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Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
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Besorgen 6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik Online-Herstellung

6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik

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Besorgen 8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um Online-Herstellung

8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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Besorgen 6 ¢ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Polierlinie mit Quad-Heads und geschlossener Schleife Online-Herstellung

6 ¢ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Polierlinie mit Quad-Heads und geschlossener Schleife

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Besorgen Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN Online-Herstellung

Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN

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Besorgen Silikonkarbid-Sic-Wafer Online-Herstellung

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Besorgen 2inch Ein-Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monokristallin Online-Herstellung Video

2inch Ein-Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monokristallin

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Besorgen Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern Online-Herstellung Video

Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

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Besorgen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online-Herstellung

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Besorgen Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate Online-Herstellung

Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate

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Besorgen 4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer Online-Herstellung

4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer

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Besorgen 6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung Online-Herstellung

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

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Besorgen GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate Online-Herstellung

GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate

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Besorgen Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen Online-Herstellung

Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

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Besorgen 2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um Online-Herstellung

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

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Besorgen Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2inch poliert für LED Online-Herstellung

Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2inch poliert für LED

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Besorgen Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um Online-Herstellung

Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um

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Guter Preis Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um Online
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Besorgen Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping Online-Herstellung

Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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Besorgen 4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ Online-Herstellung

4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Besorgen 4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP Online-Herstellung Video

4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP

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Besorgen Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch Online-Herstellung

Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch

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Besorgen Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm Online-Herstellung

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

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Besorgen Sic Kristall-4H-SEMI 4

Sic Kristall-4H-SEMI 4" optische Silikon-Karbid-Oblate

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Besorgen 8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing Online-Herstellung

8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing

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Besorgen Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic Online-Herstellung

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

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Besorgen Sondergröße-keramische Substrat-/Silikon-Karbid-keramische ausgezeichnete Korrosion Online-Herstellung

Sondergröße-keramische Substrat-/Silikon-Karbid-keramische ausgezeichnete Korrosion

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Besorgen 4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik Online-Herstellung

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik

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Besorgen 8-12-Zoll-Glaswafer-Substrate für Halbleiter- und fortschrittliche Verpackungsanwendungen Online-Herstellung

8-12-Zoll-Glaswafer-Substrate für Halbleiter- und fortschrittliche Verpackungsanwendungen

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Besorgen SIC Crystal Silicon Carbide Wafer Online-Herstellung

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