Hochtemperaturbeständige SiC-Stützplatte/Stützplatte für Waferträger
Silicon Carbide (SiC) Backing Plates / Support Plates sind hochleistungsfähige keramische Komponenten, die in fortschrittlichen Produktionssektoren wie Halbleitern, LEDs und Photovoltaik weit verbreitet sind.Bekannt für ihre außergewöhnliche WärmebeständigkeitSie bieten maßgeschneiderte SiC-Backing Plate-Lösungen, einschließlich Design, Fertigung, Prüfung und Produktion.,und Nachverkaufsunterstützung, um eine verbesserte Prozessstabilität und Produktionseffizienz zu gewährleisten.
Technische Spezifikation:
| Parameter |
Spezifikation |
Einheit |
Anmerkungen |
| Art des Materials |
CVD-SiC / RBSiC / HPSiC |
- |
Zusätzlich |
| Durchmesser |
100-500 (Anpassbar) |
mm |
Gewohnheit |
| Stärke |
10 bis 50 |
mm |
Einstellbar |
| Maximale Betriebstemperatur |
1650 |
°C |
Langfristig |
| Wärmeleitfähigkeit |
120 bis 200 |
W/m·K |
Bei 25°C |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung |
4.0×10−6 |
/°C |
USE Wasserstoff |
| Dichte |
3.10 bis 3.21 |
G/cm3 |
Theoretische |
| Porosität |
< 0,5% |
- |
Dichte |
| Oberflächenrauheit (Ra) |
< 0,2 (gepocht) |
μm |
Spiegelveredelung |
| Flachheit |
≤ 005 |
mm/100 mm |
Präzisionsstufe |
| Härte (Mohs) |
9.2 |
- |
Nur Diamant kommt an zweiter Stelle |
| Biegefestigkeit |
350 bis 450 |
MPa |
3 Punkte |
| Reinheit |
> 99,9995% |
- |
Halbleiter |
SiC-Stützplatte / Stützplatte Charakteristiken
- Ich weiß.
1.Widerstandsfähigkeit gegen hohe TemperaturenStabiler Betrieb über 1600°C, geeignet für extreme Prozessbedingungen.
2.Überlegene Wärmeleitfähigkeit- Übertrifft herkömmliche Materialien (z. B. Graphit, Aluminiumoxid) bei schneller Wärmeabgabe und geringerer thermischer Belastung.
3.Niedrige thermische Expansion• Ausgezeichnete Dimensionsstabilität bei hohen Temperaturen und minimale Verformung.
4.Hohe Härte und Verschleißfestigkeit️ Mohs-Härte von 9.2, um eine langfristige Haltbarkeit zu gewährleisten.
5.Chemische Trägheit️ Widerstandsfähig gegen Säuren, Alkalien und korrosive Umgebungen (z. B. Ätzen, CVD/PVD).
6.Hohe Reinheit¢ Metallfreie Zusammensetzung, die strengen Normen der Halbleiterindustrie entspricht.
Hauptanwendungen vonSiC-Stützplatte / Stützplatte
- Ich weiß.1. Prozesskompatibilität
• HalbleiterherstellungKompatibel mit CVD, MOCVD und epitaxialen Wachstum, um eine gleichmäßige Waferheizung zu gewährleisten.
· LED-ProduktionUnterstützt Saphir-Substrate für ein gleichbleibendes Wachstum der Epitaxialschicht.
· Photovoltaik️ Verwendet bei hohem Sintern und Dünnschichtdeposition.
· Präzisionsbearbeitung¢ Geeignet für das Laserschneiden, das Plasma-Etzen und andere hochgenaue Verfahren.
2. Materialtypen
· Reaktionsgebundenes SiC (RBSiC)- kostengünstig und ideal für den allgemeinen Einsatz bei hohen Temperaturen.
· Chemische Dampfdeposition SiC (CVD-SiC)- Ultra-hohe Reinheit für fortgeschrittene Halbleiterverfahren.
· Warmgepresstes SiC (HPSiC)- hohe Dichte und Festigkeit für schwere Anwendungen.
3. Kernanwendungen
· Wafer-/Substratunterstützung Sicherstellung einer gleichmäßigen thermischen Verteilung während der Verarbeitung.
· Ersatz von Graphit¢ Vermeidung von Oxidations- und Partikelverunreinigungsrisiken.
· Ausrüstung zum Radieren Bietet eine stabile Plasmaumgebung.
ZMSH-Dienstleistungen Umfassende Lösungen für SiC-Stützplatten / Stützplatten
1. Kundenspezifische Gestaltung Optimierte Abmessungen, Geometrie und Oberflächenbehandlungen (z. B. Polieren, Beschichtung).
2. Präzisionsfertigung ¢ Fortgeschrittene Sinter-/CVD-Techniken für hohe Konsistenz und Zuverlässigkeit.
3- Strenge Tests - Ultraschalluntersuchungen, thermische Zyklen und Qualitätssicherungsprotokolle
4- Schnelle Reaktion - Technische Beratung, Prototyping und Unterstützung bei der Serienproduktion.
5. Globale Unterstützung Weltweite Abdeckung (Asien-Pazifik, Europa, Amerika) mit 24/7 Kundendienst.
Fragen und Antworten
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