3C-SiC-Substrat N-Typ Produktgüte für 5G-Kommunikation
ZMSH ist auf Forschung und Entwicklung sowie die Produktion von Halbleitermaterialien der dritten Generation spezialisiert und verfügt über mehr als ein Jahrzehnt Branchenerfahrung. Wir bieten kundenspezifische Dienstleistungen für Halbleitermaterialien wie Saphir, Siliziumwafer und SOI an. Im Bereich Siliziumkarbid (SiC) decken wir Substrate vom Typ 4H/6H/3C ab und unterstützen die Vollgrößenversorgung von 2-Zoll- bis 12-Zoll-Wafern mit flexibler Anpassung, um die Anforderungen der Kunden zu erfüllen und integrierte Industrie- und Handelsdienstleistungen zu realisieren.
Unsere SiC-Substrate sind für Hochfrequenz-Leistungsbauelemente und Automobilanwendungen (z. B. EV-Wechselrichter) konzipiert und bieten eine thermische Stabilität von bis zu 1.600 °C und eine Wärmeleitfähigkeit von 49 W/m·K, wodurch sie siliziumbasierten Alternativen überlegen sind. Wir halten uns an internationale Standards und verfügen über Zertifizierungen für Materialien in Luft- und Raumfahrtqualität, wodurch die Kompatibilität mit extremen Umgebungen gewährleistet wird.
Anwendungsszenarien für 3C-SiC-Substrate
3C-SiC-Substrat Kernmerkmale
1. Mehrgrößenabdeckung:
- Standardgrößen: 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll.
- Anpassbare Abmessungen: Von 5 × 5 mm bis zu maßgeschneiderten Spezifikationen.
2. Geringe Defektdichte:
- Mikrohohlraumdichte <0,1 cm², spezifischer Widerstand ≤0,0006 Ω·cm, was eine hohe Bauelemente-Zuverlässigkeit gewährleistet.
3. Prozesskompatibilität:
- 3C-SiC-Substrat ist geeignet für Hochtemperatur-Oxidation, Lithographie und andere komplexe Prozesse.Oberflächenebenheit: λ/10 @632,8 nm, ideal für die Herstellung von Präzisionsbauelementen.
- 3C-SiC-Substrat Materialeigenschaften
1. Elektrische Vorteile:
Hohe Elektronenbeweglichkeit: 3C-SiC erreicht 1.100 cm²/V·s und übertrifft damit 4H-SiC (900 cm²/V·s) deutlich, wodurch die Verlustleistung reduziert wird.
- Große Bandlücke: Eine Bandlücke von 3,2 eV ermöglicht eine hohe Spannungsfestigkeit (bis zu 10 kV).
- 2. Thermische Leistung:
Hohe Wärmeleitfähigkeit: 49 W/m·K, überlegen gegenüber Silizium, unterstützt den stabilen Betrieb von -200 °C bis 1.600 °C.
Beständig gegen Säuren/Laugen und Strahlung, geeignet für Luft- und Raumfahrt- und Nuklearanwendungen.
Technische ParameterEigenschaft
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N-Typ 3C-SiC, Einkristall
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Gitterparameter
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a=4,349 Å
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Stapelfolge
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ABC
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Mohs-Härte
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≈9,2
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Dichte
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2,36 g/cm3
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Therm. Ausdehnungskoeffizient
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3,8×10-6/K
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Brechungsindex @750nm
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n=2,615
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Dielektrizitätskonstante
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c~9,66
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Wärmeleitfähigkeit
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3-5 W/cm·K@298K
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Bandlücke
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2,36 eV
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Elektrische Durchbruchfeldstärke
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2-5×106V/cm
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Sättigungsdriftgeschwindigkeit
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2,7×107m/s
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※ Die Eigenschaften von Siliziumkarbid-Materialien dienen nur als Referenz.
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Anwendungsszenarien für 3C-SiC-Substrate
1. Hochfrequenz-Leistungsbauelemente:
5G-Kommunikationsbasisstationen: 3C-SiC-Substrate dienen als HF-Bauelement-Substrate und ermöglichen die mmWave-Signalübertragung für Hochgeschwindigkeitskommunikation.
- Radarsysteme: Eigenschaften mit geringem Verlust minimieren die Signaldämpfung und verbessern die Erkennungsgenauigkeit.
- 2. Elektrofahrzeuge (EVs):
On-Board-Ladegeräte (OBC): 3C-SiC-Substrate reduzieren den Energieverlust um 40 % und verkürzen die Ladezeit für 800-V-Plattformen.
- DC/DC-Wandler: 3C-SiC-Substrate senken den Energieverlust um 80–90 % und erhöhen die Reichweite.
- 3. Industrie & Energie:
Solarwechselrichter: Steigert die Effizienz um 1–3 %, reduziert das Volumen um 40–60 % und hält rauen Umgebungen stand.
- Smart Grids: Reduziert die Größe/das Gewicht der Geräte und den Kühlbedarf, wodurch die Infrastrukturkosten gesenkt werden.
- 4. Luft- und Raumfahrt:
Strahlungsgehärtete Geräte: 3C-SiC-Substrate ersetzen siliziumbasierte Komponenten in Satelliten und Raketen und verbessern die Strahlungsbeständigkeit und Lebensdauer.
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