Markenbezeichnung: | ZMSH |
Modellnummer: | 6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC |
MOQ: | 25pc |
Preis: | by case |
Lieferzeit: | in 30 Tagen |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Optische Güte 6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI Typ SiC Substrat für AR-Brillen
Ein revolutionäres optisches 4H-SiC-Substrat, das speziell für AR-Brillen entwickelt wurde, gezüchtet durch Physical Vapor Transport (PVT) und verfeinert durch Nano-Scale-Polieren und Low-Stress-Slicing. Dieses Produkt erreicht die weltweit erste Single-Layer-Waveguide-Vollfarb-Display-Lösung, die entscheidende Herausforderungen in der AR-Optik angeht:
Dieses Substrat definiert leichte, immersive AR-Erlebnisse neu und treibt die nächste Generation von AR-Brillen für Verbraucher an.
1. Hoher Brechungsindex mit geringer Dispersion
2. Ultra-niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE=3,7×10⁻⁶/K)
3. Nano-Scale-Oberflächenebenheit (Ra<0,2 nm)
4. Defektdichte <0,04/cm² (8 Zoll)
5. Großserienproduktion von 8 Zoll
1. AR-Linsen-Wellenleiter
2. Micro-LED-Displaymodule
3. AR-Optik-Stabilisierungssysteme
4. Thermisches Management von Smart Glasses
Kristallparameter | |
Typ | 4H |
Brechungsindex a | >2,6 @550nm |
Absorptionsvermögen a | ≤0,5 % @450-650nm |
MP-Transmission a (ohne Antireflexionsbedingungen) |
≥66,5% |
Trübung a | ≤0,3% |
Polymorphismus a | Nicht erlaubt |
Mikroröhrendichte | ≤0,5/cm² |
Dichte der hexagonalen Hohlräume | Nicht erlaubt |
Verunreinigungskorn auf hexagonal a | Nicht erlaubt |
MP-Einschluss a | Nicht erlaubt |
Mechanische Parameter | |
Durchmesser (Zoll) | 6 |
Oberflächenorientierung | (0001)±0,3° |
Kerb-Referenzkante | Kerbe |
Kerbenausrichtung | <1-100>±2° |
Kerbenwinkel | 90±5°/1° |
Kerbentiefe | 1 mm ±0,25 mm (-0 mm) |
Oberflächenbehandlung | C-Si-Seite (CMP) |
Waferkante | Fase |
Oberflächenrauheit (AFM) | Ra≤0,2 nm (5×5 µm Scanbereich) |
Dicke a (Tropel) | 500,0 µm ±25,0 µm |
LTV (Tropel) | ≤2 µm |
TTV a (Tropel) | ≤3 µm |
Durchbiegung a (Tropel) | ≤5 µm |
Verzug a (Tropel) | <15 µm |
1. F: Was sind die wichtigsten Vorteile von SiC-Substraten für AR-Brillen?
A: Hoher Brechungsindex (n=2,619@750nm) ermöglicht ultradünne Single-Layer-Wellenleiter (80° FOV, wodurch Regenbogeneffekte und Gewichtsprobleme bei herkömmlichen Glaslösungen eliminiert werden.
2. F: Warum sollten 4H-SEMI-SiC-Substrate anderen Polytypen vorgezogen werden?
A: 4H-SiC bietet überlegene thermische Stabilität (CTE=3,7×10⁻⁶/K) und Defektdichte <0,04/cm² (8 Zoll), wodurch die Zuverlässigkeit in Hochleistungs-Optiksystemen und die Skalierbarkeit der Massenproduktion gewährleistet werden.
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