Produktdetails:
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Röntgensystem: | Röntgenröhre | Sample Size: | Wafer: 2×12 Zoll; Ingot: ≤ 200 mm (Durchmesser) × 500 mm (Länge) |
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Winkelbereich: | θ: -10° bis +50°, 2θ: -10° bis +110° | Orientierungsgenauigkeit: | ±10′′ ±30′′ (modelle mit hoher Präzision: ±3′′) |
Mehrachsige Bewegung: | X/Y/Z-Achsen-Positionierung, 360° Drehung ±15°, Neigungssteuerung | Geschwindigkeit des Scannens: | Volle Orientierung in 10 Sekunden (vollständig automatisiert) |
Anwendungen: | Halbleiterfertigung, Optische Materialbearbeitung | ||
Hervorheben: | Schnittwinkelbestimmung Waferorientierungsinstrument,Hochpräzise Wafer-Orientierungsinstrument |
XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels
Ein Wafer-Orientierungsinstrument ist ein hochpräzises Gerät, das auf der Röntgendiffraktionstechnologie (XRD) basiert.für die Halbleiter- und optische Materialindustrie zur Bestimmung der Kristallgitterorientierung und des Schneidwinkels bestimmtZu den Kernkomponenten gehören:
- Ich weiß.Parameterkategorie | Parameter | Spezifikationen/Beschreibung |
Röntgen-System. |
Röntgenröhre | Kupfer (Cu) Ziel, Brennpunkt 0,4 × 1 mm, luftgekühlt |
Röntgenspannung/Strom | 30 kV, 0 ̊5 mA einstellbar | |
Detektortyp | Geiger-Müller-Röhre (niedrige Energie) oder Szintillierungszähler (hohe Energie) | |
Zeitkonstante | 0.1/0.4/3 Sek verstellbar | |
Goniometer. |
Stichprobengröße | Wafer: 2×12 Zoll; Ingot: ≤ 200 mm (Durchmesser) × 500 mm (Länge) |
Winkelbereich | θ: -10° bis +50°, 2θ: -10° bis +110° | |
Orientierungsgenauigkeit | ±10′′ ±30′′ (modelle mit hoher Präzision: ±3′′) | |
Winkellösung | Mindestlesung: 1′′ (digital) oder 10′′ (Skala) | |
Scanning Geschwindigkeit | Volle Orientierung in 10 Sekunden (vollständig automatisiert) | |
Automatisierung und Steuerung |
Probephase | V-Groove (2 ′′ Wafer), Rand-/OF-Ausrichtung, Kapazität 1 ′′ 50 kg |
Mehrsachsige Bewegung | X/Y/Z-Achsenposition, 360° Drehung ±15°, Neigungskontrolle | |
Schnittstelle | PLC/RS232/Ethernet, MES-kompatibel | |
Spezifikationen |
Abmessungen | 1130 × 650 × 1200 mm (L × W × H) |
Gewicht | 150~300 kg | |
Energiebedarf | Einphasen 220V±10%, 50/60 Hz, ≤ 0,5 kW | |
Geräuschpegel | < 65 dB (Betrieb) | |
Erweiterte Funktionen |
Spannungskontrolle in geschlossener Schleife | Echtzeitüberwachung, Spannungsregelung von 0,1 ∼1,0 MPa |
KI-gesteuerte Optimierung | Fehlererkennung, vorausschauende Wartungsalarme | |
Kompatibilität mit mehreren Materialien | Unterstützt kubische (Si), sechseckige (Saphir) und asymmetrische Kristalle (YAG) |
Das Gerät arbeitet mit Hilfe von Röntgendiffraktions- und Omega-Scanning-Technologien:
1. Röntgendiffraktion:
- Ich weiß.
2Omega-Scan:
- Ich weiß.
3. Automatisierte Steuerung:
- Ich weiß.Eigenschaft
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Beschreibung
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Technische Parameter/Fallstudien
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Ultra-hohe Präzision.
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Omega-Scannegenauigkeit ±0,001°, Auflösung der Schaukelkurve FWHM <0,005°
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Schneidfehler von Siliziumkarbidwafer ≤ ± 0,5°
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Hochgeschwindigkeitsmessung - Ich weiß. |
Einfach erfasst alle kristallographischen Daten, 200 mal schneller als manuell
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Silikon-Wafer-Batchprüfung: 120 Wafer/Stunde
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Kompatibilität mit mehreren Materialien - Ich weiß. |
Unterstützt kubische (Si), sechseckige (Saphir) und asymmetrische Kristalle (YAG)
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Anwendbare Materialien: SiC, GaN, Quarz, Granat
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Integration der KI
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Deep-Learning-Algorithmen zur Fehlererkennung und Echtzeit-Prozessoptimierung
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Die Fehlersortierung reduziert die Schrottquote auf < 1%
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Moduläres Design
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Erweiterbare X-Y-Plattform für 3D-Mapping oder EBSD-Integration
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Silikonwafer-Dislokationsdichte nachweis ≤ 100 cm−2
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1. Halbleiterherstellung:
2. Verarbeitung optischer Materialien:
3. Hochtemperaturlegierungen und Keramik:
4Forschung und Qualitätskontrolle:
1F: Wie kalibriert man ein Waferorientierungsinstrument?
A: Die Kalibrierung beinhaltet die Ausrichtung der Röntgenquelle und des Detektors mit Hilfe von Referenzkristallen, die in der Regel eine Winkelgenauigkeit von < 0,001 ° und automatische Softwarereinstellungen für die Präzision erfordern.
2. F: Welche Genauigkeit hat ein Wafer-Orientierungsinstrument?
A: High-End-Modelle erreichen eine Präzision von ±0,001°, was für das Schneiden von Halbleiterwafern und die Analyse von Kristallfehlern in Branchen wie Photovoltaik und fortgeschrittener Keramik von entscheidender Bedeutung ist.
Tags: #Waferorientierungsinstrument,#XRD-basiert, #Saphir, #SiC, #Hochpräzisionsschneiden, #Winkelbestimmung
- Ich weiß.
Ansprechpartner: Mr. Wang
Telefon: +8615801942596