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Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
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Besorgen SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum Online-Herstellung

SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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Besorgen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online-Herstellung

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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Besorgen XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels Online-Herstellung

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

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Besorgen 12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse Online-Herstellung

12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse

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Besorgen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität Online-Herstellung

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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Besorgen 2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren Online-Herstellung

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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Besorgen SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze Online-Herstellung

SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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Besorgen SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen Online-Herstellung

SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen

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Besorgen ​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​ Online-Herstellung

​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

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Besorgen 6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat für AR-Brillen, optische Qualität Online-Herstellung

6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat für AR-Brillen, optische Qualität

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Besorgen SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung Online-Herstellung Video

SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung

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Besorgen 4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Online-Herstellung Video

4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer

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Besorgen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Besorgen Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung Online-Herstellung

Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung

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Besorgen 4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ Online-Herstellung

4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Besorgen ​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​ Online-Herstellung Video

​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​

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Guter Preis ​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​ Online
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Besorgen 100um 170um 200um DSP Sapphire Wafers Ultrathin Thickness 2inch Online-Herstellung Video

100um 170um 200um DSP Sapphire Wafers Ultrathin Thickness 2inch

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Besorgen Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C Online-Herstellung Video

Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C

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Besorgen 6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren Online-Herstellung

6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren

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Besorgen Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien Online-Herstellung Video

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

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Besorgen Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C Online-Herstellung

Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C

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Besorgen Vollautomatische Präzisions-Säge-Ausrüstung für das Schneiden von Wafern mit 8 bis 12 Zoll Online-Herstellung Video

Vollautomatische Präzisions-Säge-Ausrüstung für das Schneiden von Wafern mit 8 bis 12 Zoll

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Besorgen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Besorgen Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden Online-Herstellung

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

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Besorgen SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum Online-Herstellung

SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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Besorgen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online-Herstellung

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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Besorgen XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels Online-Herstellung

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Besorgen 12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse Online-Herstellung

12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse

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