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eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon substrate ]

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361

PRODUKTE

2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation

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4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

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4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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3inch VGF GaAs Art GaAs-Substrate des Oblaten-Forschungs-Test-Grad-N

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Customized High Borosilicate Glass Wafers High Refractive Index Substrates 2-12 Inch

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4 Zoll-Galliumarsenid-Wafer, Gaas-Substrat für niedrige Temperatur-Legierungen

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IC-Siliziumscheibe SSP/Widerstandskraft DES DSP-Oberflächenende<30/cm2 Partikel-1~10ohm

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8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN

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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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2inch Ein-Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monokristallin

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Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

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sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate

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6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

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​​Customized High Borosilicate Glass Wafers ​​High Refractive Index Substrates 2-12 Inch

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