6 ¢ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Polierlinie mit Quad-Heads und geschlossener Schleife

Produktübersicht

Die 6 ′′ 8 ′′ Halbleiter-Wafer-Polier-Automatisierungslinie ist ein vollständig integriertes Nachpolier-Produktionssystem für Silizium- und Siliziumkarbid-Wafer (SiC).

Es kombiniert Quad-Head Polishing, automatische Wafer-Ausmontage, Keramikträgermanagement, Präzisionsreinigung und hochgenaue Wafer-Wiedermontage in einer einzigen geschlossenen Schleife-Automatisierungsplattform.

Dieses System ermöglicht eine kontinuierliche, kontaminierungskontrollierte, hochleistungsfähige Waferverarbeitung und ist somit ideal für Leistungshalbleiterfabriken, SiC-Substrathersteller und fortschrittliche Verpackungswaferlinien.

Systemarchitektur

Die gesamte Linie besteht aus vier hoch koordinierten Prozessmodulen:

1. Automatische Wafer-Entmontageeinheit

Nach der Vierpolerierung werden die Wafer automatisch mit Hilfe geringer Belastung und kontrollierter Bewegungsalgorithmen von keramischen Trägern getrennt, wodurch verhindert wird:

• Kantensplitterung

• Mikro-Risse

• Restbelastungsschäden

Dies ist besonders für zerbrechliche und hochwertige SiC-Wafer von entscheidender Bedeutung.

2. Keramisches Trägerspeicher- und Puffersystem

Keramische Träger werden automatisch sortiert, gelagert und versendet.
Das Puffersystem ermöglicht:

• Kontinuierlicher Betrieb der Polierleitung

• Kompatibilität mit mehreren Spezifikationen

• Stabile Taktzeitregelung

Dadurch werden Produktionsunterbrechungen durch manuelle Handhabung oder Mangel an Trägern vermieden.

3. Ultra-Clean Keramik-Träger Waschsystem

Vor dem Wiedereinbau wird jeder Keramikträger einer tiefgehenden Präzisionsreinigung unterzogen, um

• Schleifschlamm

• Submikronpartikel

• Chemische Rückstände

Dies gewährleistet eine wiederholbare, kontaminierungsfreie Oberfläche für jeden neuen Wafermontagezyklus.

4. Hochpräzise Wafer-Wiedermontageeinheit

Wafer werden auf gereinigten Trägern mit:

• Kontrollierter Druck

• Untermikronen-Ausrichtung

• Ultrahohe Flachheitskontrolle

Dies stellt den idealen Ausgangszustand für den nächsten Quad-Polish-Schritt dar und verbessert direkt die Polieren-Einheitlichkeit und die Endwaferqualität.

Hauptvorteile des Prozesses

Sehr hohe Sauberkeit

Reinheit der Montagefläche:

• Partikel von ≥ 0,5 μm: < 50 ea

• Partikel von ≥ 5 μm: < 1 ea

Vollkompatibel mit fortgeschrittenen Leistungshalbleiter- und SiC-Fertigungsstandards.

Außergewöhnliche Flachheit der Montage

Flachheit der Montage ≤ 2 μm
Dadurch wird sichergestellt:

• Einheitlicher Polierdruck

• Stabile Materialentfernungsraten

• Überlegene Dicke-Einheitlichkeit

Kritisch für leistungsstarke Leistungseinrichtungen und fortschrittliche Verpackungswafer.

Flexible Produktion mit hohem Durchsatz

Das System ermöglicht es den Herstellern, den Durchsatz, die Kosten und die Oberflächenqualität auf der Grundlage ihrer Produktionsstrategie auszugleichen.

Technische Spezifikation

• Wafergröße: 6 ′′ 8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer

• Ausrüstungsmaße: 13,643 × 5,030 × 2,300 mm (L × W × H)

• Stromversorgung: 380 V AC, 50 Hz

• Gesamtstromverbrauch: ca. 119 kW

• Flachheit der Montage: ≤ 2 μm

• Reinheit der Montage:
  ≥ 0,5 μm < 50 ea, ≥ 5 μm < 1 ea

Anwendung

• Si- und SiC-Leistungshalbleiterwaffen (MOSFET, IGBT, Dioden)

• SiC-Substrate und epitaxiale Wafer

• Verpackungen und Wafer für die Verpackung

• Polsterwafer für Präzisionsgeräte

Service und Support nach dem Verkauf

• 24/7 Fern- und vor Ort technischer Support

• Reaktion innerhalb von 2 Stunden

• Ankunft vor Ort: innerhalb von 24 Stunden (lokal) / 36 Stunden (nicht lokal)

• Kostenlose Reparatur und Wartung unter Garantie

• Lebenslange Wartung und Ersatzteilunterstützung

• Kritische Ersatzteile immer auf Lager

• Regelmäßige Vorbeugungsbetreuungsbesuche von Feldingenieuren

Häufig gestellte Fragen

F1: Ist diese Linie sowohl für Silizium- als auch für SiC-Wafer geeignet?

Das System ist speziell für Silizium- und Silizium-Carbid-Wafer optimiert.und Abbaubahnen sind so ausgerichtet, dass die hohe Härte und Bruchbarkeit von SiC sicher behandelt werden.

F2: Wie verbessert dieses System die Polierleistung?

Durch die Kombination von ultra-sauberen Trägern, hoher Flachheit und vollautomatisierter Handhabung minimiert das System:

• Partikelkontamination

• Wafer-Werkblatt

• Druckunterschiede
  Dies führt zu einer stabileren Polierung, geringeren Bruchraten und einem höheren Waferertrag.

F3: Kann das System kontinuierlich mit dem Quadpolisher laufen?

Der Trägerpuffer und die automatisierte Logistik sind so konzipiert, dass der Quadpolisher rund um die Uhr läuft, ohne auf manuelles Laden oder Reinigen zu warten.

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