SiC-Sinterofen Hochtemperatur-Karbonierung und einheitliche Bindungslösung

SiC-Sinterofen Hochtemperatur-Karbonierung und einheitliche Bindungslösung

Produktübersicht

Der SiC-Sinterofen ist für das Hochtemperatur-Sintern und die Verkarbonierung von Wafern, SiC-Samen, Graphitpapier und Graphitplatten ausgelegt.Bei Verbindung mit der vollautomatischen SiC-Sprühverbindungsmaschine, sorgt es für bubbelfreie, gleichmäßig gepresste, hochpräzise SiC-Bindungen.

Der Ofen ermöglicht eine verstellbare Temperatur, Druck und Sinterzeit, die eine vollständige Verkohlung des Klebers und eine stabile chemische Bindung gewährleistet.und ätzende Umgebungen, die einen stabilen, hohen Ertrag (> 90%) für SiC-Samenbindungen, Halbleiterwaferzubereitungen und hochpräzise Materialbindungen bieten.

Kerntechnologie

1. Hochtemperatursinternierung und Verkarbonierung

   • Bindete Wafer, SiC-Samen, Graphitpapier und Graphitplatten werden einer kontrollierten Hochtemperaturbehandlung unterzogen.

   • Die Klebstoffschichten werden vollständig verbrannt und gehärtet und bilden eine stabile chemische Verbindung.

2. Einheitliche Pressen

   • Der verstellbare Druck sorgt für eine gleichmäßige Bindung über die Schnittstelle und verhindert lokale Verformungen oder Hohlräume.

   • Die Funktionen zur Vakuumunterstützung und zur Bubble-Erkennungmit einer Breite von nicht mehr als 20 mm,.

3. Programmierbare Prozessparameter

   • Temperatur, Druck, Auf-/Abfahrtprofile und Aufenthaltszeit sind vollständig programmierbar.

   • Anpassung an verschiedene Materialmerkmale und Prozessanforderungen, um eine gleichbleibende Bindfestigkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Systemmerkmale

• Hochpräzise Temperaturkontrolle: Einheitliche Ofentemperatur für einheitliche Bindungsresultate.

• Einstellbares Drucksystem: Sorgt für eine einheitliche Schnittstellenkompression.

• Vakuumunterstützung: Entfernt Luftblasen für eine fehlerfreie Verbindung.

• Programmierbare Prozesssteuerung: Automatische Anlauf-, Aufenthalts- und Abkühlzyklen mit mehreren gespeicherten Rezepten.

• Moduläres Design: Leichte Wartung und Erweiterbarkeit.

• Sicherheitsmerkmale: Übertemperatur- und Überdruckschutz, Betriebsverriegelung.

Technische Spezifikation

Typische Anwendungen

• SiC-Samenbindung: Hochtemperatursintern und Verkarbonieren für eine starke und gleichmäßige Verbindung.

• Herstellung von Halbleiterwafern: Sintern von SiC-Wafern mit einem oder mehreren Kristallen.

• Hochtemperatur- und korrosionsbeständige Materialien: Hochleistungskeramik und Verbundwerkstoffe auf Grafitbasis.

• FuE und Pilotproduktion: Kleinserien- und hochpräzise Materialsinterung.

Wichtige Vorteile

• Hohe Erträge: In Kombination mit der automatischen Sprühverbindungsmaschine übersteigt die Verbindungsleistung 90%.

• Hohe Stabilität: Einstellbare Temperatur, Druck und Vakuum sorgen für ein gleichbleibendes Sinterergebnis.

• Hohe Zuverlässigkeit: Schlüsselkomponenten erfüllen internationale Standards für einen langfristigen stabilen Betrieb.

• Erweiterbar: Moduläres Design ermöglicht mehrere oder größere Wafergrößen.

• Benutzerfreundlicher Betrieb: Programmierbare Schnittstelle automatisiert den gesamten Sinterzyklus.

Häufig gestellte Fragen

F1: Welche Materialien kann der SiC-Sinterofen verarbeiten?
A1:Wafer, SiC-Samen, Graphitpapier, Graphitplatten und andere korrosionsbeständige Materialien mit hoher Temperatur.

F2: Können Temperatur und Druck eingestellt werden?
A2:Ja. Die Temperatur beträgt 100~1600 °C und der Druck 0~5 MPa. Beide sind entsprechend den Anforderungen an Material und Prozess vollständig einstellbar.

F3: Wie wird ein bubbelfreies Sintern gewährleistet?
A3:Der Ofen integriertVakuumunterstützte Evakuierung und einheitliche Pressen, die eine blasenfreie und vollständige Verklebung gewährleistet.

F4: Können mehrere Wafer gleichzeitig verarbeitet werden?
A4:Ja, die Kammer kann für einzelne oder mehrere Wafer angepasst werden.

F5: Wie lange dauert der typische Sinterzyklus?
A5:Verstellbar, allgemein30 bis 180 Minuten, abhängig von der Materialstärke und den Prozessvorgaben.