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SiC-Samenwafer 8 Zoll Dicke 600±50um 4H-Typ Produktionsgrad für Silikonkarbid Kristallwachstum

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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