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6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

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3 Zoll HPSI SiC Substrat Dicke 500µm Prime Dummy Forschungsqualität Transluzente Optische Qualität für AR-Brillen

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Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse

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Besorgen 1 Zoll Einzel-Wafer-Kassette für ESD-sichere Wafer-Lagerung Online-Herstellung Video

1 Zoll Einzel-Wafer-Kassette für ESD-sichere Wafer-Lagerung

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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