4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

Der 4H-N Typ SiC 10*10 mm Kleinwafer ist ein Hochleistungs-Halbleitersubstrat auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), einem Halbleitermaterial der dritten Generation. Hergestellt durch Physical Vapor Transport (PVT) oder High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD), ist er in 4H-SiC- oder 6H-SiC-Polytypen und N-Typ- oder P-Typ-Dotierungskonfigurationen erhältlich. Mit Maßtoleranzen innerhalb von ±0,05 mm und einer Oberflächenrauheit Ra < 0,5 nm, ist jeder Wafer epitaxie-fertig und wird strengen Inspektionen unterzogen, einschließlich XRD-Kristallinitätsvalidierung und optischer Mikroskopie-Defektanalyse.

• Hohe Wärmeleitfähigkeit: 490 W/m·K, dreimal höher als die von Silizium, was eine effiziente Wärmeableitung ermöglicht.
• Durchschlagsfestigkeit: 2,4 MV/cm, unterstützt Hochspannungs- und Hochfrequenzbetrieb.
• Hochtemperaturstabilität: Betrieb bis zu 600 °C mit geringer Wärmeausdehnung (4,0*10⁻⁶/K).
• Mechanische Haltbarkeit: Vickers-Härte 28–32 GPa, Biegefestigkeit >400 MPa.
• Anpassungsunterstützung: Einstellbare Ausrichtung, Dicke, Dotierung und Geometrie.

• Leistungsinverter für Elektrofahrzeuge (3–5 % Effizienzsteigerung)
• 5G RF-Leistungsverstärker (24–39 GHz Bänder)
• Smart Grid HVDC-Wandler und industrielle Motorantriebe
• Luft- und Raumfahrtsensoren und Satellitenstromversorgungssysteme
• UV-LEDs und Laserdioden

1. 4H-N SiC Substrat, 5*5 mm, 350 µm (Prime/Dummy Grade)
2. Kundenspezifisch geformte SiC-Wafer mit Rückseitenmetallisierung

F: Was sind typische Anwendungen von 10*10 mm SiC-Wafern?

A: Ideal für Prototypen von Leistungsbauelementen (MOSFETs/Dioden), HF-Komponenten und Hochtemperatur-Optoelektronik.

F: Wie vergleicht sich SiC mit Silizium?

A: SiC bietet eine 10* höhere Durchbruchspannung, eine 3* bessere Wärmeleitfähigkeit und überlegene Hochtemperaturleistung.

1. Komplette Produktionskette vom Schneiden bis zur Endreinigung und Verpackung.
2. Möglichkeit zur Aufbereitung von Wafern mit Durchmessern von 4 bis 12 Zoll.
3. 20 Jahre Erfahrung in der Waferherstellung und -aufbereitung von einkristallinen elektronischen Materialien

ZMSH Technology kann Kunden importierte und inländische hochwertige leitfähige, 2-6 Zoll semiisolierende und HPSI (High Purity Semi-insulating) SiC-Substrate in Chargen anbieten; Darüber hinaus kann es Kunden homogene und heterogene Siliziumkarbid-Epitaxieschichten anbieten und kann auch nach den spezifischen Bedürfnissen der Kunden angepasst werden, ohne Mindestbestellmenge.

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