC-Substrat Silizium-Kohlenstoff-Substrat Quadrat 5mm*5mm individuell angepasste Dicke 350um Prime Grade/ Dummy Grade Online-Herstellung

4H-N SiC-Substrat Silizium-Kohlenstoff-Substrat Quadrat 5mm*5mm individuell angepasste Dicke 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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Besorgen 2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm Online-Herstellung

2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

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Besorgen Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm Online-Herstellung

Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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Besorgen SiC-Samen-Wafer 6

SiC-Samen-Wafer 6" 8" 4H-N-Typ Produktionsgrad Dummy-Grad für SiC-Wafer-Wachstum

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Besorgen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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Besorgen 4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer Online-Herstellung

4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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Besorgen 12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern Online-Herstellung

12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern

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Besorgen Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte Online-Herstellung

Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte

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Besorgen Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille Online-Herstellung

Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille

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Besorgen 6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm Online-Herstellung Video

6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

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Besorgen 4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch Online-Herstellung

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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Besorgen 6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen Online-Herstellung

Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen

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Besorgen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online-Herstellung

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Besorgen 4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device Online-Herstellung

4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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Besorgen 8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser Online-Herstellung

8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

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Besorgen SiC Epitaxial Wafer Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-N Online-Herstellung Video

SiC Epitaxial Wafer Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-N

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Besorgen 2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad Online-Herstellung

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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Besorgen 4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm Online-Herstellung

4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm

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Besorgen 2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse Online-Herstellung

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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Besorgen 4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate Online-Herstellung

4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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Besorgen CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Online-Herstellung

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Besorgen 8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um Online-Herstellung

8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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Besorgen ​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​ Online-Herstellung

​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

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Besorgen Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik Online-Herstellung

Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik

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Besorgen Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch Online-Herstellung

Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch

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Besorgen SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum Online-Herstellung

SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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