4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Beschreibung des Produkts: Das SiC-Substrat hat außerdem eine Oberflächenrauheit von Ra 400 MPa, was es sehr ...Ansicht mehr
Nachrichten des BesuchersLASSEN SIE EINE MITTEILUNG
Noch keine öffentlichen Kommentare
4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer