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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet
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sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet

Herkunftsort China
Markenname ZMSH
Zertifizierung rohs
Modellnummer SIC010
Produkt-Details
Widerstandskraft:
0,015 ~ 0,028 Ohm.cm; Oder >1E7ohm.cm;
Oberflächenflachheit:
λ/10@632,8 nm
Substrat-Art:
Substrat
Dielektrizitätskonstante:
9,7
Größe3:
0,5 x 0,5 mm; 1 x 1 mm; 5x5mm;10x10mm;
Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dotierstoff:
N/A
Oberfläche:
Si-Oberflächen-CMP; C-Gesicht Mp;
Markieren: 

Hochgeschwindigkeitsschienen-sic Oblate

,

Laser

,

der sic schneidet

Produkt-Beschreibung

Produkt-Beschreibung:

Silikonkarbidmaterialien haben Aussicht in den zahlreichen Sektoren zum Beispiel Hochgeschwindigkeitsschiene, Kfz-Elektronik, intelligente Gitter, photo-voltaische Inverter, industrielle elektromechanische, Rechenzentren, weiße Waren, Unterhaltungselektronik, Kommunikation 5G, zukünftige Anzeigen, etc. Vom Anwendungsgesichtspunkt können die Anwendungen von Silikonkarbidmaterialien in drei Kategorien, Niederspannung, Mittelspannung und Hochspannung unterteilt werden.

Auf dem Niederspannungsgebiet finden Hauptanwendungen in der Unterhaltungselektronik, wie PFC und Stromversorgung. Um ein Beispiel zu nennen, haben Xiaomi und Huawei begonnen Galliumnitridgeräte in ihren schnellen Ladegeräten zu verwenden.

Auf dem Mittelspannungsgebiet sind die Anwendungen hauptsächlich bei Kfz-Elektronik, dem Schienentransport und den höheren Spannungsstromnetzen (Stromnetz mit Spannung über 3300V). Tesla war einer der ersten Automobilhersteller, zum von Silikonkarbidgeräten anzupassen, die er für sein Modell 3. benutzte.

Dioden- und MOSFETsprodukte des Silikonkarbids erhielten sehr reif sich entwickelt und werden jetzt auf den Tief- und Mittelspannungsgebieten ausgerüstet und angewendet.

Für das Hochspannungsfeld hat Silikonkarbid seine eigenen hervorragenden Eigenschaften, obwohl ein reifes Produkt, hat schon gestartet zu werden. Die Welt ist jetzt im Stadium der Untersuchung und sich Entwickelns für dieses Feld.

Das beste Anwendungsszenario des Silikonkarbids ist Elektro-Mobile. Toyotas-Elektroantriebmodul (die Schlüsselkomponente von Elektro-Mobilen) verringert die Größe von den Silikonkarbidgeräten um 50% oder mit Silikon-ansässigem IGBTs mehr verglichen. Zusätzlich ist die Energiedichte des Silikonkarbids zweimal soviel wie die von Silikon-ansässigem IGBTs. Dieses hat auch einige Hersteller angezogen, um das Silikonkarbid und ihnen mehr Raum angeboten zu wählen, um in andere Komponenten zu passen wegen des optimierten Plans von Komponenten.

 

Eigenschaften:

Es gibt zahlreiche Vorteile zur Anwendung des Silikonkarbids über traditionelleren Silikonsubstraten. Einer der bedeutenden Vorteile ist seine Härte, die dem Material viele Vorteile in der hohen Geschwindigkeit, in der hohen Temperatur und/oder in den Hochspannungsanwendungen gibt. Silikonkarbidoblaten haben hohe Wärmeleitfähigkeit, der Durchschnitte sie Hitze von einem Punkt auf einen anderen Brunnen übertragen können und seine elektrische Leitfähigkeit und schließlich Miniaturisierung verbessern.

Silikonkarbidsubstrate haben auch einen niedrigen Koeffizienten für thermische Expansion und bedeuten, dass sie nicht erheblich an Größe ändert oder formt, während sie oben erhitzt oder unten abkühlt. Sie haben die Fähigkeit, Temperaturen, ohne zu brechen oder zu knacken schnell zu ändern, und sind gegen den Wärmestoß in hohem Grade beständig und geben ihnen einen klaren Vorteil, wenn sie Geräte fabrizieren. Auf dieses sind sie ein sehr dauerhaftes Substrat und reagieren nicht mit Säuren, Alkalien oder flüssigen Salzen bei den Temperaturen bis zu 800°C.

Seine Stärke bei hohen Temperaturen lässt auch Silikonkarbidsubstrate bei den Temperaturen über 1600°C sicher funktionieren und macht es passend für praktisch jede mögliche Anwendung der hohen Temperatur. Diese Spezifikationen - Kristallstruktur Polytype, Wärmeleitfähigkeit (n-artig; 0,020 Ω*cm), Gitterparameter, der Einzel-Kristall 4H, gestützt Durchmesser, Bandlücke, Wärmeleitfähigkeit (HPSI) und Mohs-Härte - geben Sie Silikonkarbidoblaten ihren beträchtlichen Vorteil über traditionellen Massensilikonsubstraten.

 

Technische Parameter:

4H-SiC* und 6H-SiC ** sind beide Halbleitermaterial mit einer breiten Palette des Durchmessers, von 50.8mm (2") bis 200mm (8inch). Die Art und der Dopant in jedem von ihnen ist N/Nitrogen/intrinsic/HPSI. Für Widerstandskraft hat 4H-SiC eine Strecke .015 - .028 ohm*cm, während 6H-SiC mehr hat, das ohm*cm >1E7 ist. Was ihre Gesamtstärke anbetrifft, haben Sie 250um - 15,000um oder 15mm. Gleichgültig, das Art von sic, das Oberflächenende, das an beiden Arten angewendet wird, einfache oder doppelte Seite sind, polierte. Die stapelnde Reihenfolge von ihnen ist ABCB (4H-SiC*) und ABCACB (6H-SiC **). Die Dielektrizitätskonstanten sind 9,6 und 9,66 für 4H-SiC* und 6H-SiC ** beziehungsweise, während die Elektronenbeweglichkeit von 4H-SiC* 800 cm2/V*S und das von 6H-SiC ist ** ist 400 cm2-/V*S.dank für ihr Allgemeingut, ihre Dichte sind die selben wie 3,21 · 103 kg/m3.

 

Anwendungen:

Substrat ZMSH SIC010 sic ist eine ideale Wahl für Chips der Sondergröße sic, Sondergrößeplatten, 1x1cm, 0.5x0.5mm bis 5x5mm, mit hoher Durchbruchsspannung von 5,5 MV/cm, ausgezeichneter Oberflächenflachheit von λ/10@632.8nm, guter Dehnfestigkeit von >400MPa, Substrat des Monokristalls sic, ROHS-Bescheinigung und konkurrenzfähigen Preisen. Es ist in einer Vielzahl von Anwendungen, wie Halbleiter, Elektronik, optoelektronisches, LED, etc. weitverbreitet. Seine ausgezeichneten Eigenschaften treffen es die ideale Wahl für viele Industrien.

Substrat ZMSH SIC010 sic bietet überlegene Leistung und Zuverlässigkeit, mit einem unschlagbaren Preis an. Es wird vom Material des Monokristalls der hohen Qualität sic gemacht und die ausgezeichnete elektrische und thermische Leistung hat und trifft es eine ideale Wahl für verschiedene Industrien. Es ist auch RoHS bestätigte, das Sicherheit und Zuverlässigkeit sicherstellt. Sein großes kann besonders angefertigt werden, um den Bedarf des Kunden zu erfüllen.

Substrat ZMSH SIC010 sic ist die perfekte Wahl für die, die nach einer zuverlässigen und kosteneffektiven Lösung für ihre Anwendung suchen. Mit einer Mindestbestellmenge von 10 Stücken, ist es mit konkurrenzfähigen Preisen und schneller Lieferfrist von 30 Tagen verfügbar. Es hat auch eine ausgezeichnete Versorgungskapazität von 1000 Stücken pro Monat.

 

Kundenbezogenheit:

Kundengebundener sic Substrat-Service

Markenname: ZMSH

Vorbildliches Number: SIC010

Ursprungsort: CHINA

Bescheinigung: RoHS

Mindestbestellmenge: 10pc

Preis: durch Fall

Verpackendetails: Plastikkasten Customzied

Lieferfrist: In 30days

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungs-Fähigkeit: 1000pc/month

Dopant: N/A

Oberflächenflachheit: λ/10@632.8nm

Material: Sic Monokristall

Durchbruchsspannung: 5,5 MV/cm

Druckfestigkeit: >1000MPa

Eigenschaften: 10x10mm; 5x5mm, customzied der Form Platten sic, 4h-semi HPSI sic Oblate

 

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Sic Substrat-technische Unterstützung und Service

Wir erbringen technische Unterstützung und Dienstleistung für sic Substrat. Unsere Expertengruppe kann Ihnen mit allen möglichen Fragen oder Fragen helfen, die auf dem Produkt bezogen werden. Unsere Kundendienstmitarbeiter sind verfügbares 24/7, zum aller möglicher Fragen zu beantworten oder Interessen, die Sie möglicherweise haben. Wir bieten auch Reparaturen und Wartung auf sic Substrat an, um zu garantieren, dass Ihr Produkt richtig und in optimaler Zustand arbeitet. Wenn Sie irgendwelche Fragen haben, fühlen Sie bitte sich frei, mit uns in Verbindung zu treten.

Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung

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