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  PRODUKTE
Besorgen 6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation Online-Herstellung

6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

Erhalten Sie besten Preis
Besorgen Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik Online-Herstellung

Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik

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Besorgen SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen Online-Herstellung

SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen

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Besorgen Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping Online-Herstellung

Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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Besorgen Einstückige horizontale Waferverpackungskiste 1

Einstückige horizontale Waferverpackungskiste 1 "-12" PP PC Wafertransporter mit Schaumkissen

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Besorgen kundengebundene Stärke 1.5mm 4

kundengebundene Stärke 1.5mm 4" sic wie-geschnittene leere Kristalloblaten 4H-N

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Besorgen Haupt2

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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Besorgen SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2

SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Besorgen 100um 170um 200um DSP Sapphire Wafers Ultrathin Thickness 2inch Online-Herstellung Video

100um 170um 200um DSP Sapphire Wafers Ultrathin Thickness 2inch

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Besorgen Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C Online-Herstellung Video

Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C

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Besorgen 6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren Online-Herstellung

6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren

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Besorgen Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien Online-Herstellung Video

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

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Besorgen Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C Online-Herstellung

Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C

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Besorgen Vollautomatische Präzisions-Säge-Ausrüstung für das Schneiden von Wafern mit 8 bis 12 Zoll Online-Herstellung Video

Vollautomatische Präzisions-Säge-Ausrüstung für das Schneiden von Wafern mit 8 bis 12 Zoll

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Besorgen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Besorgen Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden Online-Herstellung

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

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Besorgen Karbid-sic Oblaten 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP Oberflächen-Silikon-4h-N Online-Herstellung

Karbid-sic Oblaten 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP Oberflächen-Silikon-4h-N

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Besorgen 6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik Online-Herstellung

6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik

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Besorgen Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll Online-Herstellung Video

Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

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Besorgen Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität Online-Herstellung Video

Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität

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Besorgen 6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation Online-Herstellung

6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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Besorgen Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik Online-Herstellung

Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik

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Besorgen SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen Online-Herstellung

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Besorgen Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping Online-Herstellung

Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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Besorgen Einstückige horizontale Waferverpackungskiste 1

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