SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen

SiC vollautomatische Sprühbondmaschine für hochpräzise Wafer- und Graphitplattenanwendungen

Produktübersicht

Die SiC vollautomatische Sprühbondmaschine ist ein integriertes System, das Ultraschall-Sprühbeschichtung und automatisches Bonden für Wafer, SiC-Seeds, Graphitpapier und Graphitplatten kombiniert.

Mithilfe eines Manipulators und Kalibrators erreicht das System eine präzise Klebstoffauftragung, Mittenausrichtung, Wafer-Bonding, ID-Lesung und Blasenerkennung. Die gebondeten Materialien werden dann im SiC-Sinterofen verarbeitet, wodurch ein blasenfreies, gleichmäßiges Sintern und Karbonisieren erreicht wird.

Optimiert für die SiC-Seed-Bonding-Technologie, gewährleistet dieses System eine hohe Festigkeit und zuverlässige Haftung und ist somit ideal für Hochtemperatur-, Hochfestigkeits- und korrosive Umgebungen.

Kerntechnologie: SiC-Seed-Bonding

1. Prinzip:

   • SiC-Seed-Partikel werden bei hoher Temperatur schrittweise auf den Klebstoff aufgetragen.

   • Der Klebstoff reagiert unter kontrollierter Temperatur und Druck mit den SiC-Oberflächen und bildet eine stabile chemische und mechanische Bindung.

   • Ultraschall-Sprühen gewährleistet einen gleichmäßigen Fluss und eine gleichmäßige Druckverteilung.

   • Kontrolliertes Abkühlen und Erhitzen vervollständigen das Bonden und erzeugen hochfeste, stabile SiC-zu-SiC- oder SiC-zu-Substrat-Grenzflächen.

2. Vorteile:

   • Hohe Bindefestigkeit: Starke Haftung über mehrere Schichten und Grenzflächen hinweg.

   • Materialkompatibilität: Ausgezeichnete chemische und strukturelle Kompatibilität mit SiC.

   • Geringer Klebstoffrückstand: Minimaler Klebstoffüberschuss, der die Langzeitstabilität gewährleistet.

   • Hohe Produktionseffizienz: Unterstützt großformatige, hochpräzise und schnelle SiC-Verarbeitung.

3. Prozessoptimierung:

   • Einstellbare Klebstoffdicke passend zu den Materialeigenschaften.

   • Kontrollierte Bondtemperatur und Reaktionszeit für stabile chemische und physikalische Eigenschaften.

   • Regelmäßige Prozessvalidierung und Qualitätskontrollen für konsistente Ergebnisse.

Systemmerkmale

• Modulare Konfiguration: Flexibles Setup für einzelne oder mehrere Wafer.

• Automatisierter Prozesszyklus: Reduziert manuelle Bedienung und gewährleistet Wiederholbarkeit und hohe Ausbeute.

• 12-Zoll-Wafer-Unterstützung: Abwärtskompatibel mit kleineren Wafern.

• Hohe Wafer-Parallelität: Gewährleistet gleichmäßiges Bonden und Spannungsverteilung.

• Klein-/Mittelserienproduktion: Geeignet für F&E, Pilot- oder Klein- bis Mittelserienproduktion.

• Industriestandard-Sicherheitsmerkmale

• Multifunktions-Automatisierung: Datenerfassung, Workflow-Anpassung und automatisierte Modi.

• Benutzerfreundliche Touchscreen-Oberfläche

Hauptvorteile

• Hohe Präzision: Hält strenge Spezifikationen für Durchmesser und Dicke für gebondete Wafer ein.

• Hohe Zuverlässigkeit: Kritische Komponenten stammen von Weltklasse-Herstellern.

• Hohe Geschwindigkeit: Schnelle Verarbeitung großer Wafermengen.

• Hohe Automatisierung: Minimiert die manuelle Bedienung und erhöht den Durchsatz.

• Blasenfreies Bonden: Integriertes vakuumunterstütztes Bonden und Blasenerkennung gewährleisten fehlerfreie Ergebnisse.

• Ultraschall-Sprüheffizienz: Tropfen mit geringer Geschwindigkeit reduzieren Overspray und verbessern die Materialausnutzung (über 4× höher als beim herkömmlichen Zwei-Flüssigkeits-Sprühen).

Technische Daten

Typische Anwendungen

• Halbleiter & SiC-Kristallwachstum: Seed-Bonding, Wafervorbereitung

• Hochtemperatur- und korrosive Umgebungen: Hochfeste mechanische Komponenten

• Flexible oder Verbundsubstrate: Graphitpapier, Graphitplatten

• Forschung & Pilotproduktion: F&E, SiC-Bonding im Pilotmaßstab, Dünnschichtbeschichtungen

FAQ – Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Materialien kann die SiC-Sprühbondmaschine verarbeiten?
A1: Wafer, SiC-Seeds, Graphitpapier und Graphitplatten, einschließlich starrer und flexibler Substrate. Kompatibel mit Klebstoffen, die Feststoffpartikel enthalten.

Q2: Wie präzise ist die Klebstoffbeschichtung?
A2: Ultraschall-Sprühen gewährleistet eine sehr gleichmäßige und kontrollierte Beschichtungsdicke, wodurch lokale Ansammlungen oder dünne Stellen vermieden werden.

Q3: Wie stellt das System ein blasenfreies Bonden sicher?
A3: Integriertes vakuumunterstütztes Bonden, Mittenausrichtung und Blasenerkennung, kombiniert mit der Verarbeitung im Sinterofen, erzielt ein blasenfreies, gleichmäßiges Bonden.

Q4: Welche maximale Wafergröße wird unterstützt?
A4: Bis zu 12 Zoll, abwärtskompatibel mit kleineren Wafern.

Q5: Kann das System für die Pilot- und Mittelserienproduktion verwendet werden?
A5: Ja. Die programmierbare XYZ-Achsensteuerung und das Multi-Wafer-Bonding ermöglichen F&E, Pilot- oder Klein- bis Mittelserienproduktion.