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eric_wang@zmsh-materials.com
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Besorgen 6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad Online-Herstellung

6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

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Besorgen 3 Zoll HPSI SiC Substrat Dicke 500µm Prime Dummy Forschungsqualität Transluzente Optische Qualität für AR-Brillen Online-Herstellung

3 Zoll HPSI SiC Substrat Dicke 500µm Prime Dummy Forschungsqualität Transluzente Optische Qualität für AR-Brillen

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Besorgen Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden Online-Herstellung

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

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Besorgen Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten Online-Herstellung

Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Besorgen 6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels Online-Herstellung

XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

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Besorgen SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot Online-Herstellung

SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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Besorgen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online-Herstellung

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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Besorgen 12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse Online-Herstellung

12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse

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Besorgen 1 Zoll Einzel-Wafer-Kassette für ESD-sichere Wafer-Lagerung Online-Herstellung Video

1 Zoll Einzel-Wafer-Kassette für ESD-sichere Wafer-Lagerung

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Besorgen 4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ Online-Herstellung

4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Besorgen Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping Online-Herstellung

Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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Besorgen Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05 Online-Herstellung

Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05

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Besorgen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad Online-Herstellung Video

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad

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Besorgen SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode Online-Herstellung

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode

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Besorgen Einstückige horizontale Waferverpackungskiste 1

Einstückige horizontale Waferverpackungskiste 1 "-12" PP PC Wafertransporter mit Schaumkissen

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Besorgen SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze Online-Herstellung

SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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Besorgen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online-Herstellung

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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Besorgen Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm Online-Herstellung

Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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Besorgen Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern Online-Herstellung

Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern

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Besorgen Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter Online-Herstellung Video

Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter

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Besorgen 4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte Online-Herstellung Video

4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte

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Besorgen Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Besorgen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Besorgen SIC Crystal Silicon Carbide Wafer Online-Herstellung

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Besorgen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online-Herstellung

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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Besorgen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung Video

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Besorgen 4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität Online-Herstellung

4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität

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