SiC-Wafer, SiC-Karbid-Wafer, SiC-Substrat, SiC-Karbid-Substrat, P-Klasse, D-Klasse, 2 Zoll SiC, 4 Zoll SiC, 6 Zoll SiC, 8 Zoll SiC, 12 Zoll SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, HPSI-Typ
Charakter von 4H-N SiC
- VerwendungSIC Monokristallzur Herstellung
- Anpassung durch Zeichnungen zulässig
- hohe Leistung, hohe Widerstandsfähigkeit und geringe Leckströme
- 9,2 Mohs hohe Härte, knapp hinter Diamanten
- weit verbreitet in Hightech-Bereichen wie Leistungselektronik, LEDs und Sensoren
Kurze Einführung von 4H-N SiC
Siliziumcarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial aus Silizium und Kohlenstoff.
Sie ist hervorragend hart und robust und somit sehr langlebig.
SiC ist bekannt für seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die es ihm ermöglicht, Wärme effizient zu zerstreuen, was es ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen macht.
Eine seiner Hauptmerkmale ist eine große Bandlücke, die es Geräten ermöglicht, bei höheren Spannungen, Temperaturen und Frequenzen als Silizium zu arbeiten.
SiC besitzt auch eine hohe Elektronenmobilität, was dazu beiträgt, schnellere und effizientere elektronische Geräte zu ermöglichen.
Seine chemische Stabilität und Oxidationsbeständigkeit machen ihn ideal für raue Umgebungen.
SiC wird in der Leistungselektronik, wo Effizienz und Haltbarkeit von entscheidender Bedeutung sind, sowie in Hochfrequenzgeräten, LEDs,und als Substrat für das Wachstum anderer Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid (GaN).
Seine Eigenschaften machen es zu einem wertvollen Material für fortschrittliche elektronische Anwendungen.
Weitere Informationen über 4H-N SiC
*Weitere Einzelheiten finden Sie in der folgenden Tabelle.
| 6 Zoll Durchmesser 4H N-Typ Siliziumkarbid Substrat Spezifikation |
| Substrat-Eigenschaft |
Produktionsgrad |
Schwachstelle |
| Durchmesser |
150 mm ± 0,1 mm |
| Oberflächenorientierung |
Außerhalb der Achse: 4° in Richtung <11-20> ± 0,5° |
| Primäre flache Orientierung |
< 1-100> ± 5,0 ̊ |
| Primärflächige Länge |
47.5 mm ± 2,0 mm |
| Widerstand |
0.015 ~ 0.028Ω·cm |
≤ 0,1Ω·cm |
| Stärke |
350.0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm |
| TTV |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
| Bogen |
≤ 30 μm |
≤ 50 μm |
| Warpgeschwindigkeit |
≤ 40 μm |
≤ 60 μm |
| Oberflächenbearbeitung |
Doppelseitiges Polieren, Si-Gesicht CMP (chemische Polierung) |
| Oberflächenrauheit |
CMP Si Gesichtsra≤0,5 nm, C Gesichtsra≤1 nm |
N/A |
| Anmerkung: Andere als die obigen Parameter sind anpassungsorientierte Spezifikationen akzeptabel. |
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*Wenn Sie weitere Anforderungen haben, können wir die maßgeschneiderten herstellen.
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Häufig gestellte Fragen
1F: Wo kann man 6 Zoll 4H-N SiC verwenden?
A: Es gibt viele Anwendungsbereiche, wie MOSFET, IGBT und Diode, die für Hochleistungs- und Effizienzanwendungen wie Elektrofahrzeuge, Stromwandler und intelligente Netze geeignet sind.
2F: Wie trägt 4H-N SiC zur Erneuerbaren Energie bei?
A: Leistungselektronik auf Basis von 4H-N SiC verbessert die Effizienz und Zuverlässigkeit erneuerbarer Energiesysteme wie Solarumrichter und Windkraftanlagen und ermöglicht eine bessere Umwandlung und Verwaltung von Energie
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