​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

ZMSH ist auf die FuE und Produktion von Halbleitermaterialien der dritten Generation spezialisiert und verfügt über mehr als ein Jahrzehnt Erfahrung in der Industrie.Wir bieten maßgeschneiderte Dienstleistungen für Halbleitermaterialien wie Saphir.Im Bereich Siliziumkarbid (SiC) decken wir Substrate des Typs 4H/6H/3C ab und unterstützen die Lieferung von 2- bis 12-Zoll-Wafern in voller Größe.mit flexibler Anpassung an Kundenanforderungen, um integrierte Dienstleistungen für Industrie und Handel zu erreichen.

Unsere SiC-Substrate sind für Hochfrequenz-Stromgeräte und Automobilanwendungen (z. B. EV-Wechselrichter) entwickelt und bieten eine thermische Stabilität von bis zu 1,600°C und Wärmeleitfähigkeit von 49 W/m·K Wir halten uns an internationale Standards und sind zertifiziert für Luft- und Raumfahrtmaterialien, um die Kompatibilität mit extremen Umgebungen zu gewährleisten.

1. Mehrgrößene Abdeckung:

• Standardgrößen: 2, 4, 6, 8 Zoll.
• Anpassbare Abmessungen: Von 5 × 5 mm bis zu maßgeschneiderten Spezifikationen.

2. Niedrige Defektdichte:

• Die Mikrovoiddichte < 0,1 cm−2, der Widerstand ≤ 0,0006 Ω·cm, sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit des Geräts.

3. Prozesskompatibilität:

• 3C-SiC-Substrat ist sSie ist für die Hochtemperaturoxidation, die Lithographie und andere komplexe Verfahren geeignet.
• Oberflächenflachheit: λ/10 @ 632,8 nm, ideal für die Herstellung von Präzisionsgeräten.

3C-SiC Substrat Material Eigenschaften

1Elektrische Vorteile:

• Hohe Elektronenmobilität: 3C-SiC erreicht 1.100 cm2/V·s und übertrifft damit 4H-SiC (900 cm2/V·s) deutlich, wodurch die Leitverluste verringert werden.
• Breite Bandbreite: 3,2 eV Bandbreite ermöglicht eine hohe Spannungstoleranz (bis zu 10 kV).

2. Wärmeeffizienz:

• Hohe Wärmeleitfähigkeit: 49 W/m·K, überlegen gegenüber Silizium, stabiler Betrieb von -200°C bis 1.600°C.

3. Chemische Stabilität:

• Resistent gegen Säuren/Alkalien und Strahlung, geeignet für Luft- und Raumfahrt- und Kernanwendungen.

1. Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leitungsart für Radarsysteme Null MPD Produktionsgrad

2. 2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

3C-SiC-Substrate häufig gestellte Fragen