Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern

Maßgeschneiderter Sic-Keramik-Träger End-Effektor für Wafer-Handling

Der mit hochpräziser Bearbeitungstechnologie hergestellte Wafer-Handhabungseffektor erzielt eine Dimensionsgenauigkeit auf Mikronebene (±0,01 mm) und eine außergewöhnliche thermische Stabilität (CTE ≤4,5×10−6/K).Seine Oberfläche weist eine fortschrittliche, CVD-abgeschichtete nanocrystalline SiC-Schutzschicht auf (Reinheit > 99.995%), die eine überlegene Oberflächenbeschichtung (Ra<0,05μm) und Verschleißbeständigkeit (Verkleidungsrate <0,1μm/1000 Zyklen) bieten und gleichzeitig eine beschädigungsfreie Waferübertragung bei hohen Geschwindigkeiten gewährleisten (1.5 m/s) mit minimalem Partikelanteil (< 5 Partikel/ft3)Unser hochreiner SiC-beschichteter Endeffektor zeigt eine hervorragende Leistungsstabilität bei extremen Temperaturen (-200°C~1200°C),Ausgezeichnete thermische Einheitlichkeit (±1°C@150mm Wafer) für die Konsistenz der epitaxialen Wachstumsdicke (±10,5%), und eine bemerkenswerte chemische Beständigkeit (pH1-13), die einen zuverlässigen Betrieb über > 100.000 Zyklen hinweg gewährleistet.

Technische Spezifikation:

Hauptmerkmale derEndwirkungsfaktor für die Waferbehandlung

1Nanoskala SiC Schutzschicht über CVD-Technologie

- mit einem CVD-Reaktor mit Warmwand (1200°C) mit einer Korngröße von 20-50 nm abgelagert

- Beschichtungsdichte ≥ 3,18 g/cm3, Porosität < 0,1%

2Außergewöhnliche Hochtemperaturstabilität und thermische Einheitlichkeit

- Erhält eine Wärmeleitfähigkeit von ≥ 120 W/m·K bei 1000°C

-Wärmeverformungen < 0,02 mm/100 mm (ASTM E228 zertifiziert)

3. Ultrafeine SiC-Kristallene Beschichtung für eine atomare Glatzigkeit

- Diamantschlamm auf Ra < 0,3 nm poliert (AFM-Bestätigung)

- Oberflächenreibungskoeffizient μ<0,15 (gegenüber Siliziumwafer)

4Überlegene chemische Beständigkeit und Reinigungsbeständigkeit

- Ätzgeschwindigkeit < 0,01 μm/Zyklus in SC1/SC2-Lösungen

- 2000-Zyklus-Ozonwasserreinigungstest (80°C) bestanden

5. Eigentümliche Strukturgestaltung, die Riss/Delamination verhindert

- Konstruktion der Spannungsschutzschicht (SiC/Si-Gradient-Übergang)

- 1000 thermische Schockzyklen (-196°C~300°C) (konform mit MIL-STD-883)

Hauptanwendungen vonEndwirkungsfaktor für die Waferbehandlung

1. Halbleiter-Front-End-Prozesse:

· Wafertransport innerhalb der Fabriken (AMHS)

· Lade- und Entladearbeiten mit Lithographiewerkzeugen

2. Erweiterte Verpackung:

· Präzisionsausrichtung für Fan-out- und 3D-IC-Stacking

· Ultradünne Waferbehandlung (< 100 μm) für GaN/SiC-verbundene Halbleiter

3. Vakuumumumgebungen:

· Waferübertragung in PVD/CVD-Kammern

Prozesskompatibilität, Materialien und Anwendungen

Produktbilder vonEndwirkungsfaktor für die Waferbehandlung

ZMSH ist ein führender Anbieter von hochleistungsfähigen Silicon Carbide (SiC) -Wafer-Handling-Lösungen, spezialisiert auf präzise konstruierte Trägerplatten und Endeffektoren für die Halbleiterherstellung.Unsere fortschrittlichen SiC-Komponenten verfügen über ultra-reine CVD-Beschichtungen mit einer Oberflächenrauheit unter 0.1 μm Ra, um einen partikelfreien Betrieb in Reinraumumgebungen der Klasse 1 zu gewährleisten.03 mm über extreme Temperaturbereiche von -200°C bis 1300°C, mit thermischen Expansionskoeffizienten von nur 4,1 × 10−6/K.