Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Modellnummer: 6inch-001
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Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: by case by FOB
Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: innerhalb 40days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 50pcs/months
Anwendungen: |
Gerät, geführt, 5G, Detektor, Leistungselektronik |
Industrie: |
semicondctor Oblate |
Material: |
Halbleiter sic |
Farbe: |
grün oder weiß oder blau |
Härte: |
9,0 |
Art: |
4H, 6H, lackiert, NO-lackiert, |
Anwendungen: |
Gerät, geführt, 5G, Detektor, Leistungselektronik |
Industrie: |
semicondctor Oblate |
Material: |
Halbleiter sic |
Farbe: |
grün oder weiß oder blau |
Härte: |
9,0 |
Art: |
4H, 6H, lackiert, NO-lackiert, |
Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC
Oblate Substrates 350um 6inch 4H-N 500mm sic für Pulvergerät
| 6 Zoll Durchmesser, Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation | ||||||||
| Grad | Nullmpd-Grad | Produktions-Grad | Forschungs-Grad | Blinder Grad | ||||
| Durchmesser | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
| ThicknessΔ | 350 μm±25μm oder 500±25un | |||||||
| Oblaten-Orientierung | Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu< 1120=""> ±0.5° für 4 H-N On die Achse: <0001> ±0.5° für 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Primärebene | {10-10} ±5.0° | |||||||
| Flache hauptsächlichlänge | 47,5 mm±2.5 Millimeter | |||||||
| Randausschluß | 3 Millimeter | |||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
| Micropipe-Dichte | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
| Widerstandskraft | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| Rauheit | Polnisches Ra≤1 Nanometer | |||||||
| CMP Ra≤0.5 Nanometer | ||||||||
| Sprünge durch Licht der hohen Intensität | Kein | 1 gewährt, ≤2 Millimeter | Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm | |||||
| Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤2% | Kumulativer Bereich ≤5% | |||||
| Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität | Kein | Kumulatives area≤2% | Kumulatives area≤5% | |||||
| Kratzer durch Licht der hohen Intensität | 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | |||||
| Randchip | Kein | 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder | 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder | |||||
| Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität | Kein | |||||||
