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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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kaufen 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte Online-Herstellung

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kaufen 4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch Online-Herstellung

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kaufen 330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic Online-Herstellung

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kaufen Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik Online-Herstellung

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kaufen 6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application Online-Herstellung

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kaufen Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp Online-Herstellung

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kaufen Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate Online-Herstellung

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kaufen 4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer Online-Herstellung

4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer

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kaufen 6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung Online-Herstellung

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kaufen GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate Online-Herstellung

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kaufen Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen Online-Herstellung

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kaufen 2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um Online-Herstellung

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

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kaufen Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2inch poliert für LED Online-Herstellung

Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2inch poliert für LED

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