8 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 200 mm Dicke 500 μm 4H-N Typ
Als Kernmateriallieferant in Chinas SiC-Industrie-Kette entwickelt ZMSH unabhängig 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer auf der Grundlage einer ausgereiften Technologieplattform für das Wachstum von Wafern mit großem Durchmesser.Verwendung der chemischen Dampfdeposition (CVD)Auf unserem hochreinen SiC-Substrat entsteht ein einheitlicher Einzelkristallfilm.
- Epitaxialschichtdicke: 5-20 μm (± 3% Einheitlichkeit)
- Abweichung der Dopingkonzentration: < 5%
- Oberflächenvernichtende Defektdichte: < 0,5/cm2
- Niedrige Hintergrundkonzentration: <1×1014 cm−3
- BPD-Umwandlungseffizienz: > 99%
Im Vergleich zu herkömmlichen 6-Zoll-Wafern erhöht der 8-Zoll-Wafer die Nutzfläche um 78%, reduziert die Gerätekosten um ~ 30% durch automatisierte Produktion und ist somit ideal für Elektrofahrzeuge,Energieversorgung für Industriezwecke, und andere große Anwendungen.
Produktspezifikationen für 8 Zoll SiC-Epitaxialwafer
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Parameter
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Spezifikation
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Durchmesser
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200 mm
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Stärke
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500 ± 25 μm
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Epitaxialdicke
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5 bis 20 μm (anpassbar)
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Einheitlichkeit der Dicke
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≤ 3%
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Dopinguniformität (N-Typ)
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≤ 5%
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Oberflächendefektdichte
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≤ 0,5/cm2
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Oberflächenrauheit (Ra)
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≤ 0,5 nm (10 μm × 10 μm AFM-Scan)
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Abbruchfeld
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≥ 3 MV/cm
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Elektronenmobilität
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≥ 1000 cm2/V·s
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Trägerkonzentration
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5 × 1013 ~ 1 × 1019 cm−3 (N-Typ)
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Kristallorientierung
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4H-SiC (außerhalb der Achse ≤ 0,5°)
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Resistenz der Pufferschicht
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1 × 1018 Ω·cm (N-Typ)
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Zertifizierung für den Automobilbereich
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IATF 16949-konform
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HTRB-Prüfung (175°C/1000h)
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Parameterverschiebung ≤ 0,5%
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Unterstützte Geräte
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MOSFET, SBD, JBS, IGBT
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Haupteigenschaften einer 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer
1. Präzisions-Prozesskontrolle
- Gasfluss in geschlossenem Kreislauf und Echtzeit-Temperaturüberwachung ermöglichen die Kontrolle der Dicke/Doping auf Nanoskala, 8 Zoll SiC-Epitaxialwafer unterstützt 600-3300V-Gerätedesigns.
2. Ultra-niedrige Defektdichte
- Oberflächenfehler < 0,2/cm2, Dislokationsdichte ~ 103 cm−3, was nach 100k thermischen Zyklen eine Leistungsabnahme von < 1% gewährleistet.
3. Materialverträglichkeit
- Optimiert für 4H-SiC, ist die 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer mit anpassbaren N-Typ-/halbisolierenden Schichten, die strengen Anforderungen an RAn(< 2 mΩ·cm2) und Bruchfestigkeit (> 3 MV/cm).
4. Umweltstabilität
- Korrosionsbeständige Passivierung hält bei 85°C/85% RH für 1000h < 0,5% elektrische Drift.
- Ich weiß.Anwendungvon8 Zoll SiC-Epitaxialwafer
1. Elektrofahrzeuge
- Kernmaterial für Traktionsumrichter und OBCs, die 800-Volt-Plattformen mit einer Effizienz von mehr als 95% und einer Spitzenladung von 600 kW ermöglichen.
2. Solar-/Energiespeicherung
- 99% effiziente String-Wechselrichter reduzieren die Systemverluste um 50% und steigern den IRR des Projekts um 3-5%.
3. Industriekraft
- Die 8 Zoll große SiC-Epitaxialwafer ermöglicht >100 kHz-Schaltvorgänge in Server-PFC und Traktionsumrichter und erreicht eine Leistungsdichte von 100 W/in3.
4. 5G-Kommunikation
- Das 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer, ein Verlustsubstrat für GaN-HF-Geräte, verbessert die PA-Effizienz der Basisstation um 75% mit mehrkanaler Signalintegrität.
Produktempfehlungen
Die 6 Zoll großen SiC-Epitaxialwafer von ZMSH verfügen über hochwertige 4H-SiC-Einkristallfolien, die über CVD auf Premium-Substraten angebaut werden und eine Dicke von 5-30 μm mit ≤ 3% Einheitlichkeit und Defektdichte von <0,5/cm2 bieten.Optimiert für 650V-3.3kV-Leistungseinrichtungen (MOSFET/SBD), sie ermöglichen eine um 20% geringere RON- und um 15% höhere Schalteneffizienz als Siliziumlösungen, ideal für EV-Ladegeräte und industrielle Umrichter.
Häufig gestellte Fragen8 Zoll SiC-Epitaxialwafer
1F: Welche Vorteile haben 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer gegenüber 6-Zoll-Wafern?
A: 8-Zoll-Wafer bieten 78% mehr nutzbare Fläche und reduzieren die Chipkosten um ~ 30% durch höhere Ausbeute und bessere Skaleneffekte für Elektrofahrzeuge und Antriebsgeräte.
2F: Wie verhält sich die Defektdichte von SiC-Wafer mit Silizium?
A: Fortgeschrittene 8-Zoll-SiC-Epi-Wafer erzielen <0,5 Defekte/cm2 vs. Silizium-Säulen <0,1/cm2, wobei die BPD-Umwandlung >99% ist, was die Zuverlässigkeit des Stromgeräts gewährleistet.
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