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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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kaufen Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online-Herstellung

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