Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ & 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Qualität Dia 4 Zoll 6 Zoll

Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Abstrakt

Diese Studie untersucht die Eigenschaften und Anwendungen von Siliziumkarbid (SiC) -Wafern sowohl in 6H- als auch in 4H-P-Typen.mit Schwerpunkt auf Wafern mit Zero Micropipe Density (Zero MPD) in Produktions- und Dummy-Klasse mit einem Durchmesser von 4 Zoll und 6 ZollDie 6H- und 4H-P-Type SiC-Wafer besitzen einzigartige kristalline Strukturen, bieten hohe Wärmeleitfähigkeit, große Bandbreiten und eine hervorragende Beständigkeit gegen hohe Temperaturen, Spannungen und Strahlung.Diese Eigenschaften machen sie ideal für Hochleistungsanwendungen wie LeistungselektronikDie Eigenschaft von Zero MPD verbessert die Qualität der Wafer durch die Beseitigung von Mikropipes.die die Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts erheblich verbessertDieses Papier beschreibt detailliert den Herstellungsprozess, die Materialeigenschaften und die möglichen Anwendungsfälle dieser SiC-Wafer in fortschrittlichen elektronischen Systemen, insbesondere für hocheffiziente Leistungseinrichtungen.HF-Komponenten, und andere industrielle Anwendungen, für die robuste Halbleitersubstrate erforderlich sind.

Datendiagramm für Silicon Carbide Wafer 6H P-Type und 4H P-Type

4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation

Grad			精选级 ((Z 级) Null MPD-Produktion Klasse (Klasse Z)	工业级 (P 级) Standardproduktion Klasse (Klasse P)	测试级 ((D 级) Nicht-Fächer (D-Klasse)
Durchmesser			99.5 mm bis 100 mm
厚度 Dicke			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Waferorientierung			Abseits der Achse: 2,0° bis 4,0° nach vorne [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, auf der Achse:
微管密度 ※ Mikropipe Dichte			0 cm bis 2
电 阻 率 ※ Widerstand	P-Typ 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω·cm		≤ 0,3 Ω·cm
	n-Typ 3C-N		≤ 0,8 mΩ·cm		≤ 1 m Ω ̊cm
Hauptposition边方向primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Primär Flachlänge			32.5 mm ± 2,0 mm
次定位边长度 Sekundär Flachlänge			18.0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ± 5,0°
边缘去除 Edge Ausschluss			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp			Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden.		Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm
Oberflächenrauheit ※ Rauheit			Polnische Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Rand Risse durch hohe Intensität Licht			Keine		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Hexplatten durch hochintensives Licht			Kumulative Fläche ≤ 0,05%		Kumulative Fläche ≤ 0,1%
Mehrfache (Stronglight) ※ Polytypische Bereiche durch hochintensives Licht			Keine		Kumulative Fläche ≤ 3%
Sichtbarer Kohlenstoff-Einschlüsse			Kumulative Fläche ≤ 0,05%		Kumulative Fläche ≤ 3%
# Silikon-Oberflächenkratzer durch hochintensives Licht			Keine		Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
崩边 ((强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light (Schnittstücke mit hoher Lichtintensität)			Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm		5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm
面污染物 ((强光灯观测) Silikon Oberflächenverschmutzung durch hohe Intensität			Keine
包装 Verpackung			Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter

Eigenschaften von Silicon Carbide Wafer 6H P-Type und 4H P-Type

Die Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) -Wafern sowohl in 6H- als auch in 4H-P-Typen-Polytypen, insbesondere mit Zero Micropipe Density (Zero MPD) -Produktion und Dummy-Klassen, sind wie folgt:

Kristallstruktur:

6H-SiC: Hexagonale Struktur mit sechs Doppelschichten, die eine geringere Elektronenmobilität, aber eine höhere Wärmeleitfähigkeit bietet.

4H-SiC: Hexagonale Struktur mit vier Doppelschichten, die eine höhere Elektronenmobilität und eine bessere Leistung in Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräten bietet.

P-Typ-Leitfähigkeit:

Beide Wafer werden doppiert, um eine P-Typ-Leitfähigkeit (Akzeptorverunreinigungen wie Bor oder Aluminium) zu erzeugen, was sie ideal für Antriebe macht, die den Fluss von Positivladungsträgern (Löchern) erfordern.

Null Mikropipendichte (Null MPD):

Diese Wafer werden ohne Mikroreifen hergestellt, was zu Defekten führt, die die Zuverlässigkeit der Geräte schwächen können.

Weite Bandbreite:

Beide Polytypen verfügen über große Bandbreiten, wobei 4H-SiC bei 3,26 eV und 6H-SiC bei 3,0 eV arbeiten können, was den Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen ermöglicht.

Wärmeleitfähigkeit:

SiC-Wafer besitzen eine hohe Wärmeleitfähigkeit, die für eine effiziente Wärmeableitung in Hochleistungselektronik von entscheidender Bedeutung ist.

Hochspannung:

Sowohl 6H- als auch 4H-SiC-Wafer verfügen über hochauflösende elektrische Felder, die sie für Hochspannungsanwendungen geeignet machen.

Durchmesser:

Die Wafer sind in 4- und 6-Zoll-Durchmessern erhältlich und unterstützen verschiedene Gerätefertigungsgrößen und Industriestandards.

Diese Eigenschaften machen 6H- und 4H-P-Type-SiC-Wafer mit Null MPD für Hochleistungselektronik, HF-Geräte und Anwendungen in extremen Umgebungen unerlässlich.

Ausstellung von Silicon Carbide Wafer 6H P-Type und 4H P-Type

Anwendung von Siliconcarbide Wafer 6H P-Type und 4H P-Type

Die 6H- und 4H-P-Type-Silikonkarbid- (SiC) -Wafer mit Null-Mikropipendichte (Null-MPD) haben aufgrund ihrer überlegenen elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften vielfältige Anwendungen.Zu den wichtigsten Anwendungen gehören:

Elektroelektronik:

Sowohl 6H- als auch 4H-SiC-Wafer werden in leistungsstarken elektronischen Geräten wie MOSFETs, Schottky-Dioden und Thyristoren verwendet.Systeme für erneuerbare Energien (Solarumrichter), Windenergieanlagen) und industrielle Stromversorgungssysteme aufgrund ihrer Fähigkeit, hohe Spannungen, Temperaturen und Effizienz zu bewältigen.

Hochfrequenzgeräte:

4H-SiC ist mit seiner höheren Elektronenmobilität besonders für HF- und Mikrowellengeräte geeignet, die in Radarsystemen, Satellitenkommunikation und drahtloser Infrastruktur eingesetzt werden.Diese Geräte profitieren von der Fähigkeit von SiC, bei hohen Frequenzen mit geringem Energieverlust zu arbeiten.

Luft- und Raumfahrt:

Die hohe Wärmeleitfähigkeit, Strahlungsbeständigkeit und Null MPD machen SiC-Wafer ideal für Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen wie Leistungsverstärker, Sensoren,und Kommunikationssysteme in extremen Umgebungen.

Elektrofahrzeuge:

SiC-Wafer sind wichtige Komponenten in Kraftfahrzeugen, einschließlich Bordladegeräten und Wechselrichter, die die Energieeffizienz verbessern, die Reichweite erhöhen und die Wärmeerzeugung in Elektroautos reduzieren.

Hochtemperaturelektronik:

Die Fähigkeit von SiC-Wafern, hohen Temperaturen ohne Abbau standzuhalten, macht sie ideal für Industrieanlagen, Öl- und Gasforschung,und Weltraumforschungssysteme, die in rauen thermischen Umgebungen zuverlässig arbeiten müssen.

Erneuerbare Energien:

SiC-basierte Stromversorgungseinrichtungen tragen dazu bei, die Effizienz der Energieumwandlung in Solar- und Windenergiesystemen zu erhöhen, indem sie Energieverluste minimieren und den Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen ermöglichen.

Medizinische Geräte:

SiC-Wafer werden auch in fortschrittlichen medizinischen Technologien eingesetzt, einschließlich leistungsstarker medizinischer Bildgebungsgeräte und Geräte, die langlebige, leistungsstarke Materialien erfordern.

Diese Anwendungen nutzen die Wafer für ihre hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und ihre Fähigkeit, unter extremen Bedingungen zu arbeiten, wodurch 6H- und 4H-P-Type-SiC-Wafer in modernster Technologie unverzichtbar sind.

Fragen und Antworten

- Was ist das?Was sind die verschiedenen Arten von Siliziumkarbid?

A: Siliziumcarbid (SiC) gibt es in mehreren Polytypen, die verschiedene Kristallstrukturen sind, die zu unterschiedlichen physikalischen und elektronischen Eigenschaften führen.

4H-SiC (hexagonal):

Struktur: Hexagonale Kristallstruktur mit einer vier-schichtigen Wiederholung.

Eigenschaften: Breite Bandbreite (3,26 eV), hohe Elektronenmobilität und hohe Auflösung des elektrischen Feldes.

Anwendungen: Vorzugsweise für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen wie Leistungselektronik, Elektrofahrzeuge und HF-Geräte aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Leistung.

6H-SiC (hexagonal):

Struktur: Sechseckige Kristallstruktur mit einer sechsschichtigen Wiederholung.

Eigenschaften: Leicht geringere Bandspannweite (3,0 eV) und geringere Elektronenmobilität im Vergleich zu 4H-SiC, bietet jedoch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Spannungsbeständigkeit.

Anwendungen: Verwendet in Leistungselektronik, Hochspannungsschaltern und Geräten, die eine hohe thermische Stabilität erfordern.

3C-SiC (Kubik):

Struktur: Kubische Kristallstruktur, auch Beta-SiC genannt.

Eigenschaften: hat eine kleinere Bandlücke (2,3 eV) und zeigt eine hohe Elektronenmobilität, ist aber weniger thermisch stabil als die hexagonalen Formen.

Anwendungen: Häufig in optoelektronischen Geräten, Sensoren und mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) eingesetzt.

15R-SiC (rhomboeder):

Struktur: Rhomboedrische Kristallstruktur mit einer 15-schichtigen Wiederholung.

Eigenschaften: Es hat eine mittlere Bandlücke (2.86 eV) und Elektronenmobilität zwischen 4H und 6H-SiC, wird jedoch seltener verwendet.

Anwendungen: selten in kommerziellen Anwendungen eingesetzt aufgrund der begrenzten Verfügbarkeit und weniger günstigen Eigenschaften im Vergleich zu 4H- und 6H-Polytypen.

Andere Polytypen (z. B. 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Es gibt mehr als 200 bekannte Polytypen von SiC, aber diese sind seltener und werden in kommerziellen Anwendungen nicht weit verbreitet.Sie haben einzigartige Stapelfolgen und Variationen ihrer elektronischen und thermischen Eigenschaften.

Wesentliche Unterschiede:

• Die Hauptunterschiede zwischen diesen Typen liegen in ihrer Stapelfolge, Bandgap-Energie, Elektronenmobilität und Eignung für verschiedene Anwendungen.Die kommerziell wichtigsten Typen sind 4H-SiC und 6H-SiC aufgrund ihrer überlegenen elektrischen Eigenschaften., hohe Wärmeleitfähigkeit und Fähigkeit, in Umgebungen mit hoher Leistung, hoher Frequenz und hoher Temperatur zu arbeiten.

Diese vielfältigen Polytypen machen Siliziumkarbid zu einem vielseitigen Material für verschiedene Hochleistungs-elektronische und industrielle Anwendungen.