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  [12 Inch SIC Wafers ]

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Guter Preis 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online
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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen

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​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

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6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat für AR-Brillen, optische Qualität

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Besorgen SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung Online-Herstellung Video

SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung

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Besorgen 4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Online-Herstellung Video

4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Besorgen ​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​ Online-Herstellung Video

​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​

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