Einzelheiten zu den Produkten

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SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	SiC-Wafer HPSI
MOQ:	Von Fall zu Fall
Preis:	Fluctuate with current market
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Herkunftsort:

Shanghai

Typ:

Halb-Isolieren

Oberflächenbeschaffenheit:

SSP/DSP, CMP/MP

Anwendungen:

GaN-HEMTs, SiC-MOSFETs, HF-Verstärker

Verpackung Informationen:

In Kassettenbox oder Einzelwaferbehältern

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Stück/Monat

Produkt-Beschreibung

Produktbeschreibung

Hochreine halbisolierende (HPSI) SiC-Wafer sind fortschrittliche einkristalline Siliziumkarbidsubstrate, die für Leistungselektronik, HF- und Hochfrequenzgeräte entwickelt wurden. Sie bieten ausgezeichnetesWärmeleitfähigkeit, hochWiderstand, starkchemische Stabilität, und überlegenmechanische Härte. HPSI-Wafer eignen sich ideal als Substrat für GaN-HEMTs, SiC-MOSFETs und andere Hochleistungs-Hochfrequenzanwendungen und sorgen für minimale Leckage, effiziente Wärmeableitung und stabile Geräteleistung in anspruchsvollen Umgebungen.

SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte 0

Hauptmerkmale

SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte 2

Elektrische Leistung: Hoher spezifischer Widerstand reduziert Leckage und parasitäre Kanäle, ideal als Substrat für Leistungsgeräte.

Wärmeleistung: Hohe Wärmeleitfähigkeit (~4,9 W/cm·K) für effiziente Wärmeableitung in Hochleistungs-Hochfrequenzgeräten.

Chemische Stabilität: Starke chemische Inertheit, hohe Temperatur- und Oxidationsbeständigkeit.

Mechanische Eigenschaften: Hohe Härte, Verschleißfestigkeit und stabile Gitterstruktur.

Hauptanwendungen

Substrate für Leistungshalbleiterbauelemente (z. B. GaN-HEMTs, SiC-MOSFETs)

Hochfrequenz-Kommunikationsgeräte und HF-Verstärker

Mikrowellen- und Radargeräte, die einen hohen spezifischen Widerstand und eine geringe parasitäre Kapazität erfordern

Elektronik in extremen Umgebungen: hohe Temperaturen, hohe Spannung und starke Strahlung

Anpassung

Wir bieten vielseitige geometrische Schneiderei. Wir können die Waferdicke anpassen und verschiedene Ausrichtungen der abgeschnittenen Teile anbieten – von standardmäßigen 4°-Neigungen bis hin zu Schnitten auf der Achse – passend zu Ihrem Epitaxie-Wachstumsrezept. Wir bieten auch verschiedene Dotierungsoptionen an und passen die Widerstandsniveaus an, um sowohl N-Typ-Leitfähigkeit für EV-Leistungsmodule als auch halbisolierende Strukturen für Hochfrequenz-HF-Anwendungen zu unterstützen. Durch die Feinabstimmung unserer Wachstumszyklen konzentrieren wir uns darauf, die elektrische Konsistenz bereitzustellen, die für stabile Hochleistungsgeräte erforderlich ist.

SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte 3

FAQ

Was zeichnet halbisolierendes Siliziumkarbid aus?

Dieses Material weist einen extrem hohen spezifischen elektrischen Widerstand auf und minimiert effektiv parasitäre Leckströme bei Hochfrequenz- und Hochspannungsanwendungen.

Sind kundenspezifische Spezifikationen verfügbar?

Ja, wir unterstützen maßgeschneiderte Spezifikationen, einschließlich Dotierungskonzentration, Dimensionsparameter und Oberflächeneigenschaften für Prime- und Research-Grade-Produkte.

Was unterscheidet Prime Grade von Dummy Grade?

Prime Grade-Wafer zeichnen sich durch eine minimale Defektdichte aus und eignen sich für die Herstellung aktiver Geräte, während Dummy Grade wirtschaftliche Lösungen für Prozesstests und Gerätekalibrierung bietet.

Wie werden Produkte für den Versand verpackt?

Jeder Wafer wird einer individuellen Vakuumversiegelung mit reinraumkompatiblen Materialien unterzogen, um die Oberflächenintegrität während des Transports sicherzustellen.

Was sind Standardlieferfristen?

Bestellungen mit Standardspezifikationen werden in der Regel innerhalb von 2–4 Wochen versandt, während kundenspezifische Anforderungen in der Regel 4–6 Wochen zur Erfüllung benötigen.

Umbauten:

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate