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  [SiC wafer ]

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Besorgen CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Online-Herstellung

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Besorgen 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

Erhalten Sie besten Preis
Besorgen Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm Online-Herstellung

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm

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Besorgen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität Online-Herstellung

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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Besorgen Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll

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Besorgen 8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ Online-Herstellung

8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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Besorgen Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm Online-Herstellung Video

Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm

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Besorgen Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll Online-Herstellung Video

Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

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Besorgen SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze Online-Herstellung

SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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Besorgen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online-Herstellung

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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Besorgen Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm Online-Herstellung

Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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Besorgen Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern Online-Herstellung

Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern

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Besorgen Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter Online-Herstellung Video

Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter

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Besorgen 4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte Online-Herstellung Video

4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte

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Besorgen Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Besorgen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Besorgen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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Besorgen SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2

SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Besorgen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online-Herstellung

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Besorgen SiC-Samen-Wafer 6

SiC-Samen-Wafer 6" 8" 4H-N-Typ Produktionsgrad Dummy-Grad für SiC-Wafer-Wachstum

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Besorgen 12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte Online-Herstellung

12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte

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Besorgen 12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern Online-Herstellung

12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern

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Besorgen 6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren Online-Herstellung

6 Zoll N-Typ 6H Siliziumkarbid Epitaxy Wafer mit 350um Dicke für MEMS und UV-Sensoren

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Besorgen blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate Online-Herstellung

blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

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Besorgen Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien Online-Herstellung Video

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

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Besorgen sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet Online-Herstellung

sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet

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Besorgen Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK Online-Herstellung

Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK

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Besorgen SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen Online-Herstellung

SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen

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