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eric_wang@zmsh-materials.com
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Besorgen 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad Online-Herstellung

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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Besorgen Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten Online-Herstellung

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Besorgen Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

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Besorgen ​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​ Online-Herstellung

​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

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Besorgen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad Online-Herstellung

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

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Besorgen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm Online-Herstellung

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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Besorgen 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte Online-Herstellung

6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

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Besorgen Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik Online-Herstellung Video

Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik

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Besorgen Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte Online-Herstellung

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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Besorgen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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Besorgen 2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi Online-Herstellung

2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

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Besorgen 4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch Online-Herstellung

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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Besorgen Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H Online-Herstellung

Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Besorgen 330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic Online-Herstellung

330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

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Besorgen Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik Online-Herstellung

Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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Besorgen 6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik Online-Herstellung

6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik

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Besorgen 8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um Online-Herstellung

8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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Besorgen 6 ¢ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Polierlinie mit Quad-Heads und geschlossener Schleife Online-Herstellung

6 ¢ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Polierlinie mit Quad-Heads und geschlossener Schleife

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Besorgen Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN Online-Herstellung

Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN

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Besorgen Silikonkarbid-Sic-Wafer Online-Herstellung

Silikonkarbid-Sic-Wafer

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Besorgen 2inch Ein-Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monokristallin Online-Herstellung Video

2inch Ein-Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monokristallin

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Besorgen Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern Online-Herstellung Video

Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

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Besorgen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online-Herstellung

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Besorgen 6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung Online-Herstellung

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

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Besorgen Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate Online-Herstellung

Germanium-einzelne Kristalle Inp-Oblaten-Halbleiter-Substrate

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Besorgen GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate Online-Herstellung

GE-Linsen-Halbleiter-Substrate INP-Indium-Gallium-Phosphid-Oblate

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Besorgen 4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer Online-Herstellung

4-Zoll-N-Typ P-Doped Si (100) mit 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film auf Ti/Silicon Wafer

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