angepasste SiC Tray:CVD SiC SSiC Flach gerollt Hohe Wärmeleitfähigkeit Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient

Produktinformationen

Ein Siliziumkarbid (SiC) -Tray ist ein hochleistungsfähiger Präzisionskeramikträger, der für die Verarbeitung von Halbleiterwafern, die Hochtemperaturthermische Verarbeitung, CVD/PECVD-Systeme, Vakuumöfen,und andere anspruchsvolle Industrieumgebungen.

Zu seinen Hauptaufgaben gehören:

• Baugruppen und Bauteile
• Positionierung von Wafern während der Verarbeitung
• Waferübertragung und -behandlung
• Unterstützungskomponenten bei Hochtemperaturprozessen
• mit einer Breite von mehr als 20 mm,

Unser öffentlich verfügbares SiC-Wafer-Tray-Produkt ist für die Verarbeitung von Halbleiterwafern, CVD/PECVD-Systeme, Vakuumöfen und hochtemperaturen Industrieanwendungen konzipiert.Je nach Anwendung, können hochreine CVD-SiC oder SSiC verwendet werden.





Herstellungsprozess
 

      Der tatsächliche Herstellungsprozess hängt vom SiC-Materialsystem und den Anwendungsanforderungen ab.
 

1Auswahl und Zubereitung von Rohstoffen
CVD SiC, SSiC oder ein anderes geeignetes SiC-Material wird nach Reinheits- und Anwendungsanforderungen ausgewählt.

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2. Formen / Vorformvorbereitung

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3. Sintern / Verdichten

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4. Präzisionsbearbeitung
CNC-Bearbeitung und Schleifen werden verwendet, um die erforderlichen Abmessungen, Montagelöcher, Schlitze und Strukturmerkmale zu erreichen.

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5. Schleifen / Polieren
Die funktionalen Oberflächen können je nach Anwendungsbedarf präzise gemahlen, geschmiert oder poliert werden.

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6. Reinigung und Inspektion

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7Schutzverpackung und Versand
      In unseren öffentlichen Produktinformationen werden Form, Sinterung und Präzisions-CNC-Bearbeitung als Bestandteil der Herstellungsmethode aufgeführt und auch Präzisionsschleifen/Polieren als verfügbare Veredelungsmethoden aufgeführt.



Wesentliche Merkmale

1Ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität
SiC-Träger eignen sich für Hochtemperaturverarbeitungsumgebungen und können die Strukturstabilität unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen erhalten.Ihre veröffentlichten Produktdaten geben eine Betriebstemperatur von≤ 1600°C, obwohl die tatsächliche Temperaturfähigkeit von der spezifischen SiC-Klasse und der Prozessumgebung abhängt.

2. Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit
      SiC bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und fördert eine effiziente Wärmeübertragung und eine gleichmäßige Temperaturverteilung.     
                                                                                                                       

3Ausgezeichnete Wärmeschlagfestigkeit
     Es eignet sich für Anwendungen mit wiederholten Heiz- und Kühlzyklen.
 

4. Hohe mechanische Festigkeit
      SiC-Keramika bieten eine hohe mechanische Festigkeit und Steifigkeit und helfen, die Dimensionsstabilität bei langfristigem Hochtemperaturbetrieb zu erhalten.
 

5Chemische und Plasmabeständigkeit
      SiC bietet eine gute chemische Stabilität und Beständigkeit in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen mit korrosiven Gasen und Plasma.
 

6. Präzisionsbearbeitung
      Das Tray kann nach Zeichnungen des Kunden bearbeitet werden, einschließlich Abmessungen, Schlitze, Löcher und komplexe Strukturen, wobei das Schleifen oder Polieren je nach Anwendungsbedarf möglich ist.

 7. Vollständig anpassbar

• Durchmesser

• Stärke

• Schlitze

• Montageöffnungen

• Struktur

• Oberflächenbearbeitung

Ihre öffentliche Produktseite unterstützt ausdrücklich die Anpassung von OEM/ODM basierend auf Kundenzeichnungen oder Anwendungsanforderungen.


- Ich weiß.
Schlüsselmerkmale

Wir können Materialien auswählen, die auf den Anforderungen des Kunden bezüglich Temperatur, Atmosphäre, Reinheit und Kontaminationskontrolle basieren.


Anwendungen
1.Halbleiterherstellung:
Für Waferunterstützung, Transport, Übertragung und Halbleiterverarbeitung bei hoher Temperatur verwendet.

2.CVD / PECVD Verarbeitung:
      geeignet für CVD- und PECVD-Verarbeitungssysteme.

3.Diffusion, Oxidation und Glühen:
      Verwendet bei Waferdiffusion, Oxidation und Hochtemperaturbrennverfahren.

4.RTP / Epitaxialverarbeitung
      Anwendbar für ausgewählte RTP- und epitaxielle Verarbeitungssysteme.

5.LED und Optoelektronik
      Zu den Anwendungen gehören die Verarbeitung von Saphirwafer, LED-Epitaxy-Trägersysteme und Hochtemperatur-Substratunterstützung.

6- Vakuum- und Wärmeofen
      Als Hochtemperatur-Sinterplatten, Vakuumöfenträger und Wärmeverarbeitungsvorrichtungen verwendet.

7.Pulvermetallurgie und fortgeschrittene Materialien
      Neben Halbleiteranwendungen können SiC-Treys auch in der Pulvermetallurgie, im fortschrittlichen Keramiksintern und in der thermischen Verarbeitung von Batteriematerialien eingesetzt werden.

Häufig gestellte Fragen
Q1. Wofür wird ein SiC-Tray verwendet?
      Es wird hauptsächlich zur Unterstützung, Beförderung, Positionierung und Verarbeitung von Wafern oder anderen Komponenten in hochtemperaturen Halbleiterprozessen wie CVD, PECVD, Diffusion, Oxidation, Glühen und RTP verwendet.

Kann das SiC-Tray angepasst werden?
      Abmessungen, Dicke, Form, Schlitzgeometrie, Montagelöcher und komplexe Strukturen können anhand von Zeichnungen und Anwendungsbedürfnissen angepasst werden.

F3. Welche Materialoptionen stehen zur Verfügung?
      Die veröffentlichte Produktpalette umfasst CVD SiC, SSiC und RBSiC. Das geeignete Material sollte nach Reinheit, Betriebstemperatur, Prozessatmosphäre,Verunreinigungsanforderungen und Kostenziele.

F4. Welche Informationen sind für ein Angebot erforderlich?
      Material + Größe + Dicke + Struktur + Schlitz/Loch Details + Oberflächenveredelung + Toleranz + Menge + Anwendung + Betriebstemperatur
Für nicht-standardmäßige Produkte2D-Zeichnung oder 3D-CAD-Dateiist sehr zu empfehlen.

F5. Welche maximale Betriebstemperatur ist zulässig?
      Ihre aktuelle öffentliche SiC Tray Produktseite gibt eine Betriebstemperatur von≤ 1600°CDie tatsächliche Nutzungstemperatur sollte entsprechend der Materialqualität und der Verfahrensumgebung bestätigt werden.

F6: Kann die Oberfläche poliert werden?
      Ja, je nach Anwendungsbedarf können Präzisionsschleifen oder Polieren bereitgestellt werden.

Q7. Können Sie OEM/ODM anbieten?
      Ja. OEM/ODM-Anpassung wird auf der Grundlage von Kundenzeichnungen und Anwendungsanforderungen unterstützt.

F8: Warum wählen Sie SiC anstelle von Quarz oder Graphit?
      SiC bietet Vorteile bei hoher Temperaturstabilität, mechanischer Festigkeit, thermischer Leistung und chemischer Stabilität.Die Materialauswahl sollte immer auf dem tatsächlichen Verfahren beruhen, anstatt davon auszugehen, dass SiC universell Quarz oder Graphit überlegen ist..

  


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