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Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung

Markenbezeichnung:	ZMSH
MOQ:	5
Preis:	100
Lieferzeit:	3-4 Woche
Zahlungsbedingungen:	t/t

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

rohs

Oberflächenwiderstand:

10⁴~10⁹Ω

Größe:

Anpassbar (für 4 ′′ 12 " Wafer)

Reinheit:

990,9%

Dichte:

D=8,91 ((g/cm3)

Durchmesser:

25 bis 500 mm

Anwendung:

Pakettest, Chip-Sortierung

Mechanische Festigkeit:

Beugfestigkeit > 400 MPa

Widerstand:

0.1~60ohm.cm

Wärmewiderstand:

℃ 1600

Chemische Resistenz:

Beständig gegen Säuren, Basen und Plasma

Verpackung Informationen:

Schaumstoffkissen + Karton

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Monat 1000per

Hervorheben:

Halbleiterverarbeitung SiC Endeffektor

Wafer Handling SiC End Effektor

Korrosionsbeständiger SiC-End-Effektor

Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

UnsereSiC-Endwirkstoffefür den ultra-sauberen Umgang mit Wafern in Halbleiterherstellungsumgebungen ausgelegt.mit einem Gehalt an Kohlenstoff von mehr als 10 GHT, diese Gabeln bietenaußergewöhnliche Wärmebeständigkeit,chemische Stabilität, undmechanische Festigkeit¢die sie ideal für den Einsatz inProzesskammern für harte VerfahrenDies gilt insbesondere für die Anlagen, bei denen die Anlagen in der Lage sind, ihre Eigenschaften zu verändern.

Der dichte, feinkörnige SiC-Körper sorgtgeringe Partikelproduktion,ausgezeichnete Dimensionsstabilität, und die Vereinbarkeit mitWafer von 200 mm bis 300 mmFür spezifische Roboterarme und Waferträger stehen kundenspezifische Designs zur Verfügung.

Hauptmerkmale:

Material: hochreines Siliziumkarbid (SiC)

Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit (bis zu 1600°C)

Überlegene chemische und Plasmakorrosionsbeständigkeit

Hohe mechanische Festigkeit und Steifigkeit

Niedrige Partikelentwicklung für die Verwendung in Reinräumen

Erhältlich für die Bearbeitung von 4", 6", 8" und 12" Wafern

Spezielle Formen und Schlitze für Roboterkompatibilität

Spezifikationen des Produkts:

Parameter	Spezifikation
Material	SiC mit hoher Reinheit (≥ 99%)
Größe	Anpassbar (für 4 ′′ 12 " Wafer)
Oberflächenbearbeitung	nach Bedarf poliert oder matt
Wärmewiderstand	Bis zu 1600 °C
Chemische Resistenz	Wird nicht durch Säuren, Basen und Plasma belastet
Mechanische Festigkeit	Beugfestigkeit > 400 MPa
Reinraum-Klasse	geeignet für die Klasse 1?? 100

Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung 0

Schlüsselwörter / Tags:

#SiCEndEffector #WaferHandling #SiCFork #SemiconductorEquipment #WaferTransfer #HighPuritySiC #SiCWaferCarrier #SemiconductorAutomation #VacuumCompatible #SiCComponent #EtchingToolPart #RoboticWaferHandling

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung