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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Siq Wachstumsöfen PVT-Methode 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll niedriger Energieverbrauch

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12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation

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Silikonkarbidwafer 4 Zoll Durchmesser x 350um 4H-N Typ P/R/D-Grad MOSEFTs/SBD/JBS

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2 Zoll bis 12 Zoll 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer | SiC-Substratanwendung

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