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Einzelheiten zu den Produkten

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Created with Pixso. HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

Markenbezeichnung: zmsh
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
rohs
Material:
HPSI SiC
Grad:
Prim/Dummy/Forschung
Typ:
4H-Semi
Größe:
2/3"/4"/6"/8"
Dicke:
500 ± 25 μm
TTV:
Bei der Verwendung von Zylindersäulen
Bogen:
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm
Verpackung:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts
HPSI SiC Wafer Übersicht
HPSI SiC Wafer: 2 - 12 Zoll optische Qualität für AI/AR-Brille

SiC-Wafer des Typs HPSI (High-Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) sind zentrale optische Materialien in KI- und AR-Gläsern. Mit einem hohen Brechungsindex (2.6 - 2.7 @ 400 - 800 nm) und niedrige optische Absorptionsmerkmale, lösen sie Probleme wie "Regenbogen-Effekte" und unzureichende Lichtdurchlässigkeit, die bei herkömmlichen Glas- oder Harzmaterialien für AR-Wellenleitungen üblich sind.Die Orion AR-Brille von Meta verwendet HPSI SiC-Wellenleitlinsen, mit einem ultraweiten Sichtfeld (FOV) von 70° - 80° mit einer Einlagelinse mit einer Dicke von nur 0,55 mm und einem Gewicht von 2,7 g, was den Trägerkomfort und das Eintauchen erheblich verbessert.

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 0HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 1

HPSI SiC Wafer Kernmerkmale und Vorteile
Materialeigenschaften, optische Leistung und Anwendungswert
  1. Brechungsindex: 2,6 bis 2.7
    Dieser hohe Brechungsindex ermöglicht den Austausch von mehrschichtigen optischen Strukturen durch eine einschichtige Linse, wodurch der Lichtverlust reduziert und die Helligkeit und Farbgenauigkeit erhöht werden.es ermöglicht reine visuelle Anzeigen, beseitigt Regenbogen-Effekte und unterstützt eine nahtlose Integration mit hochauflösenden Micro-LEDs.
  2. Wärmeleitfähigkeit: 490 W/m·K
    Das Material zerstreut schnell die von leistungsstarken Mikro-LEDs erzeugte Wärme, verhindert die Verformung der Linse und verlängert die Lebensdauer des Geräts.Dies gewährleistet eine stabile Leistung auch bei hohen Temperaturen, z. B. für den Gebrauch im Freien.
  3. Mohs-Härte: 9.5
    Durch die außergewöhnliche Kratzfestigkeit hält das Material dem täglichen Verschleiß stand, wodurch die Wartungsbedürfnisse verringert und die Lebensdauer der Linse verlängert wird, wodurch die langfristige Nutzbarkeit verbessert wird.
  4. Breitbandspalt Halbleiter
    Seine Kompatibilität mit CMOS-Prozessen ermöglicht die Nanoskala-Lithographie und das Ätzen für eine präzise optische Gitterfertigung.Dies erleichtert die Wafer-Skala-Produktion von fortschrittlichen optischen Komponenten wie diffraktiven Wellenleitern und Mikroresonatoren.
HPSI SiC Wafer Schlüsselanwendungen
1. KI/AR-optische Systeme
  • Wellenleitlinsen: Die dreieckige Querschnittsgitterstruktur ermöglicht einlagernde Vollfarbbildschirme, die die chromatische Dispersion in herkömmlichen diffraktiven Wellenleitern (z. B. Meta Orion-Lösung) auflösen.
  • Mikro-Display-Kopplungen: Erreicht eine Lichtübertragungswirksamkeit von über 80% zwischen Mikro-LEDs und Wellenleitern.
  • Substrate für eine reflektierende Beschichtung: Verringert die Lichtreflexionen in der Umgebung und erhöht die AR-Kontrastquoten.
2. Erweiterte Anwendungen
  • Quantenkommunikationsgeräte: Nutzt die Eigenschaften des Farbzentrums für die Integration der Quantenlichtquelle.
  • Hochleistungslaserkomponenten: dient als Substrat für Laserdioden in industriellen Schneid- und medizinischen Systemen.
HPSI SiC Wafer Schlüsselparameter
4-Zoll- und 6-Zoll-Semi-Isolier-SiC-Substrat-Spezifikation Vergleich
Parameter Zulassung 4-Zoll-Substrat 6-Zoll-Substrat
Durchmesser Z-Klasse / D-Klasse 99.5 mm - 100.0 mm 149.5 mm - 150,0 mm
mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm Z-Klasse / D-Klasse 4H 4H
Stärke Z-Klasse 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 15 μm

D-Klasse 500 μm ± 25 μm 500 μm ± 25 μm
Waferorientierung Z-Klasse / D-Klasse Auf der Achse: <0001> ± 0,5° Auf der Achse: <0001> ± 0,5°
Mikropipendichte Z-Klasse ≤ 1 cm2 ≤ 1 cm2

D-Klasse ≤ 15 cm2 ≤ 15 cm2
Widerstand Z-Klasse ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E10 Ω·cm

D-Klasse ≥ 1E5 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
Primäre flache Orientierung Z-Klasse / D-Klasse (10-10) ± 5,0° (10-10) ± 5,0°
Primärflächige Länge Z-Klasse / D-Klasse 32.5 mm ± 2,0 mm Schnitzel
Sekundäre flache Länge Z-Klasse / D-Klasse 18.0 mm ± 2,0 mm -
Grenze ausgeschlossen Z-Klasse / D-Klasse 3 mm 3 mm
LTV / TTV / Bug / Warp Z-Klasse ≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm ≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm

D-Klasse Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen, sofern die Verbrennungsmenge nicht überschritten ist. ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Grobheit Z-Klasse Polnischer Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Polnischer Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm

D-Klasse Polnischer Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Polnischer Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Ränder Risse D-Klasse Kumulative Fläche ≤ 0,1% Gesamtlänge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Polytypische Gebiete D-Klasse Kumulative Fläche ≤ 0,3% Kumulative Fläche ≤ 3%
Sichtbare Kohlenstoffinklusionen Z-Klasse Kumulative Fläche ≤ 0,05% Kumulative Fläche ≤ 0,05%

D-Klasse Kumulative Fläche ≤ 0,3% Kumulative Fläche ≤ 3%
Silikon-Flächenkratzungen D-Klasse 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm Gesamtlänge ≤ 1 x Durchmesser
Frühlingschips Z-Klasse Keine zulässig (Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm) Keine zulässig (Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm)

D-Klasse 7 zulässig, jeweils ≤ 1 mm 7 zulässig, jeweils ≤ 1 mm
Schraubschraubentwicklung Z-Klasse - ≤ 500 cm2
Verpackung Z-Klasse / D-Klasse Multifaktor-Kassette oder Einfachwaferbehälter Multifaktor-Kassette oder Einfachwaferbehälter
ZMSH Dienstleistungen

Als integrierte Produktions- und Handelsgesellschaft liefert ZMSH End-to-End-Lösungen für SiC-Produkte:

Vertikale Integration

Die eigenen Kristallwachstumsöfen produzieren 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P und 3C-N-Wafer (2 - 12 Zoll) mit anpassbaren Parametern (z. B. Dopingkonzentration, Biegefestigkeit).

Präzisionsverarbeitung
  • Auf Waferhöhe geschnitten: Das Laserschneiden und das chemisch-mechanische Polieren (CMP) erreichen eine Oberflächenrauheit < 0,3 nm.
  • Anpassungsformen: Produziert Prismen, quadratische Wafer und Wellenleitungs-Arrays zur Integration von AR-Optikmodulen.
  • Kontakt mit uns: Proben und technische Beratung sind verfügbar.
SiC-Produkte von ZMSH
SiC-Wafer 4H-Semi
  1. 4" 4H-Semi-Hochreine SiC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität
SiC-Wafer 4H-N
  1. 4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell
Andere Arten von SiC-Proben
HPSI SiC Wafer FAQ

F1: Warum ist HPSI SiC Wafer für AR-Brillen von entscheidender Bedeutung?
A1: Der hohe Brechungsindex des HPSI SiC Wafers (2,6 - 2,7) und die geringe optische Absorption eliminieren Regenbogen-Effekte in AR-Displays und ermöglichen dabei ultradünne Wellenleitungen (z. B. Meta Orions 0,55mm-Objektive).

F2: Wie unterscheidet sich HPSI SiC von herkömmlichem Glas in der AR-Optik?
A2: HPSI SiC bietet den doppelten Brechungsindex von Glas (~ 2,0), was eine größere FOV und einlagige Wellenleitungen sowie eine Wärmeleitfähigkeit von 490 W/m·K ermöglicht, um die Wärme von Micro-LEDs zu verwalten.

F3: Ist HPSI SiC mit anderen Halbleitermaterialien kompatibel?
A3: Ja, es integriert sich mit GaN und Silizium in hybriden Systemen, aber seine thermische Stabilität und seine dielektrischen Eigenschaften machen es für Hochleistungs-AR-Optiken überlegen.

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 2

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