4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

4H-N-Typ- und halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate (SiC) sind hochreine Einkristallwafer, die mit der Methode des physikalischen Dampftransports (PVT) hergestellt werden. Diese Substrate weisen hervorragende elektrische und thermische Eigenschaften auf, einschließlich großer Bandlückeneigenschaften, eines hohen elektrischen Durchbruchfelds und einer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit. Sie eignen sich ideal für das epitaktische Wachstum von SiC- oder III-Nitrid-Materialien und dienen als wichtige Grundkomponenten in elektronischen Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturgeräten.

• Hervorragende elektrische Eigenschaften:
  • 4H-N-Typ: Spezifischer Widerstand 0,015–0,028 Ω·cm
  • Halbisolierender Typ: Spezifischer Widerstand ≥10⁵ Ω·cm
• Überlegene geometrische Qualität:
  • Gesamtdickenschwankung (TTV) ≤ 15 µm
  • Bogen ≤ 40 µm, Warp ≤ 60 µm
• Präzise Orientierungskontrolle:
  • Ausrichtung auf der Achse: <±0,5°
  • Außeraxialer Schnitt: 4° ± 0,5° in Richtung [11-20].
• Kontrollierte Oberflächenbeschaffenheit:
  • Standardpolierte Oberfläche: Ra ≤ 1 nm
  • CMP-polierte Oberfläche: Ra ≤ 0,5 nm

• Leistungselektronik: Schottky-Barrieredioden (SBDs), MOSFETs, IGBTs
• HF- und Mikrowellengeräte: Hochfrequenz-Leistungsverstärker, MMICs
• Optoelektronik: GaN-basierte LED- und Laser-Epitaxie-Substrate
• Hochtemperatursensoren: Anwendungen im Automobil-, Luft- und Raumfahrt- und Energiesektor

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Die Siliziumkarbidindustrie umfasst Substratvorbereitung, epitaktisches Wachstum, Geräteherstellung und Endanwendungen. Mithilfe des PVT-Verfahrens werden hochwertige monokristalline SiC-Substrate hergestellt, die als Basis für die epitaktische Abscheidung (via CVD) und die anschließende Geräteherstellung dienen. ZMSH liefert 100-mm- und 150-mm-SiC-Wafer, die strenge industrielle Anforderungen für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen erfüllen.