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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

Name: 2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Model Number: 6H-P SiC

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Min Bestellmenge: 10 Prozent

Preis: by case

Packaging Details: customzied plastic box

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                6H Sic Siliziumkarbid Substrat, Niedrigwiderstand Sic Siliziumkarbid Substrat
                              

Oberflächenhärte:	HV0,3>2500	Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K	Dielektrische Konstante:	9,7
Zugfestigkeit:	>400MPa	Material:	SiC-Einkristall
Größe:	2 Zoll	Abbruchspannung:	5,5 MV/cm

Oberflächenhärte:	HV0,3>2500
Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K
Dielektrische Konstante:	9,7
Zugfestigkeit:	>400MPa
Material:	SiC-Einkristall
Größe:	2 Zoll
Abbruchspannung:	5,5 MV/cm

2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

Beschreibung des Produkts:

2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit,mit einer Breite von mehr als 30 mm,P-Doping wird durch Einführung von Elementen wie Aluminium (Al) erreicht, wodurch das Material elektropositiv und für spezifische elektronische Geräte geeignet wird.mit einer Breite von mehr als 20 mm,. Die Wärmeleitfähigkeit ist vielen herkömmlichen Halbleitermaterialien überlegen und trägt zur Verbesserung der Geräteeffizienz bei..

Im Bereich der Leistungselektronik kann es zur Herstellung hocheffizienter Leistungseinrichtungen wie MOSFETs und IGBTs verwendet werden.Es hat eine ausgezeichnete Leistung in Hochfrequenzanwendungen und wird weitgehend in Kommunikationsgeräten verwendetIm Bereich der LED-Technologie kann es als Grundmaterial für blaue und ultraviolette LED-Geräte verwendet werden.

Eigenschaften:

·Breitbandlücke: Die Bandlücke beträgt etwa 3,0 eV und eignet sich somit für Anwendungen mit hoher Temperatur, hoher Spannung und hoher Frequenz.

·Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Mit guter Wärmeleitfähigkeit hilft die Wärmeableitung, verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.

·Hohe Festigkeit und Härte: hohe mechanische Festigkeit, Antifragmentierung und Antiverschleiß, geeignet für den Einsatz in rauen Umgebungen.

·Elektronenmobilität: P-Doping unterhält eine relativ hohe Trägermobilität und unterstützt effiziente elektronische Geräte.

·Optische Eigenschaften: Mit einzigartigen optischen Eigenschaften, geeignet für den Bereich der Optoelektronik, wie LEDs und Laser.

·Chemische Stabilität: Gute Beständigkeit gegen chemische Korrosion, geeignet für harte Arbeitsumgebungen.

·Starke Anpassungsfähigkeit: kann mit einer Vielzahl von Substratmaterialien kombiniert werden, geeignet für verschiedene Anwendungsszenarien.

Technische Parameter:

Anwendungen:

·Leistungselektronik: Wird zur Herstellung hocheffizienter Stromgeräte wie MOSFETs und IGBTs verwendet, die häufig in Frequenzumrichter, Strommanagement und Elektrofahrzeugen verwendet werden.
·HF- und Mikrowellengeräte: In Hochfrequenzverstärkern, HF-Leistungsverstärkern verwendet, geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.

·Optoelektronik: Als Substrat in LEDs und Lasern, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen verwendet.

·Hochtemperatursensoren: Aufgrund ihrer guten thermischen Stabilität eignen sie sich für Hochtemperatursensoren und Überwachungsausrüstung.

·Solarenergie und Energiesysteme: in Solarumrichter und anderen Anwendungen für erneuerbare Energien zur Verbesserung der Effizienz der Energieumwandlung verwendet.

·Automobilelektronik: Leistungsoptimierung und Energieeinsparung im Energiesystem von Elektro- und Hybridfahrzeugen.

·Industrieelektrische Geräte: Leistungsmodule für eine Vielzahl von Maschinen und Geräten zur industriellen Automatisierung zur Verbesserung der Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.

Anpassung:

Unser SiC-Substrat ist in 6H-P-Typen erhältlich und RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T Zahlungsbedingungen. Unsere Versorgungsfähigkeit beträgt 1000 Stück/Monat. Die SiC-Substratgröße beträgt 50,8 mm Durchmesser und 350 μm Dicke.

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:

F: Gibt es Lagerbestände oder Standardprodukte?

A: Ja, wir haben eine Größe von etwa 2 Zoll, 0,35 mm Standardgröße immer auf Lager.

F: Wenn ich jetzt bestelle, wie lange dauert es, bis ich die Lieferung bekomme?

A: Standardgröße auf Lager in 1 Woche kann nach Zahlung ausgedrückt werden.

und unsere Zahlungsfrist ist 50% Anzahlung und vor Lieferung verlassen.

Tags:

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

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Beschreibung des Produkts:

Eigenschaften:

Technische Parameter:

Anwendungen:

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Unsere Dienstleistungen:

Häufige Fragen:

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