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XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

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XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​
​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​

Großes Bild :  XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: Waferorientierungsinstrument
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 3
Preis: by case
Verpackung Informationen: Paket in der 100-Grad-Reinigung
Lieferzeit: 3-6 Monate
Zahlungsbedingungen: t/t
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück pro Monat
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Röntgensystem​​: Röntgenröhre Sample Size: Wafer: 2×12 Zoll; Ingot: ≤ 200 mm (Durchmesser) × 500 mm (Länge)
Winkelbereich: θ: -10° bis +50°, 2θ: -10° bis +110° Orientierungsgenauigkeit: ±10′′ ±30′′ (modelle mit hoher Präzision: ±3′′)
Mehrachsige Bewegung: X/Y/Z-Achsen-Positionierung, 360° Drehung ±15°, Neigungssteuerung Geschwindigkeit des Scannens: Volle Orientierung in 10 Sekunden (vollständig automatisiert)
Anwendungen: Halbleiterfertigung, Optische Materialbearbeitung
Hervorheben:

Schnittwinkelbestimmung Waferorientierungsinstrument

,

Hochpräzise Wafer-Orientierungsinstrument

 Übersicht über die Ausrüstung für Waferorientierungsinstrumente

  

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels 0

 

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

 

 

Ein Wafer-Orientierungsinstrument ist ein hochpräzises Gerät, das auf der Röntgendiffraktionstechnologie (XRD) basiert.für die Halbleiter- und optische Materialindustrie zur Bestimmung der Kristallgitterorientierung und des Schneidwinkels bestimmtZu den Kernkomponenten gehören:

 

  • Röntgen-Generationssystem: Kupfer- oder Molybdän-Röntgenröhren mit Brennpunktgröße 0,4 × 1 mm, Rohrspannung 30 ∼ 50 kV und Rohrstrom 0 ∼ 5 mA.
  • Goniometer: Dual-Axis (Ω-θ) Verknüpfungsdesign, das eine Winkeloplösung von ±0,001° und eine Schaukelkurvenanalyse unterstützt.
  • Probenstufe: V-Rohr- oder ebenen Ausrichtung, kompatibel mit 2 ′′12-Zoll-Wafern und großen Ingots (≤20 kg).
  • Automatisierungsmodul: Stapelvorrichtung für die gleichzeitige Positionierung von 12 Ingots zur Steigerung der Produktionseffizienz.

 

 


 

Umfassende technische Spezifikationen des Waferorientierungsinstruments


 

- Ich weiß.Parameterkategorie Parameter Spezifikationen/Beschreibung
Röntgen-System.


 
Röntgenröhre Kupfer (Cu) Ziel, Brennpunkt 0,4 × 1 mm, luftgekühlt
Röntgenspannung/Strom 30 kV, 0 ̊5 mA einstellbar
Detektortyp Geiger-Müller-Röhre (niedrige Energie) oder Szintillierungszähler (hohe Energie)
Zeitkonstante 0.1/0.4/3 Sek verstellbar
Goniometer.



 
Stichprobengröße Wafer: 2×12 Zoll; Ingot: ≤ 200 mm (Durchmesser) × 500 mm (Länge)
Winkelbereich θ: -10° bis +50°, 2θ: -10° bis +110°
Orientierungsgenauigkeit ±10′′ ±30′′ (modelle mit hoher Präzision: ±3′′)
Winkellösung Mindestlesung: 1′′ (digital) oder 10′′ (Skala)
Scanning Geschwindigkeit Volle Orientierung in 10 Sekunden (vollständig automatisiert)
Automatisierung und Steuerung

 
Probephase V-Groove (2 ′′ Wafer), Rand-/OF-Ausrichtung, Kapazität 1 ′′ 50 kg
Mehrsachsige Bewegung X/Y/Z-Achsenposition, 360° Drehung ±15°, Neigungskontrolle
Schnittstelle PLC/RS232/Ethernet, MES-kompatibel
Spezifikationen


 
Abmessungen 1130 × 650 × 1200 mm (L × W × H)
Gewicht 150~300 kg
Energiebedarf Einphasen 220V±10%, 50/60 Hz, ≤ 0,5 kW
Geräuschpegel < 65 dB (Betrieb)
Erweiterte Funktionen

 
Spannungskontrolle in geschlossener Schleife Echtzeitüberwachung, Spannungsregelung von 0,1 ∼1,0 MPa
KI-gesteuerte Optimierung Fehlererkennung, vorausschauende Wartungsalarme
Kompatibilität mit mehreren Materialien Unterstützt kubische (Si), sechseckige (Saphir) und asymmetrische Kristalle (YAG)

 

 


 

WaferorientierungsinstrumentArbeitsprinzip

 

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels 1

Das Gerät arbeitet mit Hilfe von Röntgendiffraktions- und Omega-Scanning-Technologien:

 

 

1. Röntgendiffraktion:

  • Röntgenstrahlen, die in Braggwinkel auf die Kristalloberfläche einfallen, erzeugen Beugungssignale, die die Berechnung des Gitterstandes und der Orientierung ermöglichen.
  • Das Scannen der Schaukelkurve bewertet Gitterfehler und Oberflächenspannung.

- Ich weiß.

 

2Omega-Scan:

  • Der Kristall dreht sich um eine feste Achse, während die Röntgenröhre und der Detektor stationär bleiben und dynamisch mehrwinklige Beugungsdaten für eine vollständige Gitterkartierung in 5 Sekunden sammeln.
  • Die integrierte X/Y/Z-Achsenbewegung ermöglicht eine 3D-Kristallographie.

- Ich weiß.

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels 2

3. Automatisierte Steuerung:

  • PLC- oder computergesteuerte Probenrotation und Datenerfassung, die vorgegebene Schnittparameter unterstützen (z. B. 8° oder 32° Schnitte bei Siliziumwafern).

 

 

 

 


 

Waferorientierungsinstrument Hauptmerkmale und Vorteile

 

 

- Ich weiß.Eigenschaft

 

Beschreibung

 

Technische Parameter/Fallstudien

 

Ultra-hohe Präzision.

 

Omega-Scannegenauigkeit ±0,001°, Auflösung der Schaukelkurve FWHM <0,005°

 

Schneidfehler von Siliziumkarbidwafer ≤ ± 0,5°

 

Hochgeschwindigkeitsmessung

- Ich weiß.

Einfach erfasst alle kristallographischen Daten, 200 mal schneller als manuell

 

Silikon-Wafer-Batchprüfung: 120 Wafer/Stunde

 

Kompatibilität mit mehreren Materialien

- Ich weiß.

Unterstützt kubische (Si), sechseckige (Saphir) und asymmetrische Kristalle (YAG)

 

Anwendbare Materialien: SiC, GaN, Quarz, Granat

 

Integration der KI

 

Deep-Learning-Algorithmen zur Fehlererkennung und Echtzeit-Prozessoptimierung

 

Die Fehlersortierung reduziert die Schrottquote auf < 1%

 

Moduläres Design

 

Erweiterbare X-Y-Plattform für 3D-Mapping oder EBSD-Integration

 

Silikonwafer-Dislokationsdichte nachweis ≤ 100 cm−2

 

 

 


 

 

WaferorientierungsinstrumentAnwendungsbereiche

 

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels 3

1. Halbleiterherstellung:

  • Silikon-Wafer-Schneiden: Bestimmt die Orientierung von <100> und <111> und minimiert den Schnittverlust (<5%).
  • Silikonkarbid (SiC) -Wafer: 8° Off-Cut-Prozess erhöht die Abbruchspannung des Geräts, Verlustrate <10%.

 

2. Verarbeitung optischer Materialien:

  • Saphirsubstrate: Schneidet LED-Chips mit einer Genauigkeit von ± 0,1°, um den Verlust der Lichtwirksamkeit zu verringern.
  • YAG-Laserkristalle: Präzises Schneiden von Laserresonatoroberflächen für eine höhere Strahlqualität.

 

3. Hochtemperaturlegierungen und Keramik:

  • Turbinenblätter: Die Orientierungssteuerung von Legierungen auf Nickelbasis verbessert die Hochtemperaturbeständigkeit (> 1200°C).
  • Zirkonia Ceramics: Schneidet Smartphone-Rückplatten mit einer Dicken-Einheitlichkeit von ±0,02 mm.

 

4Forschung und Qualitätskontrolle:

  • Kristalldefektanalyse: Die Dichte der Dislokation der Karten über Schaukelkurven (<103 cm−2).
  • Neue Materialforschung und Entwicklung: Bewertet die Gitterrichtung der Perovskit-Solarzellen für die Photovoltaikleistung.

 

 


 

WaferorientierungsinstrumentHäufig gestellte Fragen

 

 

1F: Wie kalibriert man ein Waferorientierungsinstrument?

A: Die Kalibrierung beinhaltet die Ausrichtung der Röntgenquelle und des Detektors mit Hilfe von Referenzkristallen, die in der Regel eine Winkelgenauigkeit von < 0,001 ° und automatische Softwarereinstellungen für die Präzision erfordern.

 

 

2. F: Welche Genauigkeit hat ein Wafer-Orientierungsinstrument?

A: High-End-Modelle erreichen eine Präzision von ±0,001°, was für das Schneiden von Halbleiterwafern und die Analyse von Kristallfehlern in Branchen wie Photovoltaik und fortgeschrittener Keramik von entscheidender Bedeutung ist.

 

 

 

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- Ich weiß.

 
 

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