2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 3C-N Typ 50.8 mm Durchmesser Produktionsgrad Forschungsgrad Dummy-Grad
3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guten elektrischen und thermischen Eigenschaften, besonders geeignet für Hochfrequenz-Anwendungen für Hochleistungs- und elektronische GeräteN-Doping wird in der Regel durch Einführung von Elementen wie Stickstoff (N) und Phosphor (P) erreicht, wodurch das Material elektronenegativ wird und für eine Vielzahl von elektronischen Geräten geeignet ist.Die Bandlücke beträgt etwa 3Das N-Doping ermöglicht weiterhin eine hohe Elektronenmobilität, was die Leistung des Geräts verbessert.Eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die Wärmeabsorptionsfähigkeit von Stromgeräten zu verbessern. Es hat eine gute mechanische Festigkeit und eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen. Es hat eine gute Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien und eignet sich für industrielle Anwendungen.es wird in hocheffizienten Leistungsumwandlern und Antrieben verwendet, geeignet für Elektrofahrzeuge und Systeme für erneuerbare Energien.
Eigenschaften:
· Breite Bandbreite: Bandbreite von etwa 3,0 eV für Anwendungen mit hoher Temperatur und hoher Spannung.
· Hohe Elektronenmobilität: N-Doping sorgt für eine gute Elektronenmobilität und verbessert die Gesamtleistung des Geräts.
• Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Sie hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und verbessert effektiv die Wärmeableitungsleistung und eignet sich für Anwendungen mit hoher Leistung.
· Gute mechanische Festigkeit: Es weist eine hohe Zähigkeit und Druckfestigkeit auf und eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen.
· Chemikalienbeständigkeit: Gute Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, was die Stabilität des Materials erhöht.
· Einstellbare elektrische Eigenschaften: Durch Anpassung der Dopingkonzentration können unterschiedliche elektrische Eigenschaften erreicht werden, um den Anforderungen verschiedener Anwendungen gerecht zu werden.
Technische Parameter:
Anwendungen:
1Leistungselektronik: für hocheffiziente Leistungsumwandler, Wechselrichter und Antriebe, weit verbreitet in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen.
2. HF- und Mikrowellengeräte: HF-Verstärker, Mikrowellengeräte, besonders geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.
3Optoelektronik: Es kann als Baustein für LEDs und Lichtdetektoren verwendet werden, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen.
4Sensoren: Für eine Vielzahl von Sensoren in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Leistung, die eine zuverlässige Leistung bieten.
5Wireless Charging and Battery Management: Wird in drahtlosen Ladesystemen und Batterieverwaltungsgeräten verwendet, um die Effizienz und Leistung zu verbessern.
6Industrieelektrische Ausrüstung: In industriellen Automatisierungs- und Steuerungssystemen zur Verbesserung der Energieeffizienz und der Systemstabilität verwendet.
Anpassung:
Unser SiC-Substrat ist in 3C-N-Typ erhältlich und ist RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T ZahlungsbedingungenWir haben eine Lieferkapazität von 1000 Stück pro Monat.
Unsere Dienstleistungen:
1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.
2Schnelle, genaue Zitate.
3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.
5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.
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