2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

3C-N-Typ Siliziumkarbid (3C-SiC)-Substrat ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das auf der kubischen Kristallstruktur (3C) basiert und über Flüssigphasenepitaxie (LPE) oder physikalischen Dampftransport (PVT) hergestellt wird. Es unterstützt Standardgrößen von 2 Zoll bis 8 Zoll sowie kundenspezifische Abmessungen (z. B. 5×5 mm, 10×10 mm). Seine Kernvorteile sind hohe Elektronenmobilität (1.100 cm²/V·s), große Bandlücke (3,2 eV) und hohe Wärmeleitfähigkeit (49 W/m·K), was es ideal für Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräteanwendungen macht.

1. Elektrische Leistung

• Hohe Elektronenmobilität: Deutlich besser als 4H-SiC (900 cm²/V·s), 3C-SiC-Substrate reduzieren Leitungsverluste in Geräten.
• Geringer Widerstand: ≤0,0006 Ω·cm (N-Typ), 3C-SiC-Substrate optimiert für verlustarme Hochfrequenzschaltungen.
• Große Bandlücke: Hält Spannungen bis zu 10 kV stand, 3C-SiC-Substrate geeignet für Hochspannungsszenarien (z. B. Smart Grids, EVs).

2. Thermische und chemische Stabilität

• Hohe Wärmeleitfähigkeit: 3× höhere Wärmeableitungseffizienz als Silizium, 3C-SiC-Substrate arbeiten stabil von -200°C bis 1.600°C.
• Strahlungsbeständigkeit: 3C-SiC-Substrate ideal für Luft- und Raumfahrt- und Nuklearanwendungen.

3. Prozesskompatibilität

• Oberflächenebenheit: λ/10 @632,8 nm, kompatibel mit Lithographie und Trockenätzen.
• Geringe Defektdichte: Mikroröhrendichte <0,1 cm⁻², was die Geräteausbeute erhöht.

Kernanwendungen von 3C-SiC-Substraten

1. 5G-Kommunikation & HF-Geräte

• Millimeterwellen-HF-Module: 3C-SiC-Substrate ermöglichen GaN-on-3C-SiC-HF-Geräte für 28 GHz+-Bänder und verbessern die Signaleffizienz.
• Verlustarme Filter: 3C-SiC-Substrate reduzieren die Signaldämpfung und erhöhen die Radar- und Kommunikationsempfindlichkeit.

2. Elektrofahrzeuge (EVs)

• On-Board-Ladegeräte (OBC): 3C-SiC-Substrate reduzieren den Energieverlust um 40 %, kompatibel mit 800-V-Schnellladeplattformen.
• Wechselrichter: 3C-SiC-Substrate reduzieren den Energieverlust um 80–90 % und verlängern die Reichweite.

3. Industrie- und Energiesysteme

• Solarwechselrichter: Verbessert den Wirkungsgrad um 1–3 % und reduziert das Volumen um 40–60 % für Hochtemperaturumgebungen.
• Smart Grids: Minimiert den Wärmeableitungsbedarf und unterstützt die Hochspannungs-Gleichstromübertragung.

4. Luft- und Raumfahrt & Verteidigung

• Strahlungsgehärtete Geräte: Ersetzt Siliziumkomponenten und verlängert die Lebensdauer von Satelliten- und Raketensystemen.
• Hochleistungsradare: 3C-SiC-Substrate nutzen verlustarme Eigenschaften für eine verbesserte Erkennungsgenauigkeit.

1. 5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid-Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ hohe mechanische Festigkeit Produktionsgüte

2. 4 Zoll 3C N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid-Substrat dick 350um Prime Grade Dummy Grade

3C-SiC-Substrate FAQ