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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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Guter Preis 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online
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Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung

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Besorgen 4H-SEMI SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350µm 500µm Prime/Dummy Grade AR-Gläser Optische Güte Online-Herstellung Video

4H-SEMI SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350µm 500µm Prime/Dummy Grade AR-Gläser Optische Güte

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6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat für AR-Brillen, optische Qualität

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2 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 350um 500um SiC Wafer Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Online-Herstellung Video

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung

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6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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