Suchergebnis

Haus PRODUKTE silicon substrate On-line-Hersteller

Alle Kategorien

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Treten Sie mit uns in Verbindung

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Kontakt jetzt

Ihre Suche

[silicon substrate ]

Übereinstimmung

358

PRODUKTE

Video

10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Silikon-Karbid Wafersubstrate

Erhalten Sie besten Preis

Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm

Erhalten Sie besten Preis

Video

Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Erhalten Sie besten Preis

‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

Erhalten Sie besten Preis

Video

Quarz-Wafer-Substrate DSP 12 Zoll-Sapphire Waferss BF33

Erhalten Sie besten Preis

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

Erhalten Sie besten Preis

Prüfen Sie Grad-monokristalline Siliziumscheibe, hohe Widerstandskraft-Siliziumscheibe

Erhalten Sie besten Preis

Video

Doppelte Seiteneinzelner Kristall-Substrat-PolierVerschleißfestigkeit der saphir-Oblaten-Al2O3

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

Erhalten Sie besten Preis

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

Erhalten Sie besten Preis

3 Zoll Quarz-Wafertransmittanz optischer Qualität > 92% Halbleiterglassubstrate

Erhalten Sie besten Preis

8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

Erhalten Sie besten Preis

Video

6 bis 12 Zoll SiC-Substrat-Laser-Trennsystem

Erhalten Sie besten Preis

Video

Al2O3 99,999% Einzelkristall 4 Zoll SSP/DSP Dia100mm A-Plane Saphirwafer Substrate

Erhalten Sie besten Preis

Substrat HVPE GaN oder Oblate GaN Templates EPI für Rf-Anwendungen

Erhalten Sie besten Preis

2-Zoll-Monokristalline Saphir-Wafer doppelseitig poliert Al2O3 99,999% Einzelkristall Substrat

Erhalten Sie besten Preis

7 8 9 10 11 12 13 14

Suchergebnisse

Haus PRODUKTE silicon substrate On-line-Hersteller

Alle Kategorien

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Ihre Suche [ silicon substrate ] Übereinstimmung 358 PRODUKTE

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

Erhalten Sie besten Preis

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

Erhalten Sie besten Preis

6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

Erhalten Sie besten Preis

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

Erhalten Sie besten Preis

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

Erhalten Sie besten Preis

330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

Erhalten Sie besten Preis

2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

Erhalten Sie besten Preis

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

Erhalten Sie besten Preis

Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

Erhalten Sie besten Preis

Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

Erhalten Sie besten Preis

7 8 9 10 11 12 13 14

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

[silicon substrate ]

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik