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4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter

Name: 4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	4H-N SiC
MOQ:	25
Preis:	Fluctuates with market
Lieferzeit:	4-9 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai, China

Grundmaterial:

SIC

Größe:

Besonders angefertigt entsprechend Zeichnung

Dicke:

Maßgeschneidert

Form:

Rund, quadratisch oder nach Maß

Oberfläche:

Poliert oder je nach Anwendung

Kerben lokalisieren:

Menge, Größe und Position anpassbar

Produkt-Beschreibung

Informationen über 4H-N SiC

Diese hochreine 4H-N-Siliziumkarbid (4H-N SiC) -Wafer ist ein Einzelkristall-Substrat, das für die Herstellung von Leistungshalbleitergeräten hergestellt wird, die eine hohe Abbruchspannung erfordern,hohe WärmeleitfähigkeitDas Produkt zeichnet sich durch einen kreisförmigen Einzelkristallkörper, eine präzise Dickenkontrolle, eine epi-bereite polierte Oberfläche,mit einer elektrischen Spannung von mehr als 10 W, und eine sorgfältig geformte Waferkante.

Anstatt eine einfache Flachscheibe zu sein, enthält die Wafer mehrere präzise gesteuerte Materialparameter, die ein konsistentes epitaxielles Wachstum, zuverlässige Geräteleistung,einheitliche elektrische EigenschaftenDie Epi-Ready-Oberfläche bietet eine defektarme Basis für die anschließende epitaxielle Ablagerung.während die kontrollierte Achsenorientierung beim Wachstum des Stufenflusses helfen und die definierte kristalline Qualität im gesamten Bereich des aktiven Geräts aufrechterhalten kann. 4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter

Die Wafer-Spezifikation umfasst mehrere anpassbare Parameter und Toleranzkontrollen, die so konzipiert werden können, dass sie den entsprechenden Fertigungsprozessen, den Anforderungen an das epitaxiale Wachstum, den Anforderungen an die Verarbeitung und die Verarbeitung von Geräten entsprechen.Standards für Lithographie-AusrüstungDurchmesser, Dicke, Winkel außerhalb der Achse, Widerstandsbereich, Dopingkonzentration, Oberflächenveredelung, Randprofil, Flachheit (TTV),und Bogen / Warp können alle nach den technischen Spezifikationen des Kunden angepasst werden.

Diese 4H-N SiC-Wafer eignet sich für Leistungs-MOSFETs, Schottky-Barrieredioden, IGBTs, bipolare Verbindungstransistoren und andere Leistungs-Halbleitergeräte, die in Traktionsumrichtern von Elektrofahrzeugen verwendet werden,Umwandler für erneuerbare Energien (Solar und Wind), industrielle Antriebe, ununterbrochene Stromversorgungen, Hochspannungsschaltsystemen,und Hochtemperatur-elektronische Anwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumsubstrate auf Abbruchspannung stoßen können, Wärmeleitfähigkeit oder Schaltfrequenzbeschränkungen.

Technische Spezifikation

Artikel	Spezifikation
Erzeugnis	4H-N SiC Substrat / Wafer
Material	4H N-Siliziumkarbid Einzelkristall
Wachstumsmethode	Physischer Dampftransport (PVT)
Kristallstruktur	Hexagonal (4H-SiC-Polytyp)
Durchmesser	4" / 6" / 8" oder angepasst
Stärke	Zusammengestellte (z. B. 350 μm ± 1000 μm)
Orientierung	(0001) Si-Gesicht / C-Gesicht, anpassbarer Winkel außerhalb der Achse (typischerweise 4° / 8° in Richtung <11-20>)
Oberflächenbearbeitung	SSP (einseitig poliert) / DSP (zweiseitig poliert) / Lapped / Ground
Oberflächenqualität	Scratch-Dig pro SEMI-Standard (z. B. 40/20, 20/10)
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 5 μm (oder je Kundenanforderung)
Bogen / Warp	Poliert: ≤ 0,2 nm / Lapped: ≤ 0,5 μm
Rauheit (Ra)	Poliert: ≤ 0,2 nm / Lapped: ≤ 0,5 μm
Typ der Kante	Nach Bedarf abgerundet
Flachlänge	Individuell (nach SEMI-Standard oder Zeichnung des Kunden)
Randprofil	Nach Bedarf abgerundet
Dopant / Reinheit	mit Stickstoff bestückt, N-Typ, hochreiner Einzelkristall
Beschichtung	Nicht beschichtet / Funktionsbeschichtung auf Anfrage erhältlich
Anwendung	Leistungs-MOSFET, SBD, EV-Traktionsumrichter, Umrichter für erneuerbare Energien, industrielle Stromversorgung, Hochtemperaturelektronik

Warum 4H-N SiC-Substrate für Leistungshalbleiteranwendungen wählen?

4H-N SiC-Substrate sind fortschrittliche Breitband-Kern-Grundmaterialien, die in der Leistungshalbleiter-Epitaxie, in der Herstellung von Hochspannungs-elektronischen Geräten,und neue Energiesysteme zur EnergieverarbeitungSie dienen als optimaler Träger für das Wachstum der epitaxialen Schichten von GaN und SiC und arbeiten in extremen Produktionsumgebungen mit ultrahoher Spannung, Hochfrequenzschaltung, starker Strombelastung,und langfristiger Hochtemperaturbetrieb.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-, Saphir- und gewöhnlichen keramischen Substratmaterialien bieten hochreine 4H-N-SiC-Einkristallsubstrate überlegene physikalische und elektrische Eigenschaften.sie unersetzlich machen für Hochleistungs-Halbleiter und neue Energie-IndustrieprozesseZu den wichtigsten Vorteilen gehören:

Extreme Hochtemperaturstabilität: Mit einem Schmelzpunkt von bis zu 2830°C hält es eine stabile Kristallstruktur und elektrische Leistung bei langfristiger Hochtemperatur-Epitaxie, Glühen und Gerätebetrieb,Wirksam zu vermeiden, dass das Substrat ausfällt und die Leistungsanlage thermisch ausläuft. 4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter

Ultrahohe Abbruchspannung: 4H-N SiC unterstützt mit einem 10x höheren Aufschlag elektrischen Feld als Siliziummaterialien Ultra-Hochspannungsgerätedesign, was die Chipdicke erheblich reduziert

und Miniaturisierung von Hochleistungsmodulen.

Überlegene Wärmeleitfähigkeit: Mit einer Wärmeleitfähigkeit, die das 3- bis 4-fache des Siliziums beträgt, löst es die Betriebswärme von Kraftgeräten rasch ab.Wirksam Senkung der Knotentemperatur und Verbesserung der Dauerstabilität der Anlagen.

Ausgezeichnete Hochfrequenzleistung: Niedrige Schaltverluste und geringe parasitäre Kapazität ermöglichen einen stabilen Betrieb unter Hochfrequenzschaltbedingungen, was die Energie wesentlich verbessert.

gy Umwandlungseffizienz für Hochleistungsgeräte.

Stabile Leitungseigenschaften des N-Typs: Einheitliche Stickstoffdoping bietet eine gleichbleibende Leitungskraft mit geringer Widerstandsfähigkeit und sorgt für eine hervorragende Stromleitung und Erdungsleistung für vertikale Antriebseinrichtungen.

Überlegene chemische und Plasmabeständigkeit: Es widersteht der Korrosion durch verschiedene Halbleiterprozessgase und starke Plasma-Ätzerumgebungen und behält einen ultra-stabilen Oberflächenzustand während der Epitaksi, Ätzung und Dünnschichtdeposition.

Langfristige Zuverlässigkeit und Strahlungsbeständigkeit: mit hervorragender Strukturstabilität und Strahlenschutzfähigkeit, an harte Arbeitsbedingungen von neuen Energiefahrzeugen, Luft- und Raumfahrt- und industriellen Hochleistungsgeräten angepasst,Verlängerung der Lebensdauer des Geräts.

Aus den vorstehenden Gründen sind 4H-N SiC-Substrate zum bevorzugten Hauptmaterial für MOSFETs, Schottky-Dioden, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichermodule,mit einer Breite von mehr als 20 mm, jedoch nicht mehr als 30 mm.

Herstellung von 4H-N-SiC-Substraten

Wir sind spezialisiert auf die individuelle und standardisierte Herstellung von 4H-N SiC-Substraten für Leistungshalbleiter und optoelektronische Geräte,mit Schwerpunkt auf hochpräzisen maßgeschneiderten Lösungen für die industrielle Massenproduktion und die Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im LaborWir überwinden die Grenzen festgelegter Standardspezifikationen und passen SiC-Substrate vollständig an die tatsächlichen Epitaxiprozessparameter der Kunden an.Anforderungen an die Herstellung von Wafern und Konstruktionsnormen für Geräte.

Die umfassenden Anpassungsmöglichkeiten umfassen die Parameter des gesamten Prozesssubstrats und die Stützstrukturen:

4H-N SiC Substrat Kernparameter

Waferdurchmesser (2/4/6/8 Zoll und spezielle Maßgrößen)

Substratdicke

Kristallorientierung (Si-Gesicht / C-Gesicht, anpassbarer Winkel außerhalb der Achse 0°8°)

Widerstandsbereich und Stickstoffdopingkonzentration

Grenzform und Gelenkspezifikation

Flat/Notch-Positionierung

Oberflächenrauheit, Flachheit, TTV und Warp-/Bogenindikatoren

Doppelseitige/polierte einseitige Anforderungen (SSP/DSP)

Ultra-reine Oberflächenbehandlung und Bearbeitung zur Belastungsentlastung

Entsprechende Strukturkomponenten

Anpassung der Waferträgergröße

Verarbeitung von Positionslöchern und Rillen

Metallvergleichsbasis und -hülle

Spezifikationen für die Montage und Befestigung von Schnittstellen

integrierte Montage von Substraten und Hilfsteilen

Wir können fertige integrierte Komponenten liefern, die mit 4H-N SiC-Substraten und passenden Metall-/Keramikteilen zusammengebaut sind, um den Bedürfnissen der Kunden für die direkte Installation und Verwendung gerecht zu werden.

Ersatz- und Umkehrtechnikdienst

für nicht mehr hergestellte 4H-N SiC-Substrate, schwer zu erhaltende Originalwafer und nicht standardmäßige kundenspezifische Substrate für spezielle HalbleiterprozessgeräteWir bieten professionelle Reverse Engineering und Ersatzteilherstellung DienstleistungenDie Kunden können folgende Informationen zur Bewertung und Angebotserstellung bereitstellen:

Nummer des Originalgeräteteils

Ausführliche technische Zeichnungen und Parameterbeschreibungen

Übersichtliche Produktfotos und physikalische Proben (neu/verwendet)

Kennmaß-, Kristall- und elektrische Parameterdaten

Unterstützendes Epitaksie-Gerätemodell und Chargeninformationen

Spezifische Anwendungsszenarien und Prozessumgebungsparameter

Unser professionelles Ingenieursteam wird eine umfassende Bewertung der Kristallqualität des Substrats, der elektrischen Leistung,Schwierigkeiten bei der Verarbeitung und Machbarkeit der Herstellung vor dem offiziellen AngebotAlle angepassten Ersatz-SiC-Substrate werden für die Epitaxykompatibilität und den Geräteertrag optimiert.Die endgültige Übereinstimmungsleistung ist nach den tatsächlichen Ausrüstungskonfigurations- und Produktionsprozessnormen der Kunden zu bestätigen, um einen Nullunterschied im Gebrauchseffekt zu gewährleisten..

Qualitätskontrolle

Wir führen eine vollständige Qualitätsprüfung für alle 4H-N SiC Substrate durch.und kann zielgerichtete Inspektionspunkte und vollständige Prüfberichte gemäß den Anforderungen des Kundenprojekts und den SEMI-Industriestandards bereitstellenZu den wichtigsten Kontrollinhalten gehören:

Volldimensionale Präzisionskontrolle (Durchmesser, Dicke, Toleranzkalibrierung)

Messung der Kristallorientierung und der genauen Winkelgenauigkeit außerhalb der Achse 4H-N SiC：Kundenspezifische Dicke SSP/DSP-Politur verfügbar PV- und Energiespeicher-Wechselrichter

Prüfungen der Einheitlichkeit der Resistivität und der Dopingkonzentration

Prüfung der Oberflächenflachheit, der TTV, der Bogen-/Worp- und der Rauheit

Sichtfehlerkontrolle (Kratzer, Gruben, Risse, Einschlüsse von Polytypen)

Oberflächenreinheit und interne Belastungsmessung

Prüfung der Montagepräzision und der Abgleichstoleranzen

Professionelle Kontrollen der Kollisions- und Staubdichte-Waferverpackungen

Für die Überprüfung der von den Kunden eingehenden Materialien und die Rückverfolgbarkeit der Produktionsqualität können formelle Inspektionsberichte mit vollständigen Prüfdaten bereitgestellt werden.

Welche Informationen sollten Sie für ein Angebot senden?

Zur Gewährleistung eines genauen Angebots und Verkürzung des Lieferzyklus geben Sie bitte folgende detaillierte Angaben an

Informationen bei der Abfrage:

Vollständige technische Zeichnungen und Parameterblätter

Anforderungen an Durchmesser, Dicke und Toleranz des Substrats

Kristallorientierung, Winkel außerhalb der Achse und Widerstandsbereich

Oberflächenveredelung, Polierklasse und Reinheitsanforderungen

Parameter der passenden Hilfsbauteile (falls vorhanden)

Marke und Modell der Epitaxy-Ausrüstung und unterstützende Prozessbedingungen

Originalteilnummer des OEM, falls vorhanden

Notwendige Menge und Nachfrage nach Chargen

Spezifisches Antragsverfahren und extreme Umweltanforderungen

Wenn keine vollständigen technischen Zeichnungen vorliegen, stellen Sie bitte klare hochauflösende Fotos und physikalische Proben des SiC-Substrats zur Verfügung, damit unser Team Parameterprüfungen und Schemabewertungen durchführen kann.

Häufig gestellte Fragen

Wofür werden 4H-N SiC-Substrate hauptsächlich verwendet?

4H-N-SiC-Substrate sind Kernbreitbandträgermaterialien für die Herstellung von Leistungshalbleitern, die hauptsächlich in SiC-MOSFETs, Schottky-Schrankendioden, Hochspannungs-Leistungsmodulen,elektrische Steuerungssysteme für neue Energiefahrzeuge, Photovoltaik-Windkraftumrichter, industrielle Hochfrequenz-Stromversorgungen und Luftfahrt-Hochtemperatur-Elektronikgeräte, geeignet für Hochspannung,Hochfrequenz- und Hochwärmefluss-Epitaxy- und Chipfertigungsprozesse.

Können Sie maßgeschneiderte integrierte SiC-Substratbauteile liefern?

Zusätzlich zu einzelnen 4H-N SiC-Substrat-Wafern können wir verschiedene passende Wafer-Lösungen, Metallbasen,Positionierungskomponenten und fertige integrierte Baugruppen gemäß Zeichnungen und Musteranforderungen, um eine einheitliche Versorgung zu realisieren.

Können Sie Ersatz-SiC-Substrate für alte und spezielle Geräte herstellen?

Ja, wir unterstützen eine vollständige kundenspezifische Fertigung, einschließlich Zeichnungs- und Probe-Reverse Engineering.physische Proben und Ausrüstungsinformationen, und unser Team wird die Leistungsabgleichung und die alternative Fertigung abschließen.

Können alle Kernparameter von 4H-N SiC-Substraten angepasst werden?

Ja, alle wichtigen Parameter, einschließlich Wafergröße, Dicke, Kristallorientierung, Winkel außerhalb der Achse, Widerstand, Randverarbeitung,Oberflächenrauheit und Flachheit können vollständig nach den Anforderungen des Kunden-Epitaxy-Prozesses angepasst werden, um den individuellen F&E- und Massenproduktionsanforderungen gerecht zu werden.

Unterstützen Sie die Bestellung von Prototypen und Kleinserien?

Ja, wir unterstützen die Entwicklung von Prototypen, Labortests, den Ersatz von Geräten und die Massenproduktion.Wir bewerten das Produktionsschema und das Angebot nach den maßgeschneiderten Parametern und der Verarbeitungsschwierigkeit.

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate