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Haus PRODUKTE

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	Maßgeschneidertes SiC-Tray
MOQ:	25
Preis:	Fluctuates with market
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai, China

Material:

Siliziumkarbid

Produkttyp:

Sic-Tablett

Form:

Rund, Teller, individuell

Größe:

Maßgeschneidert

Dicke:

Maßgeschneidert

Oberflächenbeschaffenheit:

Schleifen oder Polieren

Betriebstemperatur:

≤1600°C

Anwendung:

Halbleiterwaferverarbeitung, CVD/PECVD, Hochtemperaturverarbeitung

Produkt-Beschreibung

Product Information A Silicon Carbide (SiC) Tray is a high-performance precision ceramic carrier designed for semiconductor wafer processing, high-temperature thermal processing, CVD/PECVD systems, vacuum furnaces, and other demanding industrial environments. Its main functions include: Supporting wafers and process components Positioning wafers during processing Wafer transfer and handling Supporting components during high-temperature processes Serving as a precision ceramic

Umbauten:

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate